近日，北京颶芯科技有限公司（以下簡稱颶芯科技）和深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱芯能半導(dǎo)體）旗下兩個第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目相繼披露最新進展。
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國內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)
近期，颶芯科技國內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)發(fā)布會于廣西柳州舉行，標志著GaN半導(dǎo)體激光器芯片實現(xiàn)了進口替代和自主可控。
據(jù)悉，由于技術(shù)門檻較高，國際上只有少數(shù)企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決GaN激光器芯片“卡脖子”問題，颶芯科技建成了國內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線，產(chǎn)線包含8大工藝站點，擁有半導(dǎo)體量產(chǎn)設(shè)備100余臺，涵蓋襯底、外延、工藝與封測等各生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
目前，北京大學(xué)胡曉東團隊已經(jīng)攻克了GaN半導(dǎo)體激光器相關(guān)的主要科學(xué)和技術(shù)問題，建立了芯片制備技術(shù)中的8大核心工藝，打破了國外企業(yè)長期的技術(shù)壟斷。
此外，半導(dǎo)體所集成光電子學(xué)國家重點實驗室趙德剛研究員團隊已經(jīng)研制出GaN基大功率紫外激光器，室溫連續(xù)輸出功率2W，電注入激射波長384nm。這是趙德剛研究員團隊在實現(xiàn)波長小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要進展。
資料顯示，GaN基紫外激光器由于波長短、光子能量大，在消毒殺菌、病毒檢測、激光加工、紫外固化等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。但由于GaN基紫外激光器基于大失配異質(zhì)外延材料技術(shù)制備而成，缺陷多、發(fā)光效率低，器件研制難度大，瓦級大功率紫外激光器一直是國際相關(guān)領(lǐng)域研究的熱點，但關(guān)鍵技術(shù)尚未完全攻克，大功率紫外激光器是國際公認的技術(shù)壁壘。
芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房完成交接
近日，芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開區(qū)舉行，本次交接項目為一棟三層半結(jié)構(gòu)，約13000m2。
官網(wǎng)資料顯示，芯能半導(dǎo)體成立于2013年9月，專注功率芯片、驅(qū)動芯片設(shè)計開發(fā)，產(chǎn)品包括分立器件(Discrete)、智能功率模塊(IPM)以及標準功率模塊(PIM)，廣泛應(yīng)用于工控、家電、以及新能源汽車等領(lǐng)域。
芯能半導(dǎo)體總部位于深圳，在浙江義烏建有車規(guī)級功率模塊制造基地，在深圳、上海、蘇州設(shè)有研發(fā)中心，并在深圳、上海、蘇州、青島、順德、杭州等地建立了銷售辦事處。目前，芯能半導(dǎo)體合作客戶超過1000家，廣泛分布于小家電、白色家電、工控、新能源汽車、以及太陽能逆變器等領(lǐng)域。
2023年5月，芯能半導(dǎo)體與合肥市政府簽署項目合作協(xié)議，將在合肥安巢經(jīng)開區(qū)建設(shè)10條IGBT、5條SiC MOS自動化生產(chǎn)線，產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、太陽能和家電等行業(yè)。
據(jù)透露，芯能半導(dǎo)體合肥項目專注于大功率模塊封測，項目整體建成達產(chǎn)后，預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)480萬只IGBT模塊和60萬只SiC MOS模塊。
產(chǎn)品方面，芯能半導(dǎo)體去年7月發(fā)布了IPM29 SiC MOS智能功率模塊新產(chǎn)品。作為緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，針對SiC定制優(yōu)化驅(qū)動部分，能夠有效減小開關(guān)振蕩。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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