晶圓代工廠漢磊擬進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體8英寸廠，考量投資成本太高，計劃與具有現(xiàn)成8英寸廠的企業(yè)，展開策略合作; 半導(dǎo)體業(yè)界傳出，漢磊將與力積電合作，擬采技術(shù)作價方式，運(yùn)用力積電的8英寸廠生產(chǎn)，雙方資源互補(bǔ)，以達(dá)經(jīng)濟(jì)效益。
漢磊深耕化合物半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）長達(dá)10年以上，也是中國臺灣少數(shù)半導(dǎo)體業(yè)擁有SiC、GaN技術(shù)的廠商，但旗下的晶圓廠都屬6英寸廠，隨著國際大廠與國內(nèi)同業(yè)逐漸建立化合物半導(dǎo)體8英寸生產(chǎn)線，漢磊也開始展開進(jìn)軍8英寸廠的準(zhǔn)備。
source：漢磊
漢磊董事長徐建華于上周股東會后受訪指出，目前漢磊正積極進(jìn)行8寸廠的準(zhǔn)備，包括技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)，但就生產(chǎn)而言，自己蓋晶圓廠的成本太高，將找已有8英寸廠的企業(yè)策略合作，才具最佳經(jīng)濟(jì)效益。
就合作時間考量，徐建華表示，因目前8寸襯底價格超過6英寸三倍，他估計大約還要等一年到一年半的時間，等襯底降到合理價格，將是發(fā)展8英寸的最好時機(jī)點(diǎn)。他并說，可能今年就可敲定合作對象，目前不方便透露。
半導(dǎo)體業(yè)界透露，力積電在化合物半導(dǎo)體欠缺技術(shù)，尤其是門檻較高的SiC，8英寸廠產(chǎn)能利用率也不高，漢磊將與力積電合作，擬采技術(shù)作價方式，雙方資源互補(bǔ)，以達(dá)經(jīng)濟(jì)效益，目前洽談合作中。
隨著產(chǎn)業(yè)往高頻的5G通訊、高電壓的電動車發(fā)展，未來AI更是看好，擁有高頻、高電壓的GaN、SiC的化合物半導(dǎo)體前景看好，徐建華尤其看好SiC，包括電動車、能源與AI，都會驅(qū)動SiC的應(yīng)用與需求大幅提升。
不過，化合物半導(dǎo)體以國際大廠包括Wolfspeed、英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semi）等歐美日廠商為主，近幾年中國大陸積極投入資源，砸重金搶占市場，企圖彎道超車，產(chǎn)能大幅開出、殺價競爭，傳出SiC報價比漢磊少一半以上，漢磊與力積電未來在8吋廠攜手合作，也很難與中國大陸競爭。（來源：自由時報）
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