7月19日，據(jù)“上饒市人民政府發(fā)布”官微消息，今年二季度，投資25億元的萬年晶第三代半導體項目已正式投產(chǎn)。據(jù)悉，萬年晶半導體是江西首家藍寶石基功率器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售廠商，主營第三代半導體高電子遷移率晶體管芯片，可廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、儲能、汽車電子等領域。
source：上饒市人民政府發(fā)布
據(jù)此前消息，萬年晶第三代半導體項目投產(chǎn)后將成為江西省首個量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠，年產(chǎn)量達20萬片。
近期，氮化鎵產(chǎn)業(yè)熱度持續(xù)上漲，在合作、產(chǎn)品、項目等方面頻頻傳出新動態(tài)。
合作方面，5月28日，佳恩半導體與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。此次合作，雙方將共同研究開展氮化鎵功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結構及參數(shù)，基于氮化鎵器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對氮化鎵功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關聯(lián)，開展氮化鎵功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。
5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能氮化鎵解決方案方面加強合作。
產(chǎn)品方面，5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出三款氮化鎵驅動器產(chǎn)品，分別是INS1001DE（單通道驅動器）、INS2001FQ（半橋驅動器）和INS2001W（半橋驅動器），可廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、汽車電子、電池化成、太陽能微逆、馬達驅動等多個領域。
6月19日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導體）宣布，公司已確認650伏氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預計年內完成開發(fā)。
項目方面，今年4月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設。能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建氮化鎵外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸氮化鎵外延片的生產(chǎn)能力。
5月13日，埃特曼半導體全資子公司埃特曼（廈門）光電科技有限公司舉行了埃特曼半導體廈門外延工廠開業(yè)儀式。根據(jù)集美產(chǎn)業(yè)投資官微消息，該工廠是埃特曼半導體打造的第二個示范外延工廠，將生產(chǎn)高性能、低成本的氮化鎵外延片。（集邦化合物半導體Zac整理）
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