聚焦SiC,三方聯(lián)合啟動科技重大專項

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 15 日 17:39 | 分類 企業(yè)

SiC上車進展方面,市場上又有利好消息傳出。近日,深圳愛仕特科技有限公司(以下簡稱愛仕特)、深圳市英威騰電動汽車驅(qū)動技術(shù)有限公司、中國科學(xué)院深圳先進技術(shù)研究院簽署合作協(xié)議,聯(lián)合開發(fā)基于SiC的新能源汽車高集成度多功能驅(qū)動系統(tǒng),獲得了2023年度深圳市創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)計劃—科技重大專項項目的立項批準。

source:愛仕特

據(jù)悉,該項目技術(shù)研發(fā)涵蓋SiC功率模塊、高可靠性電子控制系統(tǒng)及混合動力驅(qū)動系統(tǒng)。其中,愛仕特將著力研發(fā)SiC功率器件的關(guān)鍵封裝及測試、驅(qū)動和結(jié)溫保護等技術(shù),重點開發(fā)SiC驅(qū)動,實現(xiàn)門極震蕩的抑制、快速精準的保護性能。

作為一家SiC MOS芯片設(shè)計、模塊生產(chǎn)和系統(tǒng)開發(fā)廠商,愛仕特產(chǎn)品涵蓋電壓650V-3300V、電流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗損的SiC MOS模塊,以及基于SiC MOS模塊的整機應(yīng)用系統(tǒng)方案,產(chǎn)品性能達到國際先進水平,提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。

近年來,愛仕特持續(xù)通過合作加深SiC產(chǎn)業(yè)布局。去年3月,愛仕特與漢磊集團在1700V和3300V SiC MOS的量產(chǎn)準備、共同合作開發(fā)SiC MOS trench工藝技術(shù)、共同合作開發(fā)8英寸SiC MOS工藝技術(shù)等方面達成重要合作。

在與漢磊集團交流過程中,愛仕特展示了自主研發(fā)生產(chǎn)的全SiC MOS模塊,全部采用漢磊代工生產(chǎn)的1200V 17毫歐SiC MOS芯片,也是國內(nèi)較早上車使用的自主研發(fā)的SiC MOS芯片。
而在今年3月1日,愛仕特宣布,公司成功中標中國電氣裝備集團旗下“SiC模塊封裝設(shè)計與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù)項目”。

愛仕特指出,此次中標,公司將提供SiC功率模塊封裝設(shè)計與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù),在項目工期內(nèi)交付基于愛仕特1200V/1700V SiC芯片的62mm封裝定制開發(fā)功率模塊。愛仕特將根據(jù)需求持續(xù)批量交付高質(zhì)量SiC功率器件,進一步拓展新能源市場。

值得一提的是,2023年1月,愛仕特完成超3億元戰(zhàn)略融資,由武岳峰資本領(lǐng)投,國家開發(fā)銀行、中信建投資本、瑞芯資本、善金資本等跟投,本輪融資資金用于加速車規(guī)級SiC MOS芯片研發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新。

本次合作及項目獲批,有助于愛仕特提升車規(guī)級SiC功率器件技術(shù)水平,加速其SiC MOS產(chǎn)品上車。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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