據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導(dǎo)體、泰科天潤、華潤微、英諾賽科、鎵未來、平偉實(shí)業(yè)、飛锃半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、矽力杰半導(dǎo)體、杰平方半導(dǎo)體、芯達(dá)茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚(yáng)杰科技、東科半導(dǎo)體、國基南方、能華半導(dǎo)體、愛仕特、威兆半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、晶彩科技、蓉矽半導(dǎo)體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應(yīng)用案例，彰顯了第三代半導(dǎo)體對于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動作用，各大廠商亮點(diǎn)展品匯總?cè)缦拢?/p>

三安半導(dǎo)體

本屆展會，三安半導(dǎo)體帶來了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產(chǎn)品。

三安半導(dǎo)體擁有完備的SiC二極管產(chǎn)品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺，累計(jì)出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產(chǎn)品。三安半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏儲能、車載充電機(jī)、充電樁、電驅(qū)動系統(tǒng)等。

此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產(chǎn)品，三安半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點(diǎn)。

英飛凌

在本屆展會，英飛凌帶來了覆蓋工業(yè)、光伏儲能、智能家居、新能源汽車等領(lǐng)域的圍繞第三代半導(dǎo)體的最新產(chǎn)品及解決方案。

在電動汽車展區(qū)，英飛凌進(jìn)行了一系列技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDrive驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。

在功率電源領(lǐng)域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN器件也亮相本屆展會，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達(dá)驅(qū)動解決方案。

德州儀器

本屆展會，在能源基礎(chǔ)設(shè)施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽能系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000 TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。

在機(jī)器人領(lǐng)域，TI展示了適用于機(jī)器人和伺服驅(qū)動器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的先進(jìn)650V三相GaN IPM。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤帶來了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產(chǎn)品。

其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達(dá)3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風(fēng)險。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應(yīng)用過程中安全可靠的運(yùn)行。此外，其導(dǎo)通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運(yùn)行時依舊具有較低的導(dǎo)通損耗。

目前，泰科天潤1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)應(yīng)用在大功率充電模塊上，累計(jì)經(jīng)受了88萬小時的電動汽車充電實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶外高溫場景，累計(jì)為新能源汽車進(jìn)行了800多萬度電的超快充電。

泰科天潤還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開關(guān)速度、NTC溫度監(jiān)控、簡化研發(fā)設(shè)計(jì)、提高功率密度、內(nèi)部絕緣設(shè)計(jì)等特點(diǎn)。

英諾賽科

本屆展會，英諾賽科在產(chǎn)品方面重點(diǎn)展示了VGaN雙向?qū)ㄏ盗挟a(chǎn)品、SolidGaN合封系列產(chǎn)品等。

應(yīng)用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺展示了用于光伏與儲能場景的2kW微逆方案、3kW雙向儲能方案，用于數(shù)據(jù)中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費(fèi)與家電的240W LED驅(qū)動方案，500W電機(jī)驅(qū)動方案以及4kW PFC（空調(diào)）方案。

揚(yáng)杰科技

本屆展會，揚(yáng)杰科技帶來了最新系列產(chǎn)品和全面應(yīng)用解決方案。

其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲能逆變器等場景中的應(yīng)用解決方案。

東科半導(dǎo)體

本屆展會，東科半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設(shè)計(jì)，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動+半橋GAN器件，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。

在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科半導(dǎo)體還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路。

國基南方

本屆展會，國基南方帶來了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開關(guān)、封裝管殼與掩膜版等多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信基站、移動終端、新能源汽車、風(fēng)光發(fā)電與儲能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、低空飛行器、高壓電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

晶彩科技

本屆展會，晶彩科技帶來了第三代半導(dǎo)體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產(chǎn)品。

晶彩科技半導(dǎo)體級3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對SiC單晶不同生長工藝特殊的需求，粒徑可達(dá)百微米，屬于國內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)，產(chǎn)品純度達(dá)到6N。

其中，半絕緣型半導(dǎo)體級SiC多晶粉主要針對半絕緣型SiC單晶的生長需求，粒徑可實(shí)現(xiàn)百微米到毫米級精準(zhǔn)控制，產(chǎn)品純度可達(dá)到6N和6.8N兩個級別，氮含量低于0.5ppm；導(dǎo)電型半導(dǎo)體級SiC多晶粉主要針對導(dǎo)電型SiC單晶的生長需求，粒徑和產(chǎn)品純度與半絕緣型半導(dǎo)體級SiC多晶粉相當(dāng)，氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了SiC MOSFET/二極管EJBS，以及光伏逆變器、新型儲能方案、直流充電樁和新能源汽車等領(lǐng)域應(yīng)用解決方案。

在光伏逆變器主拓?fù)鋺?yīng)用中，蓉矽半導(dǎo)體工規(guī)級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導(dǎo)體EJBS+SiC MOSFET方案可將開關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

鎵未來

本屆展會，鎵未來帶來了兩款車規(guī)級GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。

其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過使用導(dǎo)熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據(jù)客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。

TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實(shí)現(xiàn)高效率自動化組裝，并具有極高的板級可靠性TCOB。

昕感科技

本屆展會，昕感科技展示的SiC器件產(chǎn)品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級，導(dǎo)通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級，功率模塊擁有汽車級與工業(yè)級SiC模塊。

目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

納芯微電子

本屆展會，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應(yīng)用領(lǐng)域，展示了其傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

在可再生能源領(lǐng)域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來越多地應(yīng)用于光儲系統(tǒng)中。本次展會上，納芯微展示了用于驅(qū)動SiC功率器件的隔離驅(qū)動產(chǎn)品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導(dǎo)通的NSI6801M，以及在過流的情況下，通過DESAT功能來保障功率器件不損壞的NSI68515。

瀚薪科技

本屆展會，瀚薪科技展示了最新的國產(chǎn)化第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品系列，支持15/18V驅(qū)動，這一系列產(chǎn)品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅(qū)動下指標(biāo)表現(xiàn)更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識產(chǎn)權(quán)的頂部散熱封裝。

瀚薪科技同時展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等場景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應(yīng)用于消費(fèi)電子場景的GaN HEMT系列產(chǎn)品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的消費(fèi)電子產(chǎn)品。

氮矽科技

本屆展會，氮矽科技帶來了涵蓋從低壓到高壓應(yīng)用的全系列GaN產(chǎn)品及方案。

其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產(chǎn)品線，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車等領(lǐng)域。

能華半導(dǎo)體

本屆展會，能華半導(dǎo)體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術(shù)為基礎(chǔ)的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產(chǎn)品。據(jù)稱，能華半導(dǎo)體是國內(nèi)唯一同時量產(chǎn)了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。

能華半導(dǎo)體推出的氮化鎵產(chǎn)品最高耐壓達(dá)到了1200V，內(nèi)阻低至80毫歐，產(chǎn)品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級和車規(guī)級市場的TO247、TOLL封裝。

公開資料顯示，能華半導(dǎo)體于2010年成立，是全球?yàn)閿?shù)不多同時掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司，其采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產(chǎn)能為6000片/月。

愛仕特

本屆展會，愛仕特帶來了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的SiC功率轉(zhuǎn)換解決方案等產(chǎn)品。

其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產(chǎn)品采用了愛仕特第三代SiC MOSFET技術(shù)，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導(dǎo)通電阻等特性，低開關(guān)損耗支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行，高耐用性的封裝實(shí)現(xiàn)更高可靠性及更長的壽命周期，半導(dǎo)體芯片面積更小實(shí)現(xiàn)更加優(yōu)化的成本效益，應(yīng)用領(lǐng)域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、重型車輛、智能電網(wǎng)3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細(xì)分領(lǐng)域。

瞻芯電子

本屆展會，瞻芯電子帶來了SiC分立器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計(jì)方案。

在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，同時展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級產(chǎn)品。

在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅(qū)的SiC HPD和DCM模塊。

在SiC驅(qū)動IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅(qū)動?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負(fù)壓驅(qū)動或短路保護(hù)功能的SiC專用驅(qū)動芯片IVCO141x。

瑞能半導(dǎo)體

本屆展會，瑞能半導(dǎo)體帶來了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進(jìn)環(huán)保無鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產(chǎn)品，以及專注超級充電樁的二極管車規(guī)級產(chǎn)品等各類產(chǎn)品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應(yīng)用領(lǐng)域。

瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復(fù)性能基本不變的情況下，降低VF，減少導(dǎo)通損耗，確保了40KW模塊的量產(chǎn)；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。

萃錦半導(dǎo)體

本屆展會，萃錦半導(dǎo)體帶來了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產(chǎn)品。

目前，萃錦半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結(jié)Si SJ MOSFET等分立器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動等場景和領(lǐng)域。

聚能創(chuàng)芯

本屆展會，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產(chǎn)品。

聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產(chǎn)品。目前，聚能晶源產(chǎn)品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應(yīng)用。

翠展微電子

本屆展會，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的，該方案具有高功率密度、可擴(kuò)展性好、可靠性高、抗震動性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足新能源汽車市場對高集成度、高性價比功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。

此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產(chǎn)品，還通過采用銅Clip工藝實(shí)現(xiàn)了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。

Vishay威世科技

本屆展會，Vishay在現(xiàn)場展示了各類無源和分立半導(dǎo)體解決方案。

Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導(dǎo)通電阻，同時提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導(dǎo)通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計(jì)劃發(fā)布的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級產(chǎn)品。

Qorvo

本屆展會，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達(dá)四個分立式SiC FET，從而簡化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。并且這些模塊搭載獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，極大地提升能源轉(zhuǎn)換效率。這些SiC模塊可廣泛應(yīng)用于電動汽車設(shè)計(jì)中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率、減少散熱需求，從而增強(qiáng)汽車的充電效率和續(xù)航里程。

為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術(shù)基礎(chǔ)功能的全新SPICE代碼，實(shí)現(xiàn)了全新一代混合模式電路仿真。通過提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設(shè)計(jì)帶來更高的設(shè)計(jì)效率。

小結(jié)

從本屆展會三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展品來看，1200V和650V系列產(chǎn)品已占據(jù)SiC和GaN賽道C位，同時，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級產(chǎn)品邁進(jìn)，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應(yīng)用向高壓大功率發(fā)展趨勢。

以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體對于綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動作用也在日益顯現(xiàn)，能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當(dāng)前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h(yuǎn)景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲充、電力電子等場景和領(lǐng)域持續(xù)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機(jī)遇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-e展會匯聚了天科合達(dá)、萬年芯、南砂晶圓、爍科晶體、天域半導(dǎo)體、同光股份、先導(dǎo)集團(tuán)、普興電子、科友半導(dǎo)體、合盛新材料、集芯先進(jìn)、乾晶半導(dǎo)體、天成半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、致能科技、蓉矽半導(dǎo)體、鎵未來、宇騰電子、晶鎵半導(dǎo)體、芯三代、AIXTRON愛思強(qiáng)、漢虹精密、恒普技術(shù)、頂立科技、芯暉裝備、志橙半導(dǎo)體、高測股份、宇晶機(jī)器、創(chuàng)銳光譜、中宜創(chuàng)芯、九域半導(dǎo)體、納設(shè)智能、黃河旋風(fēng)、季華恒一、力凱數(shù)控、清軟微視、泰微科技、聯(lián)合精密、眾力為、中機(jī)新材、優(yōu)界科技等第眾多三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN領(lǐng)域最新技術(shù)和產(chǎn)品，彰顯了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展，各家廠商展品匯總?cè)缦拢?/p>

天科合達(dá)

本屆展會，天科合達(dá)帶來了高純導(dǎo)電SiC粉料、6英寸N型SiC晶錠、6英寸N型SiC襯底等產(chǎn)品。

目前，天科合達(dá)已形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長爐制造、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測和外延片制備等七大關(guān)鍵核心技術(shù)體系，覆蓋SiC材料生產(chǎn)全流程，形成一個研發(fā)中心、三家全資子公司和一家控股子公司的業(yè)務(wù)布局。

比亞迪半導(dǎo)體

本屆展會，比亞迪半導(dǎo)體帶來了IGBT晶圓及汽車功率模塊等產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年11月底，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。該項(xiàng)目總投資100億元，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤展示了6英寸SiC晶圓、6英寸SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

目前，泰科天潤的SiC產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，提供TO220、TO220全包封、T0220內(nèi)絕緣、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個領(lǐng)域。

世紀(jì)金芯

本屆展會，世紀(jì)金芯展示了SiC高純粉料、6/8英寸SiC晶錠/襯底等產(chǎn)品。

其中，世紀(jì)金芯帶來的SiC高純粉料純度可達(dá)99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶錠/襯底具有禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等特性。

今年4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元。

晶格領(lǐng)域

本屆展會，晶格領(lǐng)域帶來了3C-n型SiC襯底、4H-p型SiC襯底等產(chǎn)品。

其中，3C-n型SiC襯底具有更高的電子遷移率(3C-SiC，1100cm2/V·s；4H-SiC，900 cm2/V·s)，同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率；而4H-p型SiC襯底是利用液相法生長的p型SiC襯底，具有低電阻、高摻雜濃度高品質(zhì)等特點(diǎn)，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。

眾力為

本屆展會，眾力為展示了SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)、SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等產(chǎn)品。

其中，SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)采用高速DSP+總線控制+觸屏和PC軟控界面，實(shí)現(xiàn)測試前自動VF接觸性檢測，浪涌電流測試后通過反向電流檢測功能自動檢測DUT是否失效。

GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)基于QT開發(fā)的人機(jī)交互界面，所有測試條件均可界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)一鍵測試；采用光纖驅(qū)動信號通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)；設(shè)備帶有自動高溫加熱功能，溫度范圍為室溫-200℃，精度±0.1℃。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，SiC MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)控制器、OBC充電、直流充電樁，光伏/儲能逆變，工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等場景，具有功率密度高、效率高、損耗低等特點(diǎn)；GaN HEMT系列產(chǎn)品可應(yīng)用于PD快充、PC電源、通訊/數(shù)據(jù)中心電源等場景，損耗低、效率高、體積小。

高測股份

本次展會高測股份向外主推碳化硅切片和半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)。

據(jù)介紹，公司主推設(shè)備型號GC- SCDW8300型碳化硅切片機(jī)，大大提升切割效率及出片率，降低生產(chǎn)成本，對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%，成本降低26%。

source：高測股份

設(shè)備型號GC-SEDW812半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)，使用金剛線切割半導(dǎo)體單晶硅片的專用加工設(shè)備，可加工硅棒直徑兼容8寸、12 寸，最大加工長度450mm（晶向偏角≤4°）。

source：高測股份

優(yōu)界科技

優(yōu)界科技首次在國內(nèi)展出納米銀預(yù)燒結(jié)貼片機(jī)SiC-8Kpro。

該設(shè)備具備可應(yīng)用于銀膜、銀膏等有壓、無壓工藝，兼容2寸/4寸wafer，主要針對SiC、IGBT、射頻功率器件、大功率激光器等產(chǎn)品。

萬年芯

本屆展會，萬年芯帶來了SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊、超低內(nèi)阻SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

其中，SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強(qiáng)大的驅(qū)動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動電機(jī)的變頻器和各種逆變電源。

萬年芯超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，使用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，650V 系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐。TO247-4PHC封裝具有強(qiáng)大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），可用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

愛仕特

本屆展會，愛仕特展品范圍涵蓋650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其SiC MOSFET產(chǎn)品全系列采用6英寸晶圓量產(chǎn)，最高耐壓3300V，最低內(nèi)阻15毫歐，按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)測試，能夠滿足車規(guī)級要求。

森國科

本屆展會，森國科帶來了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊等系列產(chǎn)品。

森國科全SiC功率模塊包括MOSFET模塊以及肖特基二極管模塊，SiC MOSFET模塊采用主流的Easy 2B封裝,模塊擁有極小的反向恢復(fù)損耗，優(yōu)異的高溫特性，卓越的散熱能力，可以有效減小系統(tǒng)體積，提升整體效率，降低散熱要求，降低系統(tǒng)成本，降低電磁干擾。

森國科SiC肖特基二極管模塊采用第五代SiC芯片組，具有更低的損耗，在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，可以有效簡化系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)。

合盛新材

本屆展會，合盛新材展示了高純度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC雙面拋光襯底片等產(chǎn)品。

合盛新材高純度SiC原料純度不低于99.9999%，顆粒度精確可控；6英寸N型SiC外延片總?cè)毕菝芏瓤蛇_(dá)MOS級≤0.5/cm2，厚度均勻性≤2%，濃度均勻性≤4%；6英寸N型SiC雙面拋光襯底片微管密度可達(dá)≤0.1/cm2，BPD可控制在≤500/cm2，TSD可控制在≤100/cm2。

愛思強(qiáng)

本屆展會，愛思強(qiáng)展示了SiC外延CVD系統(tǒng)G10-SiC方案。

G10-SiC（source：愛思強(qiáng)）

據(jù)悉，G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月，自上市以來銷量持續(xù)保持增長，成為愛思強(qiáng)業(yè)績發(fā)展的一大強(qiáng)勁增長引擎，營收比重不斷提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列設(shè)備的銷量增長，愛思強(qiáng)實(shí)現(xiàn)總營收6.299億歐元，同比增長36%。其中，設(shè)備銷售額為5.323億歐元，占總營收比重從82%上升至85%。

科友半導(dǎo)體

本屆展會，科友半導(dǎo)體展示了6/8英寸SiC籽晶產(chǎn)品。

今年3月，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目合作。通過與俄羅斯N公司合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動SiC長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。

黃河旋風(fēng)

本屆展會，黃河旋風(fēng)展示了直徑為0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC單晶金剛石線產(chǎn)品，切割對象為2-8英寸絕緣型及導(dǎo)電型SiC單晶，適用于安永HW810等高速專用設(shè)備。

黃河旋風(fēng)在2022年研發(fā)成功并投放市場的第三代半導(dǎo)體SiC單晶切片專用線鋸，擁有較好的匹配性和較高的穩(wěn)定性。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列產(chǎn)品。其SiC MOSFET產(chǎn)品具有短路耐受時間＞3μs、柵氧化層長期可靠、導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗低、高雪崩耐量等特點(diǎn)，工作結(jié)溫達(dá)175℃；其SiC EJBS產(chǎn)品具有高抗浪涌電流能力、低正向?qū)▔航?、低反向漏電流、零反向恢?fù)電流等特點(diǎn)。

蓉矽半導(dǎo)體引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系統(tǒng)，晶圓測試階段引入WLTBI，在高溫/高應(yīng)力的作用下，有效篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過渡區(qū)域內(nèi)存在風(fēng)險的芯片，以確保SiC晶圓出廠質(zhì)量與可靠性符合行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。

九域半導(dǎo)體

本屆展會，九域半導(dǎo)體展示了方阻（電阻率）測試儀（片與錠）產(chǎn)品。

該設(shè)備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導(dǎo)體材料、石墨烯、透明導(dǎo)電膜、碳納米管、金屬等材料的方阻(電陽率)，可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。本儀器為非接觸、非損傷測試，具有測試速度快、重復(fù)性佳、測試敏感性高、可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。

同光股份

本屆展會，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高純半絕緣SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶錠等豐富多樣的SiC產(chǎn)品。

同光股份早在2014年就已經(jīng)有SiC單晶襯底面世，目前已經(jīng)攻克了高純SiC原料合成、晶型和結(jié)晶質(zhì)量控制、籽晶特殊處理等多個關(guān)鍵技術(shù)難題，掌握了高品質(zhì)、低缺陷SiC單晶襯底制備技術(shù)。

同光股份旗下設(shè)有三個工廠，分別是保定工廠一期、保定工廠二期和淶源工廠。這些工廠布局了完整的SiC襯底生產(chǎn)線，涵蓋了從原料合成、晶體生長、襯底加工到晶片檢測的全過程。

納設(shè)智能

本屆展會，納設(shè)智能展示了6/8英寸SiC外延設(shè)備方案，具備氣路獨(dú)立可控、工藝指標(biāo)優(yōu)異、機(jī)臺量產(chǎn)穩(wěn)定、NP型靈活切換等特點(diǎn)。

今年1月，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設(shè)備完成了所有生產(chǎn)和測試流程，順利出貨。

鎵仁半導(dǎo)體

本屆展會，鎵仁半導(dǎo)體展示了2/4/6英寸氧化鎵襯底、半絕緣型氧化鎵方形襯底、導(dǎo)電型氧化鎵方形襯底、非故意摻雜氧化鎵方形襯底等各類產(chǎn)品。

氧化鎵材料的高擊穿電壓及低導(dǎo)通電阻特性在功率電子器件方面有巨大應(yīng)用潛力，包括新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通、國家電網(wǎng)、空間應(yīng)用等。氧化鎵材料的禁帶寬度達(dá)到4.85eV，可見光波段透過率好，可應(yīng)用于日盲紫外探測、輻射探測等領(lǐng)域。此外，氧化鎵單晶與GaN的低失配特性，還適用于生長GaN材料制備高性能的射頻器件，從而在5G通信方面有重要應(yīng)用前景。

乾晶半導(dǎo)體

本屆展會，乾晶半導(dǎo)體展示了4/6英寸半絕緣SiC拋光片、6/8英寸導(dǎo)電型SiC拋光片、6英寸SiC肖基特二極管晶圓、TO-220封裝SiC二極管等眾多產(chǎn)品。

目前，乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC單晶及拋光片產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量供貨，8英寸產(chǎn)品可供小批量測試。

晶鎵半導(dǎo)體

本屆展會，晶鎵半導(dǎo)體展示了GaN自支撐襯底、GaN厚膜晶片等產(chǎn)品。其GaN單晶襯底主要應(yīng)用于藍(lán)綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。

晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，主要從事第三代半導(dǎo)體材料GaN單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是少數(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的GaN單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。

芯三代

本屆展會，芯三代展示了SiC外延設(shè)備方案及客戶外延片產(chǎn)品。

芯三代目前聚焦SiC等第三代半導(dǎo)體裝備，代表產(chǎn)品為用于大規(guī)模量產(chǎn)SiC外延生長的CVD設(shè)備，該設(shè)備產(chǎn)能≥1000片/月，通過工藝優(yōu)化，可超過1200片/月，外延規(guī)格為英寸時(兼容8英寸)，最高外延生長速率≥60微米/小時。

該設(shè)備擁有完全獨(dú)立的自主知識產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)創(chuàng)的進(jìn)氣方式、垂直氣流和溫場控制技術(shù)，輔以全自動上下料（EFEM）系統(tǒng)和高溫傳盤等手段，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、Co0成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。

爍科晶體

本屆展會，爍科晶體帶來了6/8英寸導(dǎo)電N型SiC襯底、8英寸導(dǎo)電N型SiC晶錠等各類產(chǎn)品。

爍科晶體通過多年自主創(chuàng)新先后完成 4、6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握SiC生長裝備制造、碳化硅粉料制備，N型及高純半絕緣SiC單晶襯底制備工藝，擁有SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

普興電子

本屆展會，普興電子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化鎵外延片等各類外延產(chǎn)品。

今年2月，普興電子官網(wǎng)信息顯示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評價信息公示。本項(xiàng)目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進(jìn)行改擴(kuò)建，建筑面積約4000平米，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

天域半導(dǎo)體

本屆展會，天域半導(dǎo)體主要展示了SiC外延片及相關(guān)襯底/器件模塊產(chǎn)品，包括6/8英寸SiC晶圓、6/8英寸SiC襯底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽車主驅(qū)模塊等。

天域半導(dǎo)體主要向下游客戶提供SiC外延片產(chǎn)品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。

鎵未來

本屆展會，鎵未來展示了6英寸硅基GaN晶圓和各類GaN封裝產(chǎn)品，適用于PD快充、適配器、驅(qū)動電源、逆變器等應(yīng)用場景。

據(jù)悉，戶外電源在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應(yīng)急救援等方面應(yīng)用廣泛，為了延長戶外電源的使用壽命和可靠性，特別是針對戶外作業(yè)對防水防塵的應(yīng)用要求，滿足市場對無風(fēng)扇戶外電源設(shè)計(jì)需求，鎵未來率先推出GaN大功率無風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺。

致能科技

本屆展會，致能科技帶來了6英寸硅基GaN晶圓以及各類應(yīng)用方案。

致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于GaN功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。

去年11月，致能科技首發(fā)1200V耗盡型（D-Mode）高可靠性GaN器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達(dá)到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。

天成半導(dǎo)體

本屆展會，天成半導(dǎo)體展示了導(dǎo)電型SiC粉料、導(dǎo)電型SiC晶錠、半絕緣型SiC晶錠、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底等產(chǎn)品。

天成半導(dǎo)體將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制備的高純SiC粉料，其純度高達(dá)99.9999%。

恒普技術(shù)

本屆展會，恒普技術(shù)展示了SiC長晶爐、碳化鉭涂層材料等產(chǎn)品。

其中，SiC長晶爐可實(shí)現(xiàn)多區(qū)域獨(dú)立控溫、長晶全周期溫度控制。碳化鉭涂層有助于提高SiC晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”核心技術(shù)方向之一。

中宜創(chuàng)芯

本屆展會，中宜創(chuàng)芯展示了眾多類型的SiC粉料、SiC晶錠以及SiC襯底產(chǎn)品。

其SiC半導(dǎo)體粉體產(chǎn)品主要分為摻氮SiC粉體、不摻氨SiC粉體、半絕緣SiC粉體和立方SiC粉體四大類，產(chǎn)品純度最高達(dá)到7N級，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作為SiC半導(dǎo)體原料，廣泛用于SiC單晶生長。

頂立科技

本屆展會，頂立科技展示了高溫石墨化爐、化學(xué)氣相沉積爐等設(shè)備。

其中，化學(xué)氣相沉積爐是制備高性能碳基、陶瓷基復(fù)合材料的關(guān)鍵設(shè)備，頂立科技突破了大型沉積裝備溫場/流場均勻控制、智能壓力調(diào)控、腐蝕性液體氣化及精確傳送/進(jìn)給、尾氣處理等一系列關(guān)鍵技術(shù)，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉積裝備設(shè)計(jì)及制造相關(guān)的全套技術(shù)，打破了國內(nèi)只能生產(chǎn)小尺寸設(shè)備的局面，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

季華恒一

本屆展會，季華恒一展示了快速退火爐、高溫外延爐、離子注入機(jī)等設(shè)備。

季華恒一專注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、激光退火系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、真空鍍膜系統(tǒng)等裝備。

創(chuàng)銳光譜

本屆展會，創(chuàng)銳光譜展示了SiC少子壽命質(zhì)量成像檢測系統(tǒng)、SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)等設(shè)備。

其中，SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)為SiC襯底位錯缺陷專用檢測設(shè)備，可全面替代堿液蝕刻（有損）檢測方式，AI精準(zhǔn)識別BPD、TSD、TED，準(zhǔn)確率＞90%。

中機(jī)新材

本屆展會，中機(jī)新材帶來了SiC襯底粗磨液、SiC襯底精磨液、SiC襯底粗拋液、SiC襯底精拋液等系列產(chǎn)品。

據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。而中機(jī)新材首創(chuàng)的團(tuán)聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點(diǎn)。

飛仕得

本屆展會，飛仕得帶來了SiC器件動態(tài)偏壓可靠性設(shè)備ME100DHTXB。

該設(shè)備實(shí)現(xiàn)DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一體三種功能，同時可兼容HTGB、HTRB功能；每個抽屜獨(dú)立，匹配獨(dú)立電源，不同抽屜可實(shí)現(xiàn)不同條件、不同封裝器件同步老化；一個柜體內(nèi)置5個抽屜，最多可配4個柜體；不同柜體任意選配DHTGB/DHTRB，增加不同封裝器件老化，新增對應(yīng)抽屜即可，無需再次購買整個設(shè)備。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

中環(huán)領(lǐng)先

本屆展會，中環(huán)領(lǐng)先帶來了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等產(chǎn)品。

據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

先導(dǎo)集團(tuán)

本屆展會，先導(dǎo)集團(tuán)旗下先為科技帶來了GaN MOCVD外延設(shè)備和SiC外延設(shè)備。

其中，BrillMO系列MOCVD系統(tǒng)適用于6英寸和8英寸功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的溫場和流場設(shè)計(jì),具有成膜質(zhì)量高、產(chǎn)能高、使用成本低等優(yōu)勢,為GaN外延加工提供完備的解決方案。

BriSCore系列CVD系統(tǒng)采用創(chuàng)新的批量式腔體設(shè)計(jì),可同時加工15片6英寸晶圓，適用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延設(shè)備具有產(chǎn)能表現(xiàn)優(yōu)異、使用成本低等優(yōu)勢，為SiC外延加工提供量產(chǎn)解決方案。

南砂晶圓

本屆展會，南砂晶圓帶來了6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶棒、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底片系列產(chǎn)品。

南砂晶圓產(chǎn)品以8英寸、6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。南砂晶圓生產(chǎn)的8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的TSD、MPD和SF可達(dá)到0，BPD≤200cm﹣2。

邁為股份

本屆展會，邁為股份帶來了8英寸SiC研磨設(shè)備。

邁為股份于2010年9月成立，是一家集機(jī)械設(shè)計(jì)、電氣研制、軟件開發(fā)、精密制造于一體的高端裝備制造商，公司面向太陽能光伏、顯示、半導(dǎo)體三大行業(yè)，研發(fā)、制造、銷售智能化高端裝備，主要產(chǎn)品包括全自動太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線、異質(zhì)結(jié)高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/Micro LED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，此次上海光伏展，三安半導(dǎo)體、士蘭微、鍇威特、基本半導(dǎo)體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導(dǎo)體、飛锃半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體、宏微科技、矽迪半導(dǎo)體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品，應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車、光儲充、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。

三安半導(dǎo)體

本次展會，三安半導(dǎo)體帶來了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會現(xiàn)場，三安半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了8英寸SiC晶圓，以及可應(yīng)用在光伏逆變器、儲能變流器、充電樁電源模塊等領(lǐng)域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET，包含多種封裝類型及規(guī)格型號。

士蘭微

本次光伏展，士蘭微展示了應(yīng)用于光伏場景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中，士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標(biāo)已達(dá)到國際先進(jìn)水平，并同時研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲能逆變器應(yīng)用場景。

華潤微

本次展會，華潤微重點(diǎn)展示了SiC MOS模塊。

source：華潤微

華潤微展示的SiC MOS模塊可應(yīng)用于電動汽車充電器、太陽能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)和牽引驅(qū)動器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車載OBC、汽車主驅(qū)等領(lǐng)域，具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點(diǎn)。

鍇威特

本次展會，鍇威特帶來了超結(jié)MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中，鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品，結(jié)合先進(jìn)的薄片技術(shù)和抗浪涌技術(shù)，在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r，仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設(shè)計(jì)及規(guī)范的產(chǎn)品管控，使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴(yán)苛工況下，在650-1200V電壓等級滿足各種應(yīng)用需求。

同時，鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET，立足于6英寸SiC功率芯片工藝線，優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)和柵氧工藝，產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無源器件的尺寸，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動電壓，最高結(jié)溫高達(dá)175℃。

基本半導(dǎo)體

此次展會，基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級SiC功率模塊Pcore 2 E1B、工業(yè)級SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列SiC二極管、門極驅(qū)動芯片、功率器件驅(qū)動器等產(chǎn)品亮相。

其中，基本半導(dǎo)體展出的Pcore 2 E1B工業(yè)級SiC半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會，杰平方半導(dǎo)體帶來了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品，展示了杰平方半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實(shí)力。

芯聯(lián)集成

本次展會，芯聯(lián)集成帶來了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗；高可靠性，通過車規(guī)級驗(yàn)證；參數(shù)一致性好，良率高等特點(diǎn)。在工業(yè)控制方面，可應(yīng)用于光伏、儲能、充電樁、輸配電等場景；在汽車電子方面，可應(yīng)用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導(dǎo)體

本次展會，瑞能半導(dǎo)體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導(dǎo)體

此次展會，飛锃半導(dǎo)體帶來了一系列創(chuàng)新成果，涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品，以及在光伏儲能、新能源汽車等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其中，飛锃半導(dǎo)體針對新能源汽車的創(chuàng)新應(yīng)用方案，利用車規(guī)級1200V與650V SiC MOSFET，為智能汽車打造安全、高效、智能的核心動力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會，宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風(fēng)光儲功率器件產(chǎn)品，具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能，能夠滿足新能源行業(yè)對高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外，宏微科技的風(fēng)光儲功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性，可廣泛應(yīng)用于太陽能光伏電站、風(fēng)力發(fā)電站、儲能系統(tǒng)等場景。

矽迪半導(dǎo)體

本次展會，矽迪半導(dǎo)體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案，包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等，可應(yīng)用于光伏逆變器、儲能逆變器、工業(yè)電源等場景。

阿基米德半導(dǎo)體

本次展會，阿基米德半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器、儲能PCS、新能源汽車等領(lǐng)域。

其中，對于215KW儲能，現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案，助力縮小產(chǎn)品體積，提升功率密度，同時集成SiC器件，大幅度降低了功率損耗，提升了充放電效率，模塊滿載效率高達(dá)99%。

派恩杰

本次展會，派恩杰半導(dǎo)體帶來了SiC功率器件、芯片設(shè)計(jì)路線以及1700V高壓器件應(yīng)用方案等系列產(chǎn)品，為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

其中，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車，IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會，蘇州固锝帶來了光伏旁路二極管在太陽能面板集線盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場的應(yīng)用方案。

除上述SiC功率器件廠商外，連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機(jī)電、宇晶股份、先導(dǎo)智能、微導(dǎo)納米、高測股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設(shè)備相關(guān)廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相，這些廠商將共同推動SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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國內(nèi)企業(yè)

本屆PCIM展會，多家國內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導(dǎo)體、士蘭微、基本半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、芯聚能等，其中，部分廠商亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

01、三安半導(dǎo)體

在本次PCIM Europe上，三安以“推動低碳化和電氣化”為主旨，展示其在功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新產(chǎn)品如何賦能綠色低碳和電氣化轉(zhuǎn)型。

source：PCIM

三安通過展出豐富的功率產(chǎn)品矩陣，全面展示了其強(qiáng)大的垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，從批量SiC晶錠生長到一流的分立封裝、集成模塊解決方案和應(yīng)用。產(chǎn)品與服務(wù)覆蓋8吋/6吋SiC晶錠、8吋/6吋SiC襯底、8吋/6吋SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及車規(guī)級SiC功率模塊代工，其中器件包含十余種封裝類型和數(shù)十個規(guī)格型號的產(chǎn)品。

02、英諾賽科

英諾賽科在PCIM展會上展示多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品，以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。

英諾賽科展示了多形態(tài)產(chǎn)品組合，包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片（SolidGaN）和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN）。同時也將采用InnoGaN的多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案一一呈現(xiàn)，展示氮化鎵技術(shù)帶來的進(jìn)步，讓電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案“更快，更小，更輕，更環(huán)保，更高效，性價比更高”。

source：英諾賽科

03、士蘭微電子

士蘭微此次全面展示車規(guī)級功率器件、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種應(yīng)用于汽車、新能源、白電、工業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)品和應(yīng)用方案。

source：PCIM

04、基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體此次在展會上，正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規(guī)級碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品。

source：PCIM

05、派恩杰半導(dǎo)體

此次展會上，派恩杰半導(dǎo)體帶來了最新車規(guī)級封裝產(chǎn)品及更小的比導(dǎo)通電阻展品。

source：派恩杰半導(dǎo)體

派恩杰半導(dǎo)體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封裝系列產(chǎn)品，涵蓋多種電路拓?fù)?，SiC MOSFET和SiCSBD模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏發(fā)電、白色家電、射頻電源等領(lǐng)域。

此外，結(jié)合銀燒結(jié)和CuClip鍵合技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體自主開發(fā)了車規(guī)級塑封半橋HEPACK封裝，可有效降低新能源汽車能耗等級。

對于HPD模塊，引入了銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體正積極布局1200V600A乃至800A高功率模塊。

06、瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù)，以及諸如1200V碳化硅功率模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復(fù)二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應(yīng)用于工業(yè)，汽車，消費(fèi)電子等領(lǐng)域的功率器件。

source：PCIM

SiC產(chǎn)品中，全新系列的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用 TSPAK 封裝的，適用于電動汽車充電、車載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度PSU應(yīng)用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四種型號，電阻范圍從20mΩ到150mΩ。新型SiC SBD的電流范圍為10至40A（650V、750V和1200V）。

全新SiC功率模塊包含半橋、四組、六組、雙增壓和NPC 3L拓?fù)涞?SiC 功率模塊，主要針對于電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測試儀器和光伏逆變器。

瑞能半導(dǎo)體全新的1700V SiC 技術(shù)& 汽車級1200V / 750V車規(guī)SiC MOSFET提供多種封裝選項(xiàng)和產(chǎn)品配置，包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻，實(shí)現(xiàn)可再生能源和電動汽車的高功率、高密度設(shè)計(jì)。

07、中車時代半導(dǎo)體

中車時代半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Europe德國紐倫堡展會。
據(jù)介紹，采用中車第五代TMOS高壓溝槽柵、第二代SiC平面柵芯片、AISiC基板、AIN襯板，具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點(diǎn)，可滿足車輛頻繁啟停和長距離可靠性運(yùn)行的需求，批量應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域。

source：PCIM

08、安世半導(dǎo)體

在功率場效應(yīng)晶體管(FET)方面，Nexperia展示了首款H橋配置的SMD SiC MOSFET，產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的R DS(on)溫度穩(wěn)定性；以及用于對E型GaN FET開關(guān)性能進(jìn)行基準(zhǔn)測試的半橋評估板。

source：PCIM

09、芯聚能半導(dǎo)體

芯聚能車規(guī)級模塊為800V新能源汽車平臺進(jìn)一步釋放了SiC高溫高速特性，實(shí)現(xiàn)了超低熱阻、拓展了工作范圍；具有高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、高功率循環(huán)壽命、高溫度沖擊穩(wěn)定性。

source：PCIM

10、忱芯科技

忱芯科技展出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC動態(tài)測試系統(tǒng)以及動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，并提供現(xiàn)場的測試演示。公司也已推出用于CP階段和KGD階段測試的晶圓級動態(tài)可靠性(WLR)測試系統(tǒng)及裸芯片KGD測試系統(tǒng)。

source：PCIM

11、利普思半導(dǎo)體

PCIM Europe 2024現(xiàn)場，利普思發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊（LPS-Pack系列）。據(jù)悉，該系列模塊是為滿足某海外知名車企差異化需求而開發(fā)的新品。

source：利普思

12、安建科技

此次展會上安建展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的多款功率器件。

source：PCIM

13、賽晶科技

賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe，芯片采用頂部金屬化，以便進(jìn)行鍵合或者DTS，靜態(tài)性能匹配先進(jìn)的汽車MOSFET產(chǎn)品性能需求，動態(tài)開關(guān)性能適用于EVD和HEEV模塊的應(yīng)用，具有高可靠性、高魯棒性。

source：賽晶科技

14、富樂華半導(dǎo)體

富樂華攜手富樂華歐洲團(tuán)隊(duì)、日本團(tuán)隊(duì)對功率半導(dǎo)體行業(yè)的封裝基板做了全方位的展示，分享了公司最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，產(chǎn)品陣容涵蓋了適用于IGBT、SiC-MOSFET和其他可用于電動汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的覆銅陶瓷基板。

source：PCIM

15、卓爾半導(dǎo)體

卓爾半導(dǎo)體專注于研發(fā)碳化硅塑封模塊專用設(shè)備，主營芯片分選機(jī)、塑封自動化、切筋成型、激光去膠打標(biāo)等。

source：PCIM

16、飛仕得科技

本次展會飛仕得展出SiC應(yīng)用一站式解決方案，包括電源、驅(qū)動解決方案、功率模組及測試設(shè)備。并發(fā)布新一代多并聯(lián)驅(qū)動解決方案、新一代SiC器件動態(tài)測試設(shè)備等多款新品。

source：PCIM

17、悉智科技

悉智科技此次帶來旗下SiC封裝產(chǎn)品出席展會，其中自主研發(fā)的塑封SiC DCM模塊獲得海外客戶關(guān)注。

source：悉智科技

國外企業(yè)

海外市場方面， Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機(jī)、納微半導(dǎo)體、CGD等悉數(shù)亮相，看點(diǎn)頗多，部分企業(yè)的亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

18、Wolfspeed

Wolfspeed多位工程師在PCIM Europe 2024上發(fā)表演講，內(nèi)容涵蓋電動汽車電氣化、電動汽車實(shí)現(xiàn)、可再生能源賦能到電機(jī)驅(qū)動以及公司最新的SiC技術(shù)。

source：PCIM

19、羅姆

ROHM向外展示了其新的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM的SiC、Si和GaN產(chǎn)品組合專注于電動汽車和電源應(yīng)用，旨在滿足各個行業(yè)的需求。

source：PCIM

SiC方面，ROHM在PCIM Europe 2024上首次推出用于汽車應(yīng)用的新型SiC 功率模塊。除此之外，ROHM 還展示了其生產(chǎn)的8英寸SiC 晶圓，并透露了有關(guān)其SiC產(chǎn)品開發(fā)的愿景。

ROHM的第四代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻水平，最大限度地降低了開關(guān)損耗，并支持15V和18V柵極源電壓。

GaN方面，ROHM展示了EcoGaN系列150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示其EcoGaN 系列的10多塊電路板，并介紹它們在工業(yè)解決方案中的作用。

20、英飛凌

英飛凌此次向外展示了業(yè)界廣泛的電力電子產(chǎn)品組合，涵蓋硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 相關(guān)的電力技術(shù)。

source：PCIM

寬帶隙技術(shù)方面：英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC MOSFET 650V和1200V。此外，其還展示擴(kuò)展的GaN解決方案組合，提供各種創(chuàng)新封裝、分立和集成解決方案。
信息和通信技術(shù)：英飛凌展示了包括Si、SiC和GaN電源開關(guān)在內(nèi)的尖端解決方案，以滿足服務(wù)器技術(shù)和電信網(wǎng)絡(luò)不斷發(fā)展的需求。

21、意法半導(dǎo)體

此次意法半導(dǎo)體帶來了GaN在電源中的應(yīng)用方案、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC電源模塊等產(chǎn)品。

source：PCIM

22、賀利氏

賀利氏在展會上向外呈現(xiàn)PE360模塊焊接燒結(jié)漿料和無銀活性金屬釬焊氮化硅基板（AMB-Si3N4）等尖端創(chuàng)新產(chǎn)品，并展示旗下功率模塊封裝方案。

source：PCIM

23、納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體此次主要技術(shù)更新和發(fā)布包括GaNSafe、Gen-4 GaNSense半橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率FET。

source：PCIM

24、PI電源

PI電源分享其在AC-DC轉(zhuǎn)換、柵極驅(qū)動器、電機(jī)驅(qū)動器和汽車解決方案方面的最新創(chuàng)新。

source：PCIM

25、IV Works

在此次展會上，IV Works向外展示了GaN作為高壓應(yīng)用解決方案的材料創(chuàng)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區(qū)域再生技術(shù)。

source：PCIM

結(jié)語

本次PCIM上，能明顯感受到國內(nèi)出海企業(yè)增多，從側(cè)面反映出不少三代半企業(yè)已將目光從國內(nèi)市場轉(zhuǎn)移至全球市場。對于國內(nèi)三代半廠商而言，國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后，拓展海外市場也更加從容。

隨著國內(nèi)三代半企業(yè)的出海動作開展，競爭更加激烈的同時，行業(yè)會更加多元化，產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)整合的步伐也將加快，有助于推動行業(yè)的全球化發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。（來源：PCIM官方、各公司、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司、北方華創(chuàng)、迪思科（DISCO）、日本真空技術(shù)株式會社（ULVAC JAPAN LTD）、Centrothern、PVA TePla、昂坤視覺等，覆蓋了MOCVD、離子注入、襯底片、外延片、功率器件等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕表示，本次SEMICON China 2024展會以設(shè)備、材料為主，重點(diǎn)包括半導(dǎo)體設(shè)備零部件、設(shè)備整機(jī)、電子化學(xué)品、高純氣體、晶圓原材料等，其中可以發(fā)現(xiàn)許多國產(chǎn)廠商的身影，特別是在真空閥門、流體控制系統(tǒng)、電源系統(tǒng)等設(shè)備零部件領(lǐng)域，以及光刻膠等電子化學(xué)品等領(lǐng)域。另外，化合物半導(dǎo)體是本次展會的一大重點(diǎn)，包括碳化硅襯底片、外延片及設(shè)備材料等領(lǐng)域，這也與近年來電動汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展緊密相關(guān)。

總體來看，第三代半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備壁壘較高，國際廠商依舊占據(jù)較大市場。材料上國產(chǎn)廠商則取得了長足進(jìn)展，如天岳先進(jìn)、天科合達(dá)成功打入全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場前十榜單。

一、材料：8英寸產(chǎn)品不斷開出，國產(chǎn)替代卓有成效

展會現(xiàn)場展出了許多半導(dǎo)體材料，如美科瑞先進(jìn)材料帶來了多款拋光液，容大感光、科華、寧波南大光電均展出了光刻膠等材料，第三代半導(dǎo)體材料廠商也非常多，天岳先進(jìn)攜其高品質(zhì)6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相展會；天科合達(dá)則公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品；天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品；同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底；中電科半導(dǎo)體材料則攜山西爍科、河北普興、南京國盛電子的硅基氮化鎵外延、碳化硅單晶襯底、碳化硅外延、硅外延等多款產(chǎn)品參展；中環(huán)領(lǐng)先也在現(xiàn)場展示了其外延片產(chǎn)品；賀利氏則現(xiàn)場展示了碳化硅封裝材料；南京百識電子則帶來了碳化硅外延片；中機(jī)新材則展示了SiC襯底輔助材料。

Resonac

Resonac前身是昭和電工（Showa Denko）2020年，Showa Denko收購了規(guī)模更大的日立化成（Hitachi Chemical）后正式組建了Resonac化學(xué)品集團(tuán)。本次其主要是帶來了半導(dǎo)體材料的解決方案。2023年2月消息，英飛凌與Resonac Corporation簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在碳化硅材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。今年1月中旬消息，Resonac CEO Hidehito Takahashi正在準(zhǔn)備對日本分散的芯片材料行業(yè)進(jìn)行新一輪整合，并表示這家化學(xué)品制造商可能會出手收購關(guān)鍵公司JSR的股份。

山東天岳先進(jìn)

天岳先進(jìn)長期專注碳化硅襯底研發(fā)，目前該公司已實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型襯底、4-6英寸半絕緣型襯底等產(chǎn)品的規(guī)?；?yīng)。目前該公司在8英寸產(chǎn)品上也已經(jīng)在加速布局，用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底更是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。2023年，天岳先進(jìn)在導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能和規(guī)模化供應(yīng)能力上持續(xù)展現(xiàn)超預(yù)期成果。其碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)全面達(dá)產(chǎn)，屆時6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達(dá)到30萬片。天岳先進(jìn)品牌負(fù)責(zé)人表示，在全球前十大功率半導(dǎo)體廠商中，有一半已經(jīng)建立合作關(guān)系。

天科合達(dá)

天科合達(dá)公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品，其中8英寸產(chǎn)品包括N形SiC襯底、SiC外延片等，并現(xiàn)場披露了直徑、晶型、厚度等相關(guān)參數(shù)。2023年5月，天科合達(dá)與英飛凌簽訂了一份長期協(xié)議，其將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品的6英寸碳化硅襯底和晶錠，其供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。根據(jù)該協(xié)議，第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料的供應(yīng)，但天科合達(dá)也將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸晶圓過渡。

2023年8月，天科合達(dá)全資子公司江蘇天科合達(dá)碳化硅襯底二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工。據(jù)悉，江蘇天科合達(dá)二期項(xiàng)目將新增16萬片碳化硅襯底產(chǎn)能，并計(jì)劃今年6月建設(shè)完成，8月竣工投產(chǎn)，屆時江蘇天科合達(dá)總產(chǎn)能將達(dá)到23萬片。

天域半導(dǎo)體

此次展會現(xiàn)場，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片、SiC MOS管等產(chǎn)品。官方表示，公司于2021年開始了8英寸的技術(shù)儲備，于2023年7月進(jìn)行了8英寸外延片的產(chǎn)品的小批量送樣；超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明8英寸SiC外延水平與6英寸外延水平相當(dāng)。

天成半導(dǎo)體

天成半導(dǎo)體已完成6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，在本次展會展出了8寸導(dǎo)電型SiC襯底。據(jù)悉，新開發(fā)的6英寸導(dǎo)電型SiC襯底部分TSD缺陷密度低至0個/cm2，部分致命性缺陷BPD則低至32個/cm2；而在量產(chǎn)過程中，可以做到65%的襯底產(chǎn)品TSD＜100個/cm2、BPD＜100個/cm2。

中電科材料

山西爍科、河北普興、南京國盛電子均為中電科半導(dǎo)體材料的子公司。展會中，山西爍科展示6/8英寸N型及高純半絕緣型SiC襯底產(chǎn)品，重點(diǎn)展示了350微米厚8英寸碳化硅襯底。其主營產(chǎn)品包含高純半絕緣碳化硅單晶襯底、N型碳化硅單晶襯底、碳化硅晶體等。據(jù)悉，其4英寸高純半絕緣碳化硅襯底國內(nèi)市場占有率超50%，6英寸N型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，公司還是國內(nèi)第一家生產(chǎn)出8英寸N型碳化硅襯底和8英寸高純半絕緣碳化硅襯底的公司，產(chǎn)業(yè)規(guī)模及工藝技術(shù)達(dá)國際先進(jìn)水平。

本次展會上，國盛電子則展示了其8英寸Si和氮化鎵外延片，去年12月22日，國盛電子南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。據(jù)悉，該公司擁有LPE、Gemini等公司生產(chǎn)的多種型號外延爐，主要產(chǎn)品包含列從3英寸到8英寸的P型和N型外延片，產(chǎn)能為8萬片/月(4英寸等效)。

普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。作為國內(nèi)外延材科領(lǐng)先企業(yè)，普興電子主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、碳化硅外延片，據(jù)悉其大尺寸650V-6500V SiC 外延片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

中環(huán)領(lǐng)先

中環(huán)領(lǐng)先攜4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等全產(chǎn)品系列亮相展會，其中展示了6/8英寸SiC、GaN外延片。據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

賀利氏

賀利氏（Zadient）現(xiàn)場展示了包括燒結(jié)膏、銅線、大面積燒結(jié)技術(shù)乃至Die Top System(DTS)材料系統(tǒng)在內(nèi)的完整解決方案，可覆蓋新一代碳化硅功率模塊封裝的各類工程需求。2023年11月，賀利氏宣布收購了一家初創(chuàng)企業(yè)Zadient Technologies，宣告進(jìn)入碳化硅粉料和碳化硅晶錠生長領(lǐng)域。據(jù)悉，Zadient成立于2020年，是一家法德合資的碳化硅源粉廠商，不同于國內(nèi)主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通過化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝生產(chǎn)高純度碳化硅源材料。

河北同光股份

同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底。據(jù)悉，該公司主要產(chǎn)品包括導(dǎo)電型、半絕緣型碳化硅襯底。目前，同光股份已掌握碳化硅晶體規(guī)?；慨a(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，引進(jìn)了國內(nèi)外先進(jìn)襯底加工及檢測設(shè)備，全面導(dǎo)入和推行ISO9001、IATF16949質(zhì)量管理體系，形成了專業(yè)、先進(jìn)、完整、穩(wěn)定的碳化硅襯底生產(chǎn)線。

南京百識電子

展會上，百識電子展示了其6-8英寸第三代半導(dǎo)體外延產(chǎn)品。百識電子成立于2019年8月，主要生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵蓋功率以及射頻微波等應(yīng)用。

深圳中機(jī)新材

深圳中機(jī)新材攜碳化硅晶圓切磨拋耗材方案中的大部分樣品來到展會，中機(jī)新材是一家專注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)。尤其在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域，公司取得多項(xiàng)關(guān)鍵性技術(shù)突破。

二、設(shè)備：龍頭企業(yè)頗多，國產(chǎn)設(shè)備廠商加速追趕

展會現(xiàn)場許多全球知名設(shè)備廠商現(xiàn)場展出了其代表性產(chǎn)品，如晶盛機(jī)電、中微公司、愛發(fā)科等等。

3月20日，SEMI也公布了其最新一季度的半導(dǎo)體設(shè)備報告，報告顯示全球 12 英寸晶圓廠（前端）設(shè)備投資將于明年突破千億美元大關(guān)，而在 2027 年將達(dá)創(chuàng)紀(jì)錄的 1370 億美元（約 9864 億元人民幣）。據(jù)悉，2025 年全球 12 英寸晶圓廠的設(shè)備投資將較今年大增 20%，漲幅將創(chuàng) 2021 年以來的新高；而在 2026 和 2027 年將分別增長 12% 和 5%。SEMI 表示，半導(dǎo)體行業(yè)前端設(shè)備投資的增加得益于多重因素，包括存儲領(lǐng)域市場的復(fù)蘇和對高性能計(jì)算（HPC）和汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求。

晶盛機(jī)電

本次展會中，晶盛機(jī)電發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測設(shè)備、12英寸全自動減薄拋光設(shè)備三款新品。據(jù)悉，該公司圍繞“先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)深化“裝備+材料”的協(xié)同產(chǎn)業(yè)布局。在集成電路用大硅片領(lǐng)域，為行業(yè)提供整體設(shè)備解決方案；在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司聚焦6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化，致力于從長晶-切磨拋-外延全鏈條設(shè)備的國產(chǎn)替代；在先進(jìn)制程領(lǐng)域，圍繞CVD等核心設(shè)備進(jìn)行研發(fā)，延伸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高端裝備產(chǎn)品布局，堅(jiān)持“強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈”推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)是我國設(shè)備龍頭企業(yè)，也是目前唯一的平臺級半導(dǎo)體設(shè)備廠商（設(shè)備類型覆蓋ICP刻蝕（ICP+CCP）、沉積設(shè)備（PVD+CVD+ALD）、清洗、氧化、退火、MFC（氣體流量質(zhì)量控制器）等）。此次展會，北方華創(chuàng)亮相了SiC系列設(shè)備產(chǎn)品，覆蓋長晶、外延等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

從近五年財(cái)報數(shù)據(jù)看，北方華創(chuàng)從2019年的40.58億元營收成長為2023年的220億元（2023年預(yù)計(jì)營收在210~230億元間，取中位），CAGR（年復(fù)增長率）為52.6％。凈利潤從3.09億元成為至38.80億元（2023年預(yù)計(jì)營收在210~230億元間，取中位），CAGR為88.2％。毛利率穩(wěn)定在35％~45％間，并呈現(xiàn)上升趨勢。

中微公司

中微公司重點(diǎn)發(fā)展刻蝕（CCP與ICP）、物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積三大類設(shè)備。此外，公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備也取得了良好進(jìn)展，2024年將會陸續(xù)進(jìn)入市場。

大族半導(dǎo)體

大族半導(dǎo)體在本次展會中展示了最新研發(fā)的全自動激光全切機(jī)，并首次公開展出工業(yè)級多波段脈沖激光器、100W飛秒激光器等。碳化硅領(lǐng)域，大族半導(dǎo)體主要帶來SiC 晶錠激光切片設(shè)備、SiC激光退火設(shè)備等產(chǎn)品。據(jù)悉，大族半導(dǎo)體主研應(yīng)用于硅、SiC、砷化鎵、GaN等材料的加工工藝，并一直致力開發(fā)性能優(yōu)異的碳化硅切割解決方案。

昂坤視覺

本次展會，昂坤視覺帶來了旗下最新的化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測方案。公開資料顯示，昂坤視覺成立于2017年，是一家光學(xué)測量及檢測設(shè)備生產(chǎn)商，產(chǎn)品國際聞名。其致力于為化合物半導(dǎo)體光電和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學(xué)測量和光學(xué)檢測設(shè)備及解決方案，現(xiàn)有產(chǎn)品包括MOCVD在線監(jiān)測設(shè)備、LED照明缺陷檢測設(shè)備、化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測設(shè)備及集成電路缺陷檢測設(shè)備等。

特思迪

北京特思迪本次展示了最新的減薄、拋光、CMP設(shè)備產(chǎn)品。去年10月末消息，特思迪完成B輪融資，其研發(fā)出的8英寸碳化硅全自動減薄設(shè)備目前已投入市場，8英寸雙面拋光設(shè)備已通過工藝測試進(jìn)入量產(chǎn)階段。

愛發(fā)科（ULVAC）

愛發(fā)科本次帶來了先進(jìn)綜合真空解決方案。其總部位于日本，以真空技術(shù)為核心，F(xiàn)PD平板顯示制造及PV光伏產(chǎn)業(yè)制造設(shè)備、半導(dǎo)體及電子部品制造設(shè)備、濺射靶材材料、先端材料等為主要業(yè)務(wù)。此前消息顯示，愛發(fā)科在第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)域中的設(shè)備類型有SiC功率半導(dǎo)體器件中的離子注入、濺射、刻蝕及蒸鍍設(shè)備；GaN HEMT領(lǐng)域則有uGmni系列干法刻蝕設(shè)備等。

迪思科（DISCO）

日本半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)迪思科主要在“切、削、磨”技術(shù)方面具有優(yōu)勢。據(jù)悉，迪思科的設(shè)備類型非常廣泛，不僅是通用產(chǎn)品，還致力于開發(fā)HBM、使用電力效率高的碳化硅（SiC）晶圓的功率半導(dǎo)體等。行業(yè)消息顯示，DISCO推出的全新的SiC(碳化硅)切割設(shè)備，可將碳化硅晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。據(jù)悉，由于碳化硅的硬度僅次于金剛石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割難度較大。

德國Centrothern

centrotherm是總部位于德國，是全球領(lǐng)先的熱處理設(shè)備供應(yīng)商，已有70多年的高溫?zé)崽幚砑夹g(shù)的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。此次展會，centrotherm主要展示了快速熱退火、高溫?zé)嵫趸仍O(shè)備。此前行業(yè)消息顯示，centrotherm2021年8英寸碳化硅爐管設(shè)備建立了較為成熟的設(shè)備平臺體系，其三種熱處理設(shè)備（柵極氧化爐、退火爐、快速熱處理）均可兼容6/8英寸。

德國PVA TePla

德國 PVA TePla是全球碳化硅設(shè)備行業(yè)隱形冠軍，其主要產(chǎn)品是大尺寸硅晶體以及6寸、8寸碳化硅晶體材料生長設(shè)備，在本次展會中德國 PVA TePla 向業(yè)界展示了多款前沿技術(shù)產(chǎn)品，

并帶來了為中國市場定制的碳化硅晶體生長設(shè)備“SICN”，其采用的是物理氣象傳輸工藝PVT法生產(chǎn)碳化硅晶體，預(yù)計(jì)計(jì)劃今年二季度投入市場。

PVA TePla推出的SICN新品優(yōu)勢

上海邦芯半導(dǎo)體

上海的邦芯半導(dǎo)體主要為客戶提供全方位的解決方案，本次展會中邦芯半導(dǎo)體在化合物端帶來的設(shè)備主要是HongHu TSG150W/200WD，用于6/8英寸功率半導(dǎo)體工藝WCVD設(shè)備。HongHu Lvory 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝ICP刻蝕設(shè)備。HongHu Coral 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝CCP刻蝕設(shè)備。

思銳智能

本次展會，青島思銳智能帶來了離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相，今年3月1日，青島四方思銳智能技術(shù)有限公司宣布完成了數(shù)億元B輪融資。思銳智能聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。目前，思銳智能已形成“雙主業(yè)”布局，公司產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備。廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

杭州西湖儀器

杭州西湖儀器成立于2021年12月主營SiC碳化硅襯底激光切片及剝離設(shè)備。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要有SiC襯底激光切片、剝離設(shè)備，并有SiC激光平坦化、激光檢測、激光劃片設(shè)備、激光拋光設(shè)備正在研發(fā)中。

來源：全球半導(dǎo)體觀察

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據(jù)TrendForce集邦咨詢了解到，此次展會，意法半導(dǎo)體、瀚薪科技、泰科天潤、愛仕特、華潤微電子、飛锃半導(dǎo)體、芯導(dǎo)科技、國星光電、蓉矽半導(dǎo)體、銀河微電、應(yīng)能微電子、美浦森半導(dǎo)體、翠展微電子、中瑞宏芯等企業(yè)攜旗下SiC和GaN的新研發(fā)成果和先進(jìn)技術(shù)亮相，面向工業(yè)、能源、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

芯導(dǎo)科技

本次展會，芯導(dǎo)科技帶來了多種GaN和SiC功率器件。

SiC方面，公司展示了650V/1200V/1700V SiC MOSFET和SiC SBD。

GaN方面，其展出了40V~650V GaN HEMT和GaN Power IC。

芯導(dǎo)科技專注于功率IC（鋰電池充電管理 IC、OVP過壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動與控制IC、DC/DC電源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等）的開發(fā)及應(yīng)用。

國星光電

國星光電在此次活動中攜帶GaN和SiC功率器件亮相。GaN方面，國星光電展示了GaN SIP 合封器件、GaN恒壓電源、GaN場效應(yīng)晶體管以及33W快充墻插。

國星光電推出的GaN驅(qū)動電源的開關(guān)頻率高、體積縮小了1/3、重量更輕且電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加緊湊，功率密度高。其擁有極低的功率損耗，轉(zhuǎn)換效率高。相比于Si基，工作溫度更高，惡劣工況環(huán)境適應(yīng)能力得到了提升。該驅(qū)動電源可用于LED照明、整屋低壓供電、低壓電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用。

SiC方面，國星光電帶來了多樣式SiC分立器件和SiC功率模塊。

國星光電推出了超薄內(nèi)絕緣SiC分立器件，該產(chǎn)品采用了自有的專利技術(shù)，讓產(chǎn)品尺寸降低了30%，性能更穩(wěn)定。

國星光電還展示了獲得車規(guī)級認(rèn)證 SiC-MOSFET和 SiC-SBD，可滿足各大主流汽車廠家對高可靠性功率器件的要求。

瀚薪科技

瀚薪科技在本次展會中重磅推出650V和1200V低內(nèi)阻產(chǎn)品，1700V系列新品和H4S系列第四代Diode，T2PAK等產(chǎn)品。

瀚薪科技是一家致力于研發(fā)與生產(chǎn)第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的高科技企業(yè)，是國內(nèi)一家能大規(guī)模量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET管、二極管并規(guī)模出貨給全球知名客戶的本土公司。

華潤微電子

在此次展會上,華潤微電子攜功率器件和模塊產(chǎn)品 (低壓MOSFET、SiC、IGBT、GaN) 、IPM配套方案、MCU安全芯片、MEMS安全芯片等豐富產(chǎn)品亮相。

華潤微電子是擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營能力的IDM半導(dǎo)體企業(yè)，公司產(chǎn)品設(shè)計(jì)自主、制造過程可控，在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已具備較強(qiáng)的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，形成了先進(jìn)的特色工藝和系列化的產(chǎn)品線。

銀河微電

銀河微電是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，具備IDM模式下的一體化經(jīng)營能力。在本次展會上，其推出了650V/1200V SiC肖特基二極管產(chǎn)品，為工程師設(shè)計(jì)各種應(yīng)用的轉(zhuǎn)換電路提供了理想的解決方案。

應(yīng)能微電子

應(yīng)能微電子作為領(lǐng)先的高性能保護(hù)器件和功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)研發(fā)商參加了此次盛會，并展示包含6英寸SiC晶圓板和SiC MOSFET在內(nèi)的眾多新產(chǎn)品和行業(yè)解決方案。

飛锃半導(dǎo)體

飛锃半導(dǎo)體在展臺上集中展示一系列創(chuàng)新成果，包括SiC MOSFET、SiC二極管、SiC功率模塊，用于新能源汽車和光伏儲能等熱門領(lǐng)域。

飛锃半導(dǎo)體成立至今一直對技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)投入和積累，隨著第三代SiC MOSFET通過可靠性測試認(rèn)證，飛锃半導(dǎo)體進(jìn)一步豐富了SiC MOSFET產(chǎn)品線。本次展出的第三代1200V 14/18/30/40/80mohm SiC MOSFET，可廣泛應(yīng)用于充電樁、光伏&儲能、車載OBC/DCDC/主驅(qū)等領(lǐng)域。

美浦森半導(dǎo)體

美浦森半導(dǎo)體攜6英寸SiC 減薄晶圓以及SiC DIODE產(chǎn)品亮相。

美浦森半導(dǎo)體是一家專業(yè)功率半導(dǎo)體元器件全產(chǎn)業(yè)鏈公司。目前，美浦森半導(dǎo)體MOSFET和SiC系列產(chǎn)品在LED電源、PD電源、PC和服務(wù)器電源、光伏逆變、UPS、充電樁、智能家居、BLDC、BMS、小家電等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

蓉矽半導(dǎo)體

作為一家致力于第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件設(shè)計(jì)與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，蓉矽半導(dǎo)體攜旗下明星產(chǎn)品在展會上亮相。

本次蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了1200V 75/40/12mΩ NovuSiC? MOSFET與1200V 10/20/30A NovuSiC? EJBS。

在20kW直流充電模塊中，與硅基器件相比，蓉矽NovuSiC?方案可減少器件數(shù)量50%；降低總損耗50%以上；提升效率約2%，峰值可達(dá)97%以上。在11kW光伏逆變器應(yīng)用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統(tǒng)總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。

意法半導(dǎo)體（ST）

本次慕尼黑華南電子展上，意法半導(dǎo)體（ST）為觀眾帶來智能出行、電源與能源、物聯(lián)網(wǎng)&互聯(lián)等三大板塊的產(chǎn)品和智能解決方案。

ST重點(diǎn)展示人工智能，個人居家用品及工業(yè)應(yīng)用等創(chuàng)新型解決方案；旨在展現(xiàn)產(chǎn)品與技術(shù)的同時，充分傳達(dá)ST的可持續(xù)發(fā)展理念；并通過ST的技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案讓日常應(yīng)用變得更智能、更安全、更節(jié)能。

泰科天潤

泰科天潤在本次慕展上展出了SiC MOSFET、650V/60A混合單管、1700V/0.5A SMA封裝SiC二極管和2000V系列產(chǎn)品。

據(jù)工作人員介紹，他們還帶來了目前業(yè)界最小SiC器件，封裝尺寸僅為1.8*3.7*1.15mm，電壓電源為650V~1200V（1A）。

除此之外，泰科天潤還推出了GaN+SiC的140W適配方案。

愛仕特科技

愛仕特?cái)y最新SiC MOSFET系列產(chǎn)品以及全系車規(guī)級SiC功率模塊及應(yīng)用解決方案亮相本次展會。愛仕特重點(diǎn)展出了SiC功率器件、電機(jī)控制器等方案，為眾多不同領(lǐng)域客戶提供豐富的產(chǎn)品組合和穩(wěn)定可靠的應(yīng)用方案，目前已實(shí)現(xiàn)電壓650~3300V，電流5~150A的SiC MOSFET量產(chǎn)供貨。

中瑞宏芯半導(dǎo)體

本次展會，中瑞宏芯主要展出的產(chǎn)品包括：1200V/13mΩ SiC MOSFET、Six-pack三相全SiC模塊、1200V/80mΩ車規(guī)級SiC MOSFET以及650V~1700V全系列全規(guī)格不同封裝形式的SiC JBS和SiC MOSFET。

中瑞宏芯在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已全面掌握從芯片設(shè)計(jì)、仿真建模到測試應(yīng)用、量產(chǎn)導(dǎo)入全流程know-how，產(chǎn)品主要包括SiC肖特基二極管JBS和SiC MOSFET功率器件等。

翠展微電子

作為一家具備4條功率器件封測線，汽車模塊年產(chǎn)能接近70萬只的中國本土功率器件公司，翠展微電子帶來了全新的TPAK封裝解決方案。

TPAK封裝尺寸既可布置單顆晶圓芯片，也可并聯(lián)兩顆晶圓芯片，特別是應(yīng)對成本較高的SiC，降本優(yōu)勢更為明顯。

翠展微電子硬件研發(fā)經(jīng)理凌歡表示：“TPAK封裝是專門為克服TO-247等封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的解決方案，采用該封裝方案的產(chǎn)品已經(jīng)在特斯拉Model 3、Model Y等車型上得到批量應(yīng)用，目前國內(nèi)也有一些車型正在驗(yàn)證，相信采用TPAK封裝方案的功率器件產(chǎn)品將會在接下來幾年內(nèi)得到大力推廣?！?/p>

翠展微電子已在開發(fā)基于TPAK封裝的SiC器件，據(jù)凌歡透露，首款5.5mΩ/1200V SiC模塊產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2024年Q2量產(chǎn)上市。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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TrendForce集邦咨詢旗下光電研究機(jī)構(gòu)LEDinside走訪了精密光學(xué)&攝像頭技術(shù)及應(yīng)用、激光技術(shù)及智能制造、智能傳感、紅外技術(shù)及應(yīng)用相關(guān)的4個展館，聚焦AR/VR應(yīng)用、新型顯示、紫外LED、紅外/VCSEL等四個方向，從20余家企業(yè)的視角了解各領(lǐng)域的前沿技術(shù)、產(chǎn)品及當(dāng)下的市場行情。

AR/VR

要說人氣旺之處，就不得不提AR/VR產(chǎn)品及創(chuàng)新應(yīng)用展區(qū)，該展區(qū)設(shè)在5號館，是今年展示區(qū)中的一個亮點(diǎn)。JBD上海顯耀、水晶光電、耐德佳等廠商均在展位展示了AR/VR眼鏡等終端產(chǎn)品，吸引多數(shù)觀眾駐足體驗(yàn)，流連忘返。

耐德佳

JBD、水晶光電均展示了基于Micro LED的AR眼鏡。從工作人員透露的消息可知，相比去年，Micro LED結(jié)合光波導(dǎo)的方案的成熟度已有所提高，Micro LED光引擎在終端的測試驗(yàn)證和應(yīng)用正在積極推進(jìn)中，接下來更多新方案及終端產(chǎn)品將問世。

JBD

具體來看，JBD展示了Hummingbird蜂鳥系列的單綠色、全彩Micro LED微顯示屏（0.13/0.22/0.31吋）及AR眼鏡（影目科技品牌）。據(jù)LEDinside了解，目前JBD的單色/彩色Micro LED微顯示屏均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，后續(xù)搭載彩色Micro LED微顯示屏的終端產(chǎn)品也即將上市。

JBD AR眼鏡的全彩圖

JBD眼鏡

另值得一提的是，JBD還宣布已正式發(fā)布單片全彩垂直堆疊Micro LED微顯示屏Phoenix鳳凰系列原型。該系列有別于蜂鳥系列（Micro LED光引擎是由三個獨(dú)立的紅、綠、藍(lán)單色面板與X-cube棱鏡組合而成，主要針對30°FOV光波導(dǎo)方案的AR眼鏡應(yīng)用），鳳凰系列采用單片式全彩垂直堆疊結(jié)構(gòu)，專為50°以上FOV光波導(dǎo)方案的AR眼鏡而設(shè)計(jì)。

作為AR核心光學(xué)模組供應(yīng)商，水晶光電展位的焦點(diǎn)也落在Micro LED AR眼鏡上，觀眾紛紛排隊(duì)佩戴，感受顯示的效果。水晶光電本次展示的是由終端合作品牌提供的Micro LED單綠色及全彩AR眼鏡，同時也展示了Micro LED光引擎。

水晶光電 單綠色眼鏡

水晶光電 全彩眼鏡

據(jù)介紹，水晶光電展示的AR眼鏡玉衡整機(jī)采用分辨率為640×480、視場角為28°±1°的Micro LED全彩微型光機(jī)，所用波導(dǎo)片透過率超過80%。

水晶光電 光引擎

Micro LED顯示芯片廠商鐳昱半導(dǎo)體雖不在AR產(chǎn)品及應(yīng)用展區(qū)，但也提供了全彩光波導(dǎo)AR眼鏡鏡片體驗(yàn)區(qū)，并重點(diǎn)展示了全彩Micro LED微顯示解決方案，其中，0.11吋產(chǎn)品據(jù)稱是全球尺寸最小的單片式全彩Micro LED微顯示屏，像素密度達(dá)7200 PPI，分辨率為320×240。

鐳昱半導(dǎo)體

鐳昱半導(dǎo)體鏡片

Micro LED微顯示解決方案相關(guān)供應(yīng)商中，思坦科技、君萬微也都帶來了AR產(chǎn)品解決方案。其中，思坦科技展示了0.13吋（640×480）和0.18吋（800×600）、0.45吋（1080P）單綠Micro LED顯示模組。0.13吋微顯示屏亮度超200萬nits，功耗低于200mW，適配于戶外場景下的輕量化AR眼鏡。除了AR應(yīng)用，思坦科技也推出了用于3D打印、車載AR-HUD、瞄具產(chǎn)品、測距儀產(chǎn)品等的全套Micro LED顯示技術(shù)解決方案。

思坦科技展位

思坦科技

新型顯示

今年光博會特在2號館內(nèi)開設(shè)了新型顯示展區(qū)，上述鐳昱半導(dǎo)體、思坦科技、君萬微等便都在該展區(qū)內(nèi)，芯穎、華引芯、TCL華星、天馬微、維信諾等芯片、面板廠以及邁為、海目星等設(shè)備廠商也齊聚在新型顯示展區(qū)。

芯穎顯示是TCL華星與泉州三安合資成立的Micro LED技術(shù)公司，本次攜芯片及顯示屏亮相，芯片展品包括像素化排列的Micro LED芯片COC和可轉(zhuǎn)移Micro LED芯片COC，顯示屏展品則展示了與TCL華星聯(lián)合開發(fā)的1.37吋高分辨率Micro LED顯示屏和7.1吋柔性Micro LED顯示屏。

芯穎

三安光電本次雖沒有在新型顯示展區(qū)獨(dú)立設(shè)展位，但其在8號館的展位上C位展出了146吋4K P0.833mm Micro LED大屏，該顯示屏采用MiP技術(shù)，所用芯片尺寸為34×58μm。目前，三安光電已與院校達(dá)成合作，產(chǎn)品已在院校內(nèi)落地應(yīng)用。

三安Micro LED

TCL華星的展品則涵蓋了LCD、Mini LED、OLED三大技術(shù)，以電競顯示器及曲面顯示器應(yīng)用為重點(diǎn)。其中，Mini LED產(chǎn)品包括32吋240Hz超高清顯示器、27吋QHD全高清電競顯示屏、34吋WQHD高性價比曲面顯示器、34吋WQHD165Hz R1500極致超薄曲面電競屏。

TCL華星Mini LED顯示器

TCL華星Mini LED曲面顯示器

天馬微重點(diǎn)展示Micro LED透明屏、柔性AMOLED屏以及可折疊屏。其中，8.75吋Micro LED透明屏分辨率為880×480，亮度為800cd/㎡，透明度超70%。9.38吋Micro LED可調(diào)透明屏分辨率為960×480，峰值亮度為1500cd/㎡，可調(diào)透明度為10-24%。兩款產(chǎn)品均采用TFT LTPS主動驅(qū)動技術(shù)，像素密度為114，面向車載顯示應(yīng)用。

天馬8.75吋Micro LED透明屏

天馬9.38吋Micro LED可調(diào)透明屏

維信諾重點(diǎn)展示了柔性AMOLED顯示屏，其12.3吋柔性AMOLED動態(tài)卷曲全模組兼具科技和藝術(shù)感，現(xiàn)場頗為引人注目。據(jù)介紹，該產(chǎn)品采用超薄模組結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，配合自主疊層及中性層優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)全模卷曲半徑5mm，圈數(shù)7圈，卷曲可靠性超10萬次。

維信諾12.3吋柔性AMOLED動態(tài)卷曲全模組

維信諾柔性AMOLED車載一體化顯示終端解決方案

華引芯在顯示方面主要展示了Mini LED芯片及Mini LED背光車載顯示屏、電競顯示屏及VR等穿戴顯示解決方案。其中，12.3吋Mini LED車載顯示屏集成了3840顆Mini LED，具有320個控光分區(qū)，采用0 OD設(shè)計(jì)，亮度為≥1200nits@13W，可實(shí)現(xiàn)NTSC≥95%的廣色域效果。VR應(yīng)用部分，華引芯展示了2.1吋背光源產(chǎn)品，Mini LED顆數(shù)和分區(qū)數(shù)都為490+，亮度達(dá)10萬nits。

華引芯一站式整車光源解決方案

12.3吋Mini LED車載顯示屏

設(shè)備廠商中，邁為重點(diǎn)展示了MLED全線設(shè)備解決方案，對應(yīng)外延、芯片到封裝的生產(chǎn)需求。其中，Mini LED設(shè)備推出了激光隱切設(shè)備MX-LSD；Micro LED解決方案包括激光剝離設(shè)備MX-LLO、巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備MX-LMT和巨量鍵合設(shè)備MX-LCB。其中，Micro LED激光剝離設(shè)備掃描速度為0-5000mm/s，運(yùn)動軸重復(fù)定位精度為≤1μm，適用于8吋內(nèi)Micro LED藍(lán)寶石晶圓及紅光晶圓片。據(jù)透露，邁為MLED設(shè)備具備較高的效率、精度和良率，現(xiàn)已與芯片、封裝及面板等領(lǐng)域的頭部企業(yè)展開緊密合作。

激光隱切設(shè)備MX-LSD

剝離設(shè)備MX-LLO

巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備MX-LMT

海目星激光主要介紹了Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備及Mini LED巨量焊接設(shè)備、三合一返修設(shè)備等解決方案。其中，Mini LED巨量焊接設(shè)備用于Mini LED整板芯片高質(zhì)量焊接工藝，可取代傳統(tǒng)工藝的回流焊，應(yīng)用兼容Mini LED直顯模組、背光板以及COB封裝、MiP封裝等多種產(chǎn)品。

海目星

三合一返修設(shè)備

紅外/VCSEL

在8號紅外技術(shù)及應(yīng)用展館內(nèi)，三安光電、升譜光電等LED相關(guān)廠商推出了紅外及VCSEL解決方案，ams OSRAM以及純VCSEL供應(yīng)商縱慧芯光、長光華芯等也攜各類別產(chǎn)品與解決方案亮相6號館智能傳感展。

根據(jù)LEDinside了解，目前VCSEL產(chǎn)品在消費(fèi)電子市場的應(yīng)用較為廣泛，而且這一領(lǐng)域的競爭已經(jīng)趨于白日化，而車載激光雷達(dá)及工業(yè)等應(yīng)用則成為相關(guān)廠商布局的重點(diǎn)。

本次三安的VCSEL產(chǎn)品由旗下三安集成在12號館信息通信展上展出，具體產(chǎn)品包含高功率消費(fèi)類VCSEL、紅色可見光VCSEL、高速數(shù)通VCSEL/VCSEL陣列/VCSEL封裝件、超高速數(shù)通VCSEL等。

據(jù)了解，三安集成的3D傳感等消費(fèi)類用VCSEL產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)出貨，目前VCSEL激光芯片產(chǎn)品主攻車載激光雷達(dá)、工業(yè)加熱、醫(yī)療美容和Proximity接近傳感等應(yīng)用領(lǐng)域。

三安VCSEL產(chǎn)品

另外，三安光電紅外產(chǎn)品主要展示了940nm有紅爆和無紅爆攝像頭燈板，主要用于攝像頭補(bǔ)光照明功能；同步展出的血氧905nm發(fā)射芯片，可結(jié)合其PD信號接收芯片，實(shí)現(xiàn)終端產(chǎn)品測試血氧含量的功能。

三安紅外產(chǎn)品

升譜光電在傳統(tǒng)業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上，開拓了VCSEL、紅外、紫外LED等新興業(yè)務(wù)。本次VCSEL部分主要展示了3D面陣ToF傳感器應(yīng)用解決方案，適用于工控識別類產(chǎn)品。據(jù)透露，目前升譜VCSEL產(chǎn)品在掃地機(jī)器人、藍(lán)牙耳機(jī)等消費(fèi)類產(chǎn)品中的應(yīng)用較多。

升譜VCSEL

紅外產(chǎn)品部分，升譜光電推出IR LED、紅外發(fā)射管、IR&PD LED、紅外激光器等解決方案。其中，紅外發(fā)射管展示了紅外電梯光幕應(yīng)用，IR & PD LED展示了紅外觸摸屏應(yīng)用。

紅外電梯光幕應(yīng)用

ams OSRAM帶來了豐富的智能傳感產(chǎn)品，覆蓋3D傳感、接近傳感、工業(yè)視覺、車載激光雷達(dá)等。其中比較吸睛的是未來駕駛體驗(yàn)區(qū)，該區(qū)域展示了2D及3D結(jié)構(gòu)光、艙內(nèi)傳感方案，結(jié)合了可供比較的雙紅外光源VCSEL模組和紅外LED。此外，ams OSRAM還展示了用于AR/VR、元宇宙等超高精度3D結(jié)構(gòu)光投射器，采用高效高功率VCSEL。

ams OSRAM

3D結(jié)構(gòu)光投射器

未來駕駛體驗(yàn)區(qū)

縱慧芯光及長光華芯等兩家VCSEL主要供應(yīng)商均帶來了豐富的VCSEL產(chǎn)品系列。

縱慧芯光展出了用于消費(fèi)電子、汽車電子、安防/醫(yī)療及光通訊的VCSEL芯片解決方案，針對車載激光雷達(dá)應(yīng)用，縱慧芯光還展示了自主開發(fā)的驅(qū)動板，可用于激光雷達(dá)測試。

縱慧芯光

驅(qū)動板

長光華芯則展示了工業(yè)視覺、車載激光雷達(dá)、智能消費(fèi)終端、智能家居等應(yīng)用產(chǎn)品解決方案，展品包含VCSEL晶圓及多個系列的VCSEL芯片。目前，長光華芯VCSEL產(chǎn)品在車載激光雷達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用已取得了較多進(jìn)展。

長光華芯

車載激光雷達(dá)產(chǎn)品

通快激光本次展位也以VCSEL為主題，展示了一系列解決方案。例如，集成光電二極管的VCSEL（ViP）作為新品展出，具備緊湊可靠的優(yōu)點(diǎn)，可安裝在透明屏幕后面。其他展品還包括：工業(yè)加熱TruHeat VCSEL系統(tǒng)，可用于電動交通；精度氣體傳感采用了760-766nm單模VCSEL，可實(shí)時光學(xué)測量。

通快激光

集成光電二極管的VCSEL（ViP）

UV/UV LED

與上一屆一樣，紫外展區(qū)設(shè)于紅外技術(shù)及應(yīng)用展館內(nèi)，升譜光電、鴻利秉一、臺塑集團(tuán)福機(jī)裝、中科潞安、至芯半導(dǎo)體、拓展光電等均帶來了UV/UV LED產(chǎn)品。

華引芯

綜合幾家廠商的消息可知，相比前兩年，UV LED市場降溫了不少，但各家仍看好該細(xì)分市場在空氣殺菌、水殺菌等場景的應(yīng)用機(jī)會。此外，308/222nm準(zhǔn)分子技術(shù)已經(jīng)開始打開了醫(yī)療、印刷固化等的應(yīng)用空間。據(jù)鴻利秉一工作人員介紹，其308nm準(zhǔn)分子燈在醫(yī)療市場有較大的需求，業(yè)務(wù)拓展良好。目前，國內(nèi)相關(guān)研究院也在對308/222nm紫外光源展開積極的技術(shù)研究和應(yīng)用拓展。

鴻利秉一UV LED

準(zhǔn)分子燈

升譜光電針對紫外殺菌應(yīng)用展示了集成UVC LED動態(tài)水殺菌模組的紫外殺菌水龍頭。據(jù)透露，該產(chǎn)品主要針對海外市場開發(fā)，以水龍頭整套產(chǎn)品出貨海外客戶。

UVC LED動態(tài)水殺菌模組

臺塑集團(tuán)旗下福機(jī)裝是首次參加中國大陸的展會，重點(diǎn)展示了空氣殺菌解決方案。據(jù)介紹，福機(jī)裝在空氣殺菌市場發(fā)展較為迅速，產(chǎn)品已廣泛用在電梯、超市、辦公室等領(lǐng)域。

福機(jī)裝

中科潞安、至芯半導(dǎo)體、拓展光電則展示了涵蓋水殺菌、空氣殺菌、表面殺菌等的一系列產(chǎn)品及解決方案。ams OSRAM雖不在紫外展區(qū)，也通過飲水機(jī)水殺菌及表面消毒裝置等展示了其UV LED解決方案。

中科潞安

至芯半導(dǎo)體

ams OSRAM

小結(jié)

本屆展會匯聚了3000多家企業(yè)，而僅從20多家廠商的產(chǎn)品及給出的信息就可以看到，技術(shù)發(fā)展邊界之廣、產(chǎn)品創(chuàng)新與迭代速度之快，新興領(lǐng)域也不例外，無論是老玩家還是新創(chuàng)者，都需要保持創(chuàng)新，才能在激流中勇進(jìn)，在不同賽道站穩(wěn)腳跟。從觀眾的視角來看，更多新技術(shù)、新產(chǎn)品的推出，有望進(jìn)一步讓生活與工作豐富化、智能化、便利化。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）

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展覽范圍包括功率半導(dǎo)體、集成電路、被動元件、電磁及磁性材料、散熱管理、傳感器、裝配和子系統(tǒng)、電氣傳動、功率轉(zhuǎn)換器、電能質(zhì)量和儲能、測量和測試、軟件開發(fā)、信息及服務(wù)等，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士提供了交流技術(shù)以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。

據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體研究中心了解到，此次展會，三菱電機(jī)、英飛凌、羅姆、安森美、富士電機(jī)、中車、東芝、Power Integrations、賽米控-丹佛斯等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進(jìn)技術(shù)，面向工業(yè)、能源、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

三菱電機(jī)

此次展會現(xiàn)場，三菱電機(jī)重點(diǎn)展示了用于工業(yè)新能源、軌道交通、電動汽車、家用電器等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體解決方案。

三菱電機(jī)目前正在開發(fā)下一代電動汽車專用功率模塊。該系列模塊擁有1300V和750V兩個電壓等級，分別采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技術(shù)。同時該系列模塊將采用三菱電機(jī)擅長的壓注模工藝，在保證可靠性的同時，大大提升生產(chǎn)效率。

三菱還展示了高頻用混合SiC模塊等產(chǎn)品，有助于小型化輕量化，同時低電感封裝有助于減小浪涌電壓。

英飛凌

英飛凌本次設(shè)立了“綠色能源與工業(yè)”、“電動交通和電動出行”、“智能家居”三大主題展區(qū)，展示相應(yīng)的功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新解決方案。

在電動交通和電動出行展區(qū)，英飛凌展示了HybridPACK Drive產(chǎn)品系列、CoolGaN SG HEMT開關(guān)等。在綠色能源與工業(yè)展區(qū)，英飛凌展示了用于風(fēng)光儲系統(tǒng)的多種解決方案，包括用于光伏發(fā)電的2000V 60A EasyPACK CoolSiC MOSFET 3B碳化硅模塊和45A三電平Boost MPPT模塊等。

羅姆

針對日益增長的中國市場需求，羅姆本次重點(diǎn)展示了最新的SiC和GaN產(chǎn)品解決方案。

SiC方面，羅姆帶來了面向車載應(yīng)用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示以及8英寸SiC襯底。羅姆在SiC功率器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，其先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，充分地減少了開關(guān)損耗。

GaN方面，羅姆分別展示了150V和650V的GaN HEMT，同時還推出了EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅(qū)動器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實(shí)現(xiàn)安裝，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積。

安森美

本次展會上，安森美重點(diǎn)展示了其完全垂直整合的SiC生態(tài)系統(tǒng)，從基本的原材料到完整封裝的SiC器件的交付。

具體來看，本次安森美展示了1200V M3S EliteSiC MOSFET、全新半橋1200V EliteSiC PIM、以及用于光儲充市場的功率集成模塊、用于電動汽車主驅(qū)逆變器的VE-Trac系列等等。

功率器件作為光儲充系統(tǒng)的核心器件，安森美現(xiàn)場展示了為上能電氣、古瑞瓦特實(shí)現(xiàn)商用與住宅光儲充一體化系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)，提供涵蓋低、中、高功率范圍的功率集成模塊（PIM），實(shí)現(xiàn)高能效、高可靠性的逆變器設(shè)計(jì)。

東芝

東芝本次主要面向風(fēng)力發(fā)電、牽引、電力輸配電、工業(yè)變頻器等領(lǐng)域的應(yīng)用，推出相應(yīng)的功率器件解決方案。

本次東芝展出產(chǎn)品包括雙柵極RC-IEGT、大功率器件IEGT、IEGT PPI Stack、全SiC模塊、智能功率器件、車載分立器件以及分立器件封裝產(chǎn)品線。

對于SiC產(chǎn)品，東芝本次重點(diǎn)展出1700V和3300V的SiC模塊MG400Q2YMS3和MG800FXF2YMS3，這兩款產(chǎn)品是更小、更高效的工業(yè)設(shè)備的理想選擇。

富士電機(jī)

富士電機(jī)一直是全球功率半導(dǎo)體主流供應(yīng)商之一，其本次展示了豐富的產(chǎn)品線。

第二代1200V/1700V全SiC模塊是富士電機(jī)本次的重點(diǎn)展示產(chǎn)品。封裝主端子部分采用層壓結(jié)構(gòu)，降低了內(nèi)部電感。另外模塊的封裝外形繼續(xù)保持了與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容，避免客戶在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上做重新設(shè)計(jì)，節(jié)省開發(fā)資源。

中車

中車本次攜多款功率半導(dǎo)體器件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Asia，致力于展現(xiàn)中國“芯”的智慧力量，并為清潔能源的變換與高效利用提供領(lǐng)先的傳感測量解決方案。

中車本次展示了最新的SiC模塊及芯片，芯片采用第三代SiC MOSFET、體二極管續(xù)流，電壓等級覆蓋750V~3300V，比導(dǎo)通電阻最低可到3.2mΩ·cm2。模塊采用AlSiC基板設(shè)計(jì)，高性能導(dǎo)熱材料，進(jìn)一步提高模塊功率密度，滿足汽車、OBC、DC/DC、光伏、軌道交通等復(fù)雜應(yīng)用工況需求。

賽米控-丹佛斯

賽米控-丹佛斯是全球電力電子領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，本次展出產(chǎn)品包括功率模塊和系統(tǒng)等。

DCM1000X SiC功率模塊是本次賽米控-丹佛斯的重點(diǎn)展品之一，其耐壓從原來DCM1000的900V提高到了1200V。DCM1000X通過將先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì)與最新的SiC MOSFET相結(jié)合，證明了自己是下一代電動汽車牽引逆變器的卓越模塊平臺。

宏微科技

宏微科技本次攜帶全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品及解決方案參展亮相，產(chǎn)品覆蓋工業(yè)，光伏儲能以及新能源汽車相關(guān)方向的全域功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。

宏微科技主要從事IGBT、VDMOS、FRED等芯片及分立器件、模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售，本次其帶來了最新的SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體

天域半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的SiC外延片供應(yīng)商，本次其重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體是我國SiC領(lǐng)域少數(shù)具備國際競爭力的企業(yè)之一，以先進(jìn)的SiC外延生長技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù)，并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術(shù)研發(fā)，積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。

瞻芯電子

瞻芯電子是專注于SiC技術(shù)的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，本次分享了最新的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

具體產(chǎn)品包括最新的第二代650V/1200V和1700V SiC MOSFET、隔離型驅(qū)動IVCO1A0x、圖騰柱PFC控制芯片IVCC1104等。同時，瞻芯面向不同應(yīng)用場景開發(fā)了多種應(yīng)用方案，比如20kW 三相PFC、11kW SiC三相電機(jī)驅(qū)動、2500W 圖騰柱PFC電源、200W 1000V反激電源，以及雙脈沖測試等輔助測試設(shè)備，為客戶朋友提供高效的參考設(shè)計(jì)。

賽晶科技

賽晶科技在本次PCIM Asia展上正式發(fā)布了為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

賽晶科技還展示了第二款SiC模塊 – EVD封裝SiC模塊。該款產(chǎn)品采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝。通過內(nèi)部優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開關(guān)損耗相近或者更低。

IVWorks

IVWorks是一家從事寬禁帶半導(dǎo)體外延片產(chǎn)品及相關(guān)服務(wù)的公司，公司致力于成為一家擁有智能化生產(chǎn)和材料技術(shù)的獨(dú)創(chuàng)型企業(yè)。

本次IVWorks主要展示了6、8英寸的硅基GaN外延片等產(chǎn)品。IVWorks曾在去年收購了法國材料制造商圣戈班（Saint Gobain）的GaN襯底業(yè)務(wù)，借此在大功率應(yīng)用領(lǐng)域提供GaN-on-GaN外延片來擴(kuò)大產(chǎn)品組合。

派恩杰

派恩杰半導(dǎo)體本次攜全品類SiC器件、模塊及應(yīng)用技術(shù)亮相了PCIM Asia。

派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用。

鎵未來

本次展會上，鎵未來攜最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應(yīng)用方案隆重亮相。

目前鎵未來可向客戶提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產(chǎn)品。同時，鎵未來可提供涵蓋小中大功率段的全線GaN應(yīng)用方案，產(chǎn)品覆蓋PD快充適配器、電動工具充電器、儲能雙向逆變器等諸多場景。

士蘭微

士蘭微本次攜高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件等系列產(chǎn)品亮相展會。

士蘭微針對光伏、汽車等應(yīng)用的SiC產(chǎn)品系列具有更高的參數(shù)一致性，更低的失效不良率，從而滿足高端客戶需求。據(jù)了解，其SiC MOSFET汽車主驅(qū)模塊已通過部分客戶測試，有望在今年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。

瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體在本次展會上展示了全新的功率半導(dǎo)體實(shí)踐應(yīng)用。

瑞能半導(dǎo)體SiC二極管產(chǎn)品已完成六代產(chǎn)品開發(fā)，擁有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低比導(dǎo)電阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2，目前瑞能半導(dǎo)正在進(jìn)行第三代trench gate產(chǎn)品開發(fā)。另外，由瑞能半導(dǎo)體全資控股的模塊生產(chǎn)工廠瑞能微恩模塊工廠已在近期正式投入運(yùn)營。

Soitec

Soitec是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)先企業(yè)，以其獨(dú)特的技術(shù)和半導(dǎo)體領(lǐng)域的專長服務(wù)于電子市場。

憑借深耕SmartCut 工藝三十年的專業(yè)積淀，Soitec推出了全新的顛覆性優(yōu)化襯底 SmartSiC，為晶圓電氣性能、供應(yīng)鏈生產(chǎn)力以及器件功率密度帶來了全新解決方案。與傳統(tǒng)SiC襯底相比，Soitec專利的SmartSiC襯底可降低 75% 溫室氣體排放。

安世半導(dǎo)體

本次展會上，安世半導(dǎo)體展示了最新的功率半導(dǎo)體器件及晶圓產(chǎn)品。

安世半導(dǎo)體在今年推出了650V SiC肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用，并計(jì)劃不斷增加SiC 二極管產(chǎn)品組合，包括工作電壓為650V和1200 V、電流范圍為6~20 A 的和車規(guī)級器件。同時，安世半導(dǎo)體已經(jīng)推出了三代650V GaN場效應(yīng)晶體管，將晶體管封裝技術(shù)引入到氮化鎵技術(shù)中，并在不斷的根據(jù)市場需求，降低成本，提高性能。

揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰科技本次攜帶硅晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產(chǎn)品首次亮相PCIM Asia展。

揚(yáng)杰科技此次重點(diǎn)展出了IGBT系列產(chǎn)品，包括650V 50A/75A/100A IGBT單管，160A/200A/400A/450A/650V IGBT三電平模塊，相關(guān)系列產(chǎn)品與市場主流產(chǎn)品完全pin to pin兼容替代應(yīng)用，并第一次展出新能源汽車主驅(qū)的HP1/HPD模塊。

同時，揚(yáng)杰科技還展示了全系列SiC產(chǎn)品，重點(diǎn)展示SiC MOSFET，電壓等級覆蓋650V/1200V/1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋20~1000mΩ，可應(yīng)用于新能源汽車統(tǒng)OBC和DC/DC，光伏儲能逆變器，充電樁和工業(yè)電源等應(yīng)用。

納芯微

納芯微在本次展會現(xiàn)場全面展示了其在傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

納芯微具體展出產(chǎn)品包括電流傳感器、數(shù)字隔離器、接口、隔離采樣、隔離電源、柵極驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動，以及其SiC系列產(chǎn)品等。納芯微在今年推出了專為光伏、儲能、充電等工業(yè)場景而設(shè)計(jì)的1200V系列SiC二極管產(chǎn)品，同時也在積極開發(fā)和驗(yàn)證車規(guī)級1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。

?？瓢雽?dǎo)體

本次展會上，?？瓢雽?dǎo)體展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導(dǎo)電型SiC外延片，目前已對十余個業(yè)內(nèi)標(biāo)桿客戶完成送樣并實(shí)現(xiàn)了采購訂單。

百識電子

百識電子在本次展會上重點(diǎn)展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

百識電子是在南京設(shè)立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，其可提供4/6英寸的SiC外延片服務(wù)，以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務(wù)。除了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外延片，百識電子亦可針對特殊應(yīng)用市場需求，提供客制化規(guī)格外延服務(wù)及器件開發(fā)所需的關(guān)鍵制程。

Power Integrations

PI本次攜帶數(shù)款門極驅(qū)動、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動產(chǎn)品參展，展示了他們在功率半導(dǎo)體的全面方案以及強(qiáng)硬的實(shí)力。

PI能夠提供一個高集成度的方案，將功率器件和保護(hù)機(jī)制都集成在一個輕薄的封裝里面，實(shí)現(xiàn)高集成度無散熱片的工業(yè)的或者是家電的電機(jī)驅(qū)動方案。同時，PI提供了相對應(yīng)的軟件包，方便快速實(shí)現(xiàn)無傳感器的電機(jī)控制設(shè)計(jì)，便于軟件工程師能夠快速高效地實(shí)現(xiàn)軟件開發(fā)，為電機(jī)驅(qū)動測試帶來極大的便利，極快地完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)高集成度高效的電機(jī)驅(qū)動解決方案。

AOS

本次展會上，AOS展出了應(yīng)用于新能源汽車、電力電源、電機(jī)驅(qū)動IC、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)方案以及家電等的相關(guān)產(chǎn)品及技術(shù)。

其中包括最新高壓超結(jié)MOSFETs、熱插拔MOSFETs、αSiC MOSFETs、IMVP多相控制芯片以及符合PD3.1規(guī)范的Type C負(fù)載開關(guān)。

AOM033V120X2Q采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新型1200V SiC MOS管（αSiC MOSFET）。這款1200V SiC MOS管為可接受15V標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器的TO-247-4L車規(guī)封裝，并提供行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的最低導(dǎo)通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機(jī)、電機(jī)驅(qū)動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。

翠展微電子

翠展微電子本次主要展出了IGBT、SiC功率模塊產(chǎn)品。

翠展微電子是一家以車規(guī)級功率模塊為核心，同時覆蓋光伏、儲能、電網(wǎng)、工控領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)生產(chǎn)廠家，主要產(chǎn)品有IGBT單管/模塊、SiC單管/模塊，以及汽車軟件一站式工具鏈解決方案等。
在車規(guī)功率模塊領(lǐng)域，翠展微電子產(chǎn)品基本涵蓋了國內(nèi)車規(guī)功率模塊封裝需求和電流規(guī)格，主要封裝包括HP1、DC6、DC6I、HPD、Econodual系列、TPAK及TO-247PLUS系列等，可滿足250KW以內(nèi)新能源汽車主驅(qū)的應(yīng)用需求。

CGD

CGD是一家專注于GaN技術(shù)的無晶圓廠設(shè)計(jì)公司，本次展示了其獨(dú)有的高能效GaN解決方案。

CGD 本次在中國首推其第二個易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 產(chǎn)品系列。CGD H1和H2系列是單芯片增強(qiáng)模式HEMT，具有3V閾值電壓、真正的0V關(guān)斷，以及可在高達(dá)20V電壓下工作的革命性柵極方案。無級聯(lián)、無復(fù)雜多芯片配置、無復(fù)雜熱集成解決方案：嵌入式專有邏輯單芯片，可與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器或控制器配對。此外，CGD展出了最新的評估板，包含65W QRF評估板、1.6kW LLC評估板、3kW 光伏逆變器和USB PD參考設(shè)計(jì)。

新微半導(dǎo)體

新微半導(dǎo)體本次攜豐富的硅基GaN功率產(chǎn)品平臺精彩亮相PCIM Asia。

新微半導(dǎo)體展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓GaN功率器件工藝平臺系列展品，并重點(diǎn)展示了面向不同終端應(yīng)用領(lǐng)域的外延制造和晶圓代工產(chǎn)品以及先進(jìn)的技術(shù)解決方案。

合盛新材

合盛新材本次攜帶最新的6英寸SiC襯底產(chǎn)品亮相本次展會。

合盛新材是由上市公司合盛硅業(yè)股份發(fā)起成立并控股，業(yè)務(wù)涵蓋SiC襯底及外延的研發(fā)，生產(chǎn)與銷售。目前合盛新材料正在建設(shè)導(dǎo)電型6英寸SiC襯底與外延片產(chǎn)線，已實(shí)現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。

芯長征

芯長征本次分別展示了IGBT、MOSFET、SiC等產(chǎn)品。

在汽車領(lǐng)域，芯長征重點(diǎn)展示其針對商用車主驅(qū)開發(fā)的1200V 450A/600A EconoDUAL3 IGBT模塊、針對乘用車主驅(qū)開發(fā)的750V 820A HPD IGBT模塊及750V 400A/600A HybridPACK 1 模塊及1200V 40/80mΩ的SiC MOS產(chǎn)品。

忱芯科技

忱芯科技本次展示了動態(tài)特性測試系統(tǒng)與動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)DEMO。

忱芯科技提供SiC/GaN、IGBT功率半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)室版與產(chǎn)線版全系列ATE測試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件前道、后道到應(yīng)用級測試全覆蓋。目前，忱芯科技SiC ATE設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量出貨，成功交付功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)、芯片設(shè)計(jì)公司、功率器件封裝公司與新能源車廠及Tier1企業(yè)。

安建半導(dǎo)體

本次展會上，安建半導(dǎo)體展示了IGBT、SiC、SGT-MOS、SJ-MOS四類全新產(chǎn)品。

SiC方面，安建半導(dǎo)體本次展示了650V/1200V的SiC二極管和MOSFET。安建半導(dǎo)體總部位于浙江寧波，并在寧波自建了模塊封裝工廠——吉賽半導(dǎo)體。

功成半導(dǎo)體

功成半導(dǎo)體本次攜高效的功率器件組合產(chǎn)品及應(yīng)用方案亮相PCIM Asia。

本次功成半導(dǎo)體展出產(chǎn)品主要包括六大類：Elite MOSFET(SGT)、Elite MOSFET(SJ)、高壓高頻IGBT、SiC SBD & MOSFET、GaN HEMT以及IPM智能功率模塊。

特勵達(dá)力科

特勵達(dá)力科是高端示波器、協(xié)議分析儀和其他測試儀器的領(lǐng)先制造商，可快速全面地驗(yàn)證電子系統(tǒng)的性能和合規(guī)性，并進(jìn)行復(fù)雜的調(diào)試分析。

特勵達(dá)力科的寬禁帶半導(dǎo)體測試系統(tǒng)包含DL-ISO高壓光隔離探頭、功率器件分析軟件和12bit高精度示波器。DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，與力科 12 位高精度示波器 (HDO) 相結(jié)合，可獲得 1.5% 的系統(tǒng)精度，幾乎是市場上替代解決方案的兩倍。同時可提供豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。

悉智科技

悉智科技本次攜多款應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)場景的功率模塊產(chǎn)品亮相PCIM Asia。

悉智科技當(dāng)前產(chǎn)品聚焦在智能電車和清潔能源的功率與電源塑封模塊創(chuàng)新領(lǐng)域，擁有國內(nèi)最先進(jìn)的車規(guī)級塑封產(chǎn)線和性能測試（包括系統(tǒng)級）&可靠性測試&失效分析實(shí)驗(yàn)室。

華太電子

本次展會上，華太電子展示了SiC、IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，。

華太電子主要從事射頻/功率產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測業(yè)務(wù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。

此外，其他參展廠商還包括韓國功率半導(dǎo)體展團(tuán)，以及芯源新材料、先進(jìn)連接技術(shù)、MacDermid Alpha、DOWA、銦泰、賀利氏、京瓷等封裝材料廠商。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Matt）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

本屆展會以“芯機(jī)會 智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設(shè)計(jì)&芯片、晶圓制造及封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士提供了交流技術(shù)以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。

據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體研究中心了解到，此次展會，天域半導(dǎo)體、瀚天天成、爍科晶體、普興電子、Aixtron、鎵未來、納設(shè)智能、能華微、聚能創(chuàng)芯&聚能晶源、百識電子、晟光硅研、恒普科技、氮矽科技、漢驊半導(dǎo)體等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進(jìn)技術(shù)，面向工業(yè)、能源、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

天域半導(dǎo)體

此次展會現(xiàn)場，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了4/6英寸SiC外延片產(chǎn)品，及其子公司南方半導(dǎo)體的SiC功率器件/模塊產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體是全球SiC外延片的主要生產(chǎn)商之一，以先進(jìn)的SiC外延生長技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù)，并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術(shù)研發(fā)，積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。南方半導(dǎo)體則專注于半導(dǎo)體元器件及解決方案，涵蓋了功率半導(dǎo)體集成電路、晶體、芯片及檢測中心等眾多領(lǐng)域。

爍科晶體

作為國內(nèi)SiC襯底領(lǐng)先廠商，爍科晶體此次重磅展示了6/8英寸的導(dǎo)電N型和半絕緣型SiC襯底。

爍科晶體在國內(nèi)率先突破8英寸導(dǎo)電N型SiC單晶襯底制備工藝技術(shù)，并已實(shí)現(xiàn)小批量銷售。目前公司已通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了SiC生長裝備制造、高純SiC粉料制備工藝，導(dǎo)電N型和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝，形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

普興電子

本次展會上，與爍科晶體同屬于中電科半導(dǎo)體材料旗下的普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

普興電子致力于高性能Si/SiC半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，是國內(nèi)最大的Si外延材料供應(yīng)商之一。在SiC方面，普興電子正在規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸SiC外延產(chǎn)品的生產(chǎn)項(xiàng)目，助力我國在新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展。

鎵未來

鎵未來本次展出了最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應(yīng)用方案。在眾多產(chǎn)品中，鎵未來特別展示了用于高效率高功率密度數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源解決方案的TOLL封裝GaN器件，TOLL封裝氮化鎵器件轉(zhuǎn)換效率高，助力能源利用的可持續(xù)發(fā)展。

在解決方案方面，其主要展示了65W、140W PD快充方案，200W小體積適配器方案，以及700W無橋圖騰柱高效率LED驅(qū)動電源方案。

瀚天天成

作為全球知名的SiC外延片生產(chǎn)商，瀚天天成在本次展會中主要展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

瀚天天成當(dāng)前已實(shí)現(xiàn)600V~3300V SiC功率器件車規(guī)級外延片的批量生產(chǎn)，全球用戶已超過140家。瀚天天成與廈門大學(xué)等單位產(chǎn)學(xué)研合作，成功實(shí)現(xiàn)基于國產(chǎn)襯底的8英寸SiC同質(zhì)外延生長。

AIXTRON

AIXTRON在本次展會上推出了G10-SiC 外延系統(tǒng)，大量被業(yè)內(nèi)頂級客戶用于6/8英寸SiC晶圓外延材料生長。

AIXTRON是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的沉積設(shè)備供應(yīng)商，其產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)被廣泛的客戶用于生產(chǎn)基于化合物或有機(jī)半導(dǎo)體材料的電子和光電應(yīng)用的高性能組件。

這些器件主要用于各種創(chuàng)新應(yīng)用、技術(shù)和行業(yè)，例如LED和顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)傳輸、傳感器技術(shù)、能源管理和轉(zhuǎn)換，通信，信號和照明技術(shù)以及許多其他要求苛刻的高科技應(yīng)用。

納設(shè)智能

納設(shè)智能在展會上向觀眾介紹了自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延設(shè)備。

納設(shè)智能致力于SiC外延設(shè)備、石墨烯等先進(jìn)材料制造裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣，公司自有SiC外延設(shè)備具有工藝指標(biāo)優(yōu)異、耗材成本低、維護(hù)頻率低等特點(diǎn)，產(chǎn)品從一代機(jī)更新到二代機(jī)，穩(wěn)定性、可靠性大幅度的提升，目前二代機(jī)型已經(jīng)在批量生產(chǎn)與交付。

能華半導(dǎo)體

能華半導(dǎo)體本次展示了基于自身CoreGaN方案的產(chǎn)品布局。根據(jù)PD快充方案電路的特點(diǎn)，CoreGaN產(chǎn)品提高了閾值電壓，相比市場上已有的增強(qiáng)型器件有更優(yōu)的性能和可靠性。

能華半導(dǎo)體是一家專業(yè)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售以GaN為代表的化合物半導(dǎo)體高性能晶圓、器件的高新技術(shù)企業(yè)。該公司GaN產(chǎn)品線涵蓋外延片、功率場效應(yīng)管、集成功率器件以及芯片代工等。公司產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)在行業(yè)中處于領(lǐng)先地位，各類產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，并擁有一批國內(nèi)外知名客戶。

恒普科技

恒普科技提供SiC相關(guān)的設(shè)備及材料解決方案，包括感應(yīng)式/電阻加熱式長晶設(shè)備與6英寸外延設(shè)備。材料方面提供碳化鉭涂層服務(wù)以及多孔石墨等長晶耗材。

恒普科技本次在現(xiàn)場展示了多孔石墨，碳化鉭涂層，與實(shí)驗(yàn)晶錠。

聚能創(chuàng)芯&聚能晶源

本次展會上，聚能創(chuàng)芯&聚能晶源聯(lián)合展示了8英寸硅基氮化鎵外延片、GaN功率器件及相應(yīng)的GaN應(yīng)用方案，為目前需求旺盛的GaN快充領(lǐng)域提供了高性能、高性價比的純國產(chǎn)GaN材料、器件與應(yīng)用技術(shù)解決方案。

聚能創(chuàng)芯和聚能晶源為賽微電子旗下子公司，旨在聯(lián)合打造全球領(lǐng)先的從設(shè)計(jì)、外延，到芯片制造和器件應(yīng)用的GaN功率器件IDM企業(yè)。

希科半導(dǎo)體

本次展會上，?？瓢雽?dǎo)體展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導(dǎo)電型SiC外延片，目前已對十余個業(yè)內(nèi)標(biāo)桿客戶完成送樣并實(shí)現(xiàn)了采購訂單。

漢驊半導(dǎo)體

本次展會中，漢驊半導(dǎo)體推出了多系列硅基/藍(lán)寶石基GaN外延片方案，應(yīng)用于功率電力電子、微波射頻與LED。

漢驊半導(dǎo)體致力于化合物半導(dǎo)體核心材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，其獨(dú)有的硅基/藍(lán)寶石基紅、綠、藍(lán)全色氮化鎵外延技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于新一代高端顯示領(lǐng)域，可在晶圓層實(shí)現(xiàn)硅基集成電路與III-V化合物半導(dǎo)體器件的高密度常溫混合集成。另外，硅基氮化鎵電力電子外延產(chǎn)品覆蓋了增強(qiáng)型外延和耗盡型外延全應(yīng)用領(lǐng)域，適用于30伏至900伏。

百識電子

百識電子在本次展會上重點(diǎn)展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

百識電子是在南京設(shè)立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，其可提供4/6英寸的SiC外延片服務(wù)，以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務(wù)。除了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外延片，百識電子亦可針對特殊應(yīng)用市場需求，提供客制化規(guī)格外延服務(wù)及器件開發(fā)所需的關(guān)鍵制程。

森國科

森國科此次展示了650/1200V SiC二極管以及1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。

森國科主要從事功率器件、模塊，功率IC產(chǎn)品的研發(fā)，其功率器件產(chǎn)品主要包括碳化硅二極管、MOSFET，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機(jī)驅(qū)動芯片兩大類。

合盛新材料

本次展會上，合盛新材料向觀眾介紹了6英寸SiC晶錠、襯底、外延片的解決方案，目前該公司正在寧波建設(shè)6英寸導(dǎo)電型SiC襯底與外延片產(chǎn)線，已實(shí)現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。

平創(chuàng)半導(dǎo)體

平創(chuàng)半導(dǎo)體深耕電力電子半導(dǎo)體行業(yè)，本次攜多種功率器件產(chǎn)品亮相展會。SiC產(chǎn)品方面，主要展出了650V~1200V SiC二極管、MOSFET以及功率模塊，產(chǎn)品與技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲能等領(lǐng)域。

譽(yù)鴻錦

譽(yù)鴻錦本次展出了GaN材料外延、功率電子器件、光電器件等系列產(chǎn)品。

該公司業(yè)務(wù)涵蓋GaN材料外延到芯片模組的全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)能力，主要產(chǎn)品有高性能肖特基二極管（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發(fā)光二極管（UVC-LED）等，這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領(lǐng)域。

宇騰電子

宇騰電子在本次展會上向觀眾介紹了GaN外延產(chǎn)品，該公司目前可提供6/8英寸硅基氮化鎵外延片、4/6/8英寸碳化硅基氮化鎵外延片、4/6英寸藍(lán)寶石基氮化鎵外延片等通用規(guī)格及客制化規(guī)格，公司在HEMT結(jié)構(gòu)的外延技術(shù)可提供D-mode和E-mode兩種工藝，同時支持功率和射頻領(lǐng)域的應(yīng)用。

晟光硅研

本次展會上，晟光硅研帶來了“微射流激光先進(jìn)技術(shù)”最新應(yīng)用成果，該技術(shù)已經(jīng)成功完成6英寸SiC晶錠的切割，可實(shí)現(xiàn)高效率、高質(zhì)量、低成本、低損傷、高良品率SiC單晶襯底制備，吸引業(yè)界所關(guān)注。

氮矽科技

氮矽科技向觀眾介紹了其獨(dú)特的GaN開關(guān)管、驅(qū)動芯片以及快充方案。

該公司擁有來自成都矽能科技和核心技術(shù)合作伙伴“電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室”的全力支持，目前已推出多款合封氮化鎵產(chǎn)品即PIIPTMGaN。Multi-die封裝集成具有高可靠性、低寄生參數(shù)、占板面積小、布局靈活等特點(diǎn)，并且提供多種封裝，供客戶選擇。

英嘉通

英嘉通在本次展會上推出了GaN、SiC功率器件系列產(chǎn)品。

該公司著力于D-mode/Cascode GaN器件設(shè)計(jì)，目前已推出多款成熟的650V GaN功率產(chǎn)品，器件成本競爭優(yōu)勢明顯，技術(shù)種類齊備，已經(jīng)得到市場廣泛的認(rèn)可，為不同的功率應(yīng)用場景提供最簡單、經(jīng)濟(jì)、高效的解決方案。同時，其SiC SBD、MOSFET 全系列產(chǎn)品于2022年進(jìn)入市場，全國產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)鏈以及自主可控的器件、工藝技術(shù)，大幅降低器件成本。

結(jié)語

除了以上廠商外，錸微半導(dǎo)體等第三代半導(dǎo)體廠商亦有相關(guān)產(chǎn)品展出等，同時有優(yōu)晶光電、頂立科技、嵐鯨光電、漢虹精密機(jī)械、中科漢達(dá)等廠商展示了SiC生長設(shè)備、輔助材料等產(chǎn)品。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Matt）

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據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、芯塔電子、Power integrations、瞻芯電子、揚(yáng)杰科技、泰科天潤、能華半導(dǎo)體、潤新微電子、GaN systems、鎵未來、聚能創(chuàng)芯、威兆半導(dǎo)體、芯干線、漢驊半導(dǎo)體、氮矽科技等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）為核心的最新研發(fā)成果和尖端技術(shù)。

01、英諾賽科

作為國內(nèi)出貨量第一的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科在現(xiàn)場展出了全系列氮化鎵產(chǎn)品與方案，應(yīng)用范圍涵蓋高效快充、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、電機(jī)驅(qū)動、戶外儲能電源、數(shù)據(jù)中心及及汽車電子等。

值得一提的是，英諾賽科針對數(shù)據(jù)中心供電解決方案做了全面的布局，可以為行業(yè)提供從前端PSU電源到主板DC/DC模塊以及芯片的直接供電，提高供電鏈路的功率密度和效率，實(shí)現(xiàn)供電轉(zhuǎn)換損耗整體減小50%。

此外，英諾賽科日前推出的采用TO252 / TO220封裝新品也“閃現(xiàn)”展會現(xiàn)場。采用TO產(chǎn)品的氮化鎵120W大功率快充及適配器方案也一并展示，吸引諸多關(guān)注。

據(jù)了解，英諾賽科于2021年成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，2022年銷量成功突破1億。

02、納微半導(dǎo)體

納微帶來了最新的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片解決方案、榮獲CES創(chuàng)新大獎的GaNSense 技術(shù)以及GaNFast?功率芯片解決方案。

搭載了GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片，集成了氮化鎵功率器件、驅(qū)動、控制、額外的自動保護(hù)以及無損電流檢測，帶來最簡單、最輕便、最快速以及更強(qiáng)勁的充電性能。借助最新的超快充技術(shù)，一個小巧、簡便的150W氮化鎵充電器，就能讓智能手機(jī)在20分鐘內(nèi)完成從1-100%的充電。

目前，憑借著互補(bǔ)的GaNFast和GeneSiC技術(shù)，納微半導(dǎo)體已成為下一代電源領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。

03、Power Integraions

展會上，Power Integraions帶來了采用PowiGaN氮化鎵技術(shù)的最新技術(shù)產(chǎn)品，包含InnoSwitch4-Pro電源開關(guān)IC。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括IoT智能家居、電動工具&電單車、USB PD充電器/適配器、家用電器等。

其中，會上展出的140W適用于USB PD3.1擴(kuò)展功率范圍的充電器中采用了PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch4-Pro。最高支持28V5A的輸出，其750V耐壓的氮化鎵開關(guān)大大提升了產(chǎn)品的可靠性及耐受雷電沖擊的能力。得益于氮化鎵開關(guān)的高效率，這款充電器的滿載效率可達(dá)95%。

04、芯塔電子

本次展會，芯塔電子集中展示了碳化硅全系產(chǎn)品和技術(shù)，包括具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平的6英寸碳化硅SBD/MOSFET晶圓和可用于新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、PD快充電源、電源PFC上的650-1200V的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模塊等。

芯塔電子針對PD快充領(lǐng)域推出了DFN8*8和DFN5*6兩種封裝形式碳化硅二極管產(chǎn)品，助力高功率密度快充產(chǎn)品的開發(fā)。

此外，芯塔電子本次推出的DFN封裝系列產(chǎn)品目前已通過多家客戶的測試驗(yàn)證，并對部分客戶形成批量供貨。芯塔電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證均按照車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，技術(shù)參數(shù)可對標(biāo)國際一線公司的最新產(chǎn)品，滿足高端領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代需求。

據(jù)了解，芯塔電子是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。目前公司已完成一系列的產(chǎn)品研發(fā)和批量生產(chǎn)，逐漸形成較完整的功率器件產(chǎn)品體系，產(chǎn)品在高端電源領(lǐng)域通過驗(yàn)證，進(jìn)入了行業(yè)標(biāo)桿客戶，同時在軍工、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域進(jìn)行了送樣和銷售。

05、潤新微電子

潤新微電子是華潤微旗下的第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延、晶圓及器件制造商，提供650V、900V全規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應(yīng)用覆蓋20W~18KW。

此次展會，公司展出了6英寸650V氮化鎵晶圓和外延片，及采用DFN5*6、DFN8*8、TO-252、TO-263、TO-220、TO-247封裝形式的氮化鎵功率器件。內(nèi)阻覆蓋720mΩ~35mΩ。

據(jù)了解，潤新微電子氮化鎵功率器件的特點(diǎn)是兼容標(biāo)準(zhǔn)MOS驅(qū)動，應(yīng)用設(shè)計(jì)簡單；抗擊穿電壓高達(dá)1500V以上，使用安心。產(chǎn)品主要應(yīng)用于三電：電源、電機(jī)、電池，覆蓋電源管理、太陽能逆變器、新能源汽車及高端電機(jī)驅(qū)動等科技產(chǎn)業(yè)。

06、珠海鎵未來

鎵未來專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)，提供從30W到6000W的氮化鎵器件及系統(tǒng)設(shè)計(jì)解決方案。目前已完成多輪融資，投資方包括珠海科創(chuàng)投、大橫琴集團(tuán)、境成資本、禮達(dá)基金，融資金額過億。

會上，公司展出了6英寸氮化鎵晶圓、氮化鎵快充、DC-DC變換器、服務(wù)器導(dǎo)冷電源、LED電源等產(chǎn)品和方案。

07、GaN Systems

GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領(lǐng)域，該公司屬于先行者。

展會上，公司展出了受三星、戴爾、雷蛇 等全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)品牌所采用之氮化鎵快速充電器與適配器。

值得注意的是，3月初，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems，雙方已就此達(dá)成最終協(xié)議。

08、泰科天潤

泰科天潤展出了碳化硅功率器件、6英寸碳化硅晶圓及PD電源、工業(yè)電源等應(yīng)用案例/方案。

其中，4000W逆變器方案的LLC頻率為90KHz-300KHz，效率為99%，具有效率高，1U標(biāo)準(zhǔn)機(jī)箱等優(yōu)點(diǎn).。方案采用了泰科天潤生產(chǎn)的G3S06510B 碳化硅器件。

泰科天潤湖南碳化硅6英寸線第一期年產(chǎn)能6萬片碳化硅6英寸片，預(yù)計(jì)今年年底完成擴(kuò)產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬片碳化硅6英寸片。同期泰科天潤位于北京的新研發(fā)總部和8英寸線也在布局，預(yù)計(jì)2025年完工，可實(shí)現(xiàn)10萬片碳化硅8英寸片/年產(chǎn)能，更好的服務(wù)客戶，保障交付！

公司產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、 DC-DC等領(lǐng)域。產(chǎn)品規(guī)格涵蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規(guī)格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內(nèi)絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式。

09、基本半導(dǎo)體

會上，基本半導(dǎo)體展出了6英寸碳化硅JBS晶圓、碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件和汽車及HPD碳化硅MOSFET模塊等產(chǎn)品。

基本半導(dǎo)體是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

公司研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，推出通過AEC-Q101可靠性測試的碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET以及汽車級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

10、瞻芯電子

公司展出了業(yè)界首創(chuàng)的CCM模式圖騰柱模擬PFC控制芯片、SiC MOSFET專用比鄰驅(qū)動芯片，以及車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET、SBD等產(chǎn)品。

其中，2.5kW圖騰柱PFC芯片（IVCC1102）獲得了第八屆中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎之優(yōu)秀產(chǎn)品創(chuàng)新獎，得益于IVCC1102具備更快速、更精確、高可靠的模擬控制，故無需編程，使用簡單，可助力電源方案快速定型并推向市場應(yīng)用。

瞻芯電子聚焦于碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品，并為客戶提供一站式芯片解決方案。

近期，公司陸續(xù)發(fā)布了2款TOLL貼片封裝的650V SiC MOSFET，能能滿足更緊湊、低損耗、更高功率設(shè)計(jì)的應(yīng)用要求。

此外，還量產(chǎn)了2款Si/GaN/IGBT通用柵級驅(qū)動芯片IVCR1407A與1801A，能安全可靠地驅(qū)動器件以高達(dá)數(shù)百kHz開關(guān).

近年來，瞻芯電子屢受資本青睞。日前，公司完成數(shù)億元B輪融資，由國方創(chuàng)新領(lǐng)投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機(jī)構(gòu)跟投。

11、能華半導(dǎo)體

能華半導(dǎo)體聚焦以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導(dǎo)體高性能晶圓、器件。目前，公司的產(chǎn)品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應(yīng)管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。

展會上，能華半導(dǎo)體展出了36W、60W和65W適配器方案。據(jù)了解，基于能華氮化鎵功率器件的65W適配器方案，熱可靠性大為提高。

12、江西譽(yù)鴻錦

江西譽(yù)鴻錦主要從事高品質(zhì)氮化鎵（GaN）電子電力材料和高端光電材料的MOCVD外延生長、芯片制造及相關(guān)器件封裝，是目前國內(nèi)僅有的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新型科技企業(yè)。

展會上公司展出了氮化鎵MOS、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵快充和氮化鎵適配器電源等一系列產(chǎn)品和方案。公司功率器件產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心，射頻器件用于5G通訊設(shè)備及個人5G終端等領(lǐng)域

13、威兆半導(dǎo)體

威兆半導(dǎo)體是專業(yè)從事分立器件系列的設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)的高科技企業(yè)，同時也是國內(nèi)少數(shù)于12英寸晶圓成功開發(fā)功率分立器件的公司之一。

公司的產(chǎn)品主要為開關(guān)電源充電器用的大功率MOSFET 場效應(yīng)管、超低壓降肖特基、快恢復(fù)二極管及器件模塊化應(yīng)用設(shè)計(jì)，致力于提高產(chǎn)品能效比。此外，公司還有一款 GaN芯片。

此次展會上，公司主要展出了PD快速充電器、無限充電器方案，以及主要應(yīng)用于手機(jī)電池、TWS電池、只能手表電池的CSP系列demo board。

14、聚能創(chuàng)芯

聚能創(chuàng)芯聚焦于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵（GaN），致力于打造GaN器件開發(fā)與應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)，為PD快充、智能家電、云計(jì)算、5G通訊等提供國產(chǎn)化核心元器件支持。旗下聚能晶源聚焦于第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延材料。

展會上，公司展出了6英寸硅基氮化鎵外延片、8英寸AIGaN/GaN外延片，以及GaN PD快充、GaN高頻快充、GaN LED照明、GaN TV Power等方案。

GaN PD快充方案中，最大輸出功率240W，采用PFC+LLC架構(gòu)，滿載輸出效率95%，可拓展多路USB Type C輸出。

15、漢驊半導(dǎo)體

公司在會上展出了多種規(guī)格的外延片產(chǎn)品。其中，4英寸藍(lán)寶石基全色LED外延片（紅&藍(lán)），主要應(yīng)用于AR/VR領(lǐng)域；6英寸硅基氮化鎵功率電子外延片，主要應(yīng)用于下一代電力電子、功率器件。

據(jù)悉，漢驊半導(dǎo)體致力于先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品應(yīng)用于5G通訊、功率電子、Micro-LED全色顯示、UV紫外消毒固化、微控流芯片、以及其他諸多關(guān)鍵應(yīng)用場景。

目前在蘇州工業(yè)園區(qū)核心區(qū)域已建成：約20000㎡廠區(qū)、5000㎡潔凈室，數(shù)十臺MOCVD，6/8英寸光電芯片-MEMS量產(chǎn)產(chǎn)線，是具備國際領(lǐng)先水準(zhǔn)的高端半導(dǎo)體閉環(huán)研發(fā)與生產(chǎn)基地。

16、芯干線

展會上，芯干線展出了碳化硅功率器件、650V氮化鎵功率器件和500W氮化充電模塊等產(chǎn)品和方案。

其中，500W氮化充電模塊解決方案采用芯干線X-GaN和X-SiC，目前已通過EMI傳導(dǎo)輻射測試，支持量產(chǎn)。

據(jù)悉，芯干線聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊設(shè)計(jì)研發(fā)。公司產(chǎn)品線包括增強(qiáng)型氮化鎵功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及第三代半導(dǎo)體電源模塊。為下游客戶提供先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用方案和全面的技術(shù)支持，涵蓋消費(fèi)級、工業(yè)級等各領(lǐng)域。

17、氮矽科技

氮矽科技成立于2019年4月，專注于氮化鎵功率器件及其驅(qū)動芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)、銷售及方案提供。

2020年3月，氮矽科技發(fā)布國內(nèi)首款氮化鎵超高速驅(qū)動器DX1001，同年4月推出國內(nèi)多款量產(chǎn)級別的650V氮化鎵功率芯片DX6515/6510/6508，進(jìn)軍PD快充行業(yè)。目前可提供65W 2C1A、65W單C、120W 2C1A等多種應(yīng)用解決方案。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber）

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