氮化鎵晶圓代工廠BelGaN收到10億元競標

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 18:30 | 分類 氮化鎵GaN

7月底,總部位于比利時奧德納爾德(Oudenaarde, Belgium)的硅基GaN(氮化鎵)晶圓代工廠宣布申請破產(chǎn),近日傳出新進展:意向買家已經(jīng)出現(xiàn)。

據(jù)外媒報道,BelGaN現(xiàn)已收到多項競標,其中,一家瑞典-芬蘭財團以位于赫爾辛基的7 Semiconductors Oy為名義給出了15億瑞典克朗(約合人民幣10.5億元)的報價。

作為本項競標的支持者之一,Spirit Ventures風險投資公司Gerard de Bourbon表示,他們?yōu)橹θ鸬湓诎雽w領域重新獲得領先地位已努力了近3年,并透露最初的計劃是在此地建立一家半導體工廠,但后來開始與比利時展開相關討論。在本次給出報價之前,他們先發(fā)出了競購意向書,預計交易金額約15億瑞典克朗。

除了該財團之外,BelGaN此前的所有者也有意收購6英寸和8英寸晶圓代工廠,比利時企業(yè)家Guido Dumarey也提出了報價,但競標金額尚未披露。

據(jù)悉,奧德納爾德工廠最早于1983年作為MIETEC成立,隨后相繼被Alcatel和AMI收購,又于2008年出售給安森美半導體(OnSemi)。報道稱,安森美此前在重組過程中試圖出售該CMOS硅晶圓廠,但未能找到買家,最后于2022年將其剝離分拆,BelGaN硅基GaN代工廠由此成立(中國資本)。

在GaN領域,該硅晶圓廠早在2009年開始投入相關技術研發(fā)工作,并于2023年6月推出了首款650V E-Mode eGaN技術,2023年底宣布將生產(chǎn)依托650V eGaN技術的第一代產(chǎn)品,并采購了AIXTRON愛思強的G10-GaN設備。

去年以來,BelGaN在GaN技術和業(yè)務上持續(xù)取得新進展。比如,2023年12月,BelGaN展示了1200V E-Mode GaN-on-Si技術;2024年3月宣布“BEL1 650V eGaN平臺”已獲得多個主要客戶的訂單并準備批量生產(chǎn),同時披露擴產(chǎn)計劃。

但實際上,該公司一直面臨著現(xiàn)金流短缺的問題,加上由于在需要大量投資以支持轉型的過程中未能成功找到額外投資,最終在7月30日申請破產(chǎn)保護。(集邦化合物半導體Jenny編譯)

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