匯成真空與武漢理工共同開發(fā)SiC晶圓外延單片機(jī)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)

6月11日,廣東匯成真空科技股份有限公司(以下簡稱匯成真空)在投資者互動平臺表示,其與武漢理工大學(xué)簽訂了《碳化硅晶圓外延單片機(jī)熱、流場設(shè)計(jì)的技術(shù)開發(fā)合同書》,合作內(nèi)容為雙方共同參與SiC晶圓外延單片機(jī)系統(tǒng)中真空系統(tǒng)、溫場、氣路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示,匯成真空成立于2006年,是一家面向全球的真空應(yīng)用解決方案提供商,研發(fā)、生產(chǎn)和銷售光學(xué)鍍膜設(shè)備、功能性薄膜涂層設(shè)備、裝飾涂層設(shè)備、卷繞鍍膜設(shè)備、汽車零部件鍍膜設(shè)備、連續(xù)式磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線、超高真空系統(tǒng)等真空設(shè)備、ALD原子層沉積設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備、電子生產(chǎn)設(shè)備、光電設(shè)備、光伏設(shè)備、動力電池設(shè)備及產(chǎn)品相關(guān)配件,專注設(shè)備與產(chǎn)品的相關(guān)制造工藝和應(yīng)用技術(shù)、控制軟件、工藝流程控制軟件及相關(guān)生產(chǎn)自動化軟件的研發(fā)、應(yīng)用。

?技術(shù)方面,匯成真空重點(diǎn)發(fā)展連續(xù)式磁控鍍膜生產(chǎn)線、柔性薄膜卷繞鍍膜技術(shù)、光學(xué)鍍膜技術(shù)及離子鍍膜技術(shù),包括非平衡磁控、中頻磁控濺射、電弧蒸發(fā)源、離子源輔助鍍膜、電子束蒸發(fā)、PECVD等多種核心技術(shù)組合,針對每個行業(yè)的特殊需求,將尖端設(shè)備技術(shù)和綜合工序以及應(yīng)用專業(yè)技術(shù)相結(jié)合,從研發(fā)、原型制作到批量生產(chǎn),提供定制化的真空應(yīng)用工藝技術(shù)及設(shè)備解決方案。

SiC業(yè)務(wù)方面,近日,匯成真空公開一項(xiàng)“一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐”專利,申請公布號為CN117824353A,申請日期為2024年1月2日。

該專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐,其包括工藝腔體、晶圓架、爐門、預(yù)加熱腔和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),爐門通過升降機(jī)構(gòu)安裝在工藝腔體的下方,工藝腔體內(nèi)部設(shè)有工藝爐管和加熱器,晶圓架通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)安裝在爐門上,使用時由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動晶圓架轉(zhuǎn)動;預(yù)加熱腔安裝在工藝腔體的上面,預(yù)加熱腔通過氣體通道與工藝爐管連通,預(yù)加熱腔內(nèi)設(shè)有預(yù)加熱裝置,預(yù)加熱腔上設(shè)置進(jìn)氣口,工藝腔體的遠(yuǎn)離預(yù)加熱腔的位置設(shè)置抽氣口;使用時從進(jìn)氣口輸入工藝氣體,工藝氣體經(jīng)預(yù)加熱腔的預(yù)加熱裝置加熱后再進(jìn)入工藝爐管內(nèi),同時從抽氣口抽出氣體。本發(fā)明能更均勻的對內(nèi)部的晶圓片進(jìn)行加熱,從而得到更高質(zhì)量的碳化硅柵氧層。

6月5日,匯成真空首次公開發(fā)行股票并在深交所創(chuàng)業(yè)板成功上市。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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