國星光電主要從事電子元器件研發(fā)、制造與銷售，主要產(chǎn)品分為LED外延片及芯片產(chǎn)品、LED封裝及組件產(chǎn)品、集成電路封測產(chǎn)品及第三代化合物半導體封測產(chǎn)品等。
據(jù)悉，SiC和GaN等第三代半導體憑借高頻率、高溫穩(wěn)定性和低損耗特性，在新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等高壓高功率應用領域不斷開拓，發(fā)展前景光明。在此背景下，國星光電早在2019年就成立了第三代半導體小組，目前已經(jīng)整合了總部研究院、風華芯電（國星光電控股子公司）及國星半導體的第三代半導體業(yè)務團隊，未來將在第三代半導體外延、功率芯片封裝及器件領域持續(xù)發(fā)力。
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目前，在第三代半導體領域，國星光電已完成GaN基功率器件外延片的產(chǎn)品開發(fā)，正在全面發(fā)力第三代半導體封測技術，推出了低雜感SiC封裝系列產(chǎn)品、集成化GaN-IC產(chǎn)品，其中SiC SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級認證。
產(chǎn)品方面，具體來看，國星光電SiC產(chǎn)品包括SiC SBD系列，SiC MOS系列，NSiC功率模塊NS34m、NS62m、NSEAS，應用場景包括光伏逆變、工業(yè)電源、充電樁、軌道交通及智能電網(wǎng)、UPS不間斷電源等工業(yè)領域；其GaN產(chǎn)品包括NSGaN系列、E-mode系列、Cascode系列等，適用于LED驅動電源、適配器、插座充電面板等消費類領域。
近一年內，國星光電GaN業(yè)務布局成果持續(xù)產(chǎn)出。2023年9月，國星光電聯(lián)合佛山照明智達電工科技有限公司開發(fā)的基于第三代半導體GaN應用墻插快充產(chǎn)品正式面世。據(jù)介紹，該產(chǎn)品采用了國星光電33W GaN技術，該技術主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的GaN墻插電源，進一步提升了產(chǎn)品的充電效率及安全性能。
今年2月，國星光電公布一項名為“一種氮化鎵器件驅動芯片及驅動方法“的專利。該專利提供的GaN器件驅動芯片，可同時兼容Cascode結構的GaN器件和E-mode型的GaN器件，無需針對Cascode結構的GaN器件和E-mode型的GaN器件分別設計驅動芯片，降低了成本。
而在5月28日，國星光電在互動平臺表示，風華芯電生產(chǎn)的GaN器件產(chǎn)品，目前已量產(chǎn)接單供客戶使用，意味著國星光電GaN產(chǎn)品系列有望進一步擴充。（集邦化合物半導體Zac整理）
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