1月13日，投資中國(guó)臺(tái)灣事務(wù)所召開(kāi)“歡迎臺(tái)商回臺(tái)投資行動(dòng)方案”聯(lián)審會(huì)議，臺(tái)亞半導(dǎo)體斥資近90億臺(tái)幣擴(kuò)大投資臺(tái)灣的方案獲通過(guò)。
根據(jù)投資方案，臺(tái)亞半導(dǎo)體將在竹科廠房興建無(wú)塵室，并增設(shè)智慧化產(chǎn)線、導(dǎo)入生產(chǎn)監(jiān)控?cái)?shù)位系統(tǒng)。此舉是為了深耕氮化鎵化合物半導(dǎo)體的研發(fā)與制造，并開(kāi)拓全球市場(chǎng)。預(yù)計(jì)投資完成后，將為臺(tái)灣創(chuàng)造127個(gè)高科技人才就業(yè)機(jī)會(huì)。
據(jù)悉，臺(tái)亞半導(dǎo)體擁有近40年半導(dǎo)體制造銷售與質(zhì)量管理經(jīng)驗(yàn)，可以提供半導(dǎo)體整體解決方案，經(jīng)營(yíng)范圍包含半導(dǎo)體發(fā)光元件、感測(cè)元件、功率元件、磊晶材料、晶粒制造、元件封裝產(chǎn)品的生產(chǎn)制造。
此外，2022年8月11日，中國(guó)臺(tái)灣國(guó)科會(huì)還通過(guò)了鴻鎵科技中科分公司的投資案。據(jù)悉，鴻鎵科技擬投資2億新臺(tái)幣設(shè)立鴻鎵科技中科分公司，進(jìn)駐中科臺(tái)中園區(qū)，主攻研制氮化鎵功率外延片及氮化鎵功率晶體等產(chǎn)品。
圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
事實(shí)上，近年來(lái)，中國(guó)臺(tái)灣的氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展異?；鸨３松鲜銎髽I(yè)外，臺(tái)積電、漢磊、穩(wěn)懋、世界先進(jìn)等也是中國(guó)臺(tái)灣氮化鎵產(chǎn)業(yè)的中堅(jiān)力量。
其中，臺(tái)積電在GaN器件代工領(lǐng)域處于全球領(lǐng)先地位，其主要客戶包括意法半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體和GaN System等。目前，臺(tái)積電與IDM廠及IC設(shè)計(jì)業(yè)者合作開(kāi)發(fā)的第一代硅基板氮化鎵技術(shù)平臺(tái)，已于2021年完成并進(jìn)一步強(qiáng)化，該平臺(tái)支持多元應(yīng)用。
漢磊于2021年4月宣布投資50億新臺(tái)幣，全力發(fā)展氮化鎵和碳化硅外延和器件代工。漢磊暨嘉晶董事長(zhǎng)徐建華在2021年表示，漢磊將在未來(lái)2-3年投資0.8-1.0億美元，增加6英寸SiC產(chǎn)能達(dá)5-7倍，GaN月產(chǎn)能則倍增至2,000片。
穩(wěn)懋于2019年研發(fā)出一代0.25微米的GaN HEMT、2022年6月通過(guò)發(fā)布新的碳化硅0.12μm柵極技術(shù)上的氮化鎵擴(kuò)展了其射頻GaN技術(shù)組合。產(chǎn)能方面，2020年，穩(wěn)懋獲準(zhǔn)進(jìn)駐南科高雄園區(qū)，斥資850億元新臺(tái)幣設(shè)廠，搶攻第三代半導(dǎo)體材料碳化硅與氮化鎵商機(jī)。該廠未來(lái)產(chǎn)能將超越現(xiàn)有桃園廠二倍。
世界先進(jìn)則在2022年11月宣布，其領(lǐng)先的8英寸0.35微米650V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，目前已正式進(jìn)入量產(chǎn)。據(jù)介紹，世界先進(jìn)的0.35微米650V GaN-on-QST制程能與公司既有的八英寸硅晶圓機(jī)臺(tái)設(shè)備在開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)上相互配合使用，以達(dá)最佳生產(chǎn)效率及良率。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）
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