日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目傳來新進展：該項目已進入產品試生產階段。
據此前披露消息，項目于2019年11月開工建設，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設內容。
氮化鎵半導體芯片項目于2022年12月中旬全面竣工投產，在完成廠務動力設備包含電力設備系統、水設備系統、氣化設備系統、FFU系統等調試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產設備的一、二、三階調試完成后，開始進行產品試生產。
圖片來源：拍信網正版圖庫
氮化鎵半導體芯片項目的建成達產，將為百思特達增加10條氮化鎵外延生產線，實現年產10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產能提升。
盤錦高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)消息稱，氮化鎵半導體芯片項目正式投產后，百思特達將成為擁有核心競爭力的氮化鎵芯片完整產業(yè)鏈綜合高新技術產業(yè)企業(yè)，盤錦也將成為全國氮化鎵芯片主要生產基地之一，并圍繞百思特達逐步拓展、建強第三代半導體產業(yè)鏈，為建設數字遼寧、智造強省和實現遼寧全面振興全方位振興貢獻力量。
百思特達成立于2019年8月，是興隆臺區(qū)和盤錦高新區(qū)共同引進的高新技術產業(yè)項目。該公司主要研發(fā)生產氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產品，是全國唯一一家擁有藍光LED外延生長技術和石墨烯薄膜沉積技術2項諾貝爾物理學獎產業(yè)的公司。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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