近日，揚(yáng)杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。
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揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專利
天眼查資料顯示，5月10日，揚(yáng)杰科技取得一項(xiàng)“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號CN110749389B，申請日期為2019年12月1日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。
該專利摘要顯示，一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)、涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)。提供了一種方便檢測，提供檢測可靠性的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)。包括芯片、引線框架以及覆蓋在芯片、引線框架上的塑封層，所述芯片包括襯底、制作在襯底上的氮化鎵MOSFET結(jié)構(gòu)層、制作在襯底底部的壓阻、制作在襯底底面上的絕緣層、制作在絕緣層上的電極層，所述襯底的材料為單晶硅。本發(fā)明的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)的制備工藝與常規(guī)氮化鎵MOSFET芯片制備和封裝工藝兼容，制備過程簡單易行。
source：天眼查
此前，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技全面聚焦SiC產(chǎn)業(yè)，其2023年年報(bào)顯示，公司已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOSFET產(chǎn)品，型號覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOSFET平臺的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達(dá)到3300mΩ.nC以下，可對標(biāo)國際水平。2023年，揚(yáng)杰科技還開發(fā)了FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。目前，其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等領(lǐng)域。
其中，在當(dāng)前十分火熱的車用場景，揚(yáng)杰科技自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家 Tier1 和終端車企的測試及合作意向，計(jì)劃于 2025 年完成全國產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊的批量上車。
在此前已組建GaN研發(fā)團(tuán)隊(duì)的基礎(chǔ)上，伴隨著此次揚(yáng)杰科技取得新專利，其業(yè)務(wù)布局有望進(jìn)一步向GaN產(chǎn)業(yè)加大滲透。
新潔能取得SiC SBD專利
天眼查資料顯示，5月10日，新潔能取得一項(xiàng)“一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管及其制造方法”專利，授權(quán)公告號CN109037356B，申請日期為2018年10月15日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。
該專利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管，半導(dǎo)體基板包括N型碳化硅襯底及N型碳化硅外延層，在N型碳化硅外延層內(nèi)的上部設(shè)有若干個間隔分立的條形第一P型阱區(qū)及條形第一N型阱區(qū)，在條形第一P型阱區(qū)和條形第一N型阱區(qū)下方或下表面設(shè)有若干個間隔分立的條形第二P型阱區(qū)及條形第二N型阱區(qū)，條形第一P型阱區(qū)分別與條形第二P型阱區(qū)、條形第二N型阱區(qū)間呈30度~90度的夾角；本發(fā)明通過在條形第一P型阱區(qū)下方設(shè)置與條形第一P型阱區(qū)呈一定夾角的條形第二P型阱區(qū)，同時提高條形P型阱區(qū)間條形N型阱區(qū)的摻雜濃度，大幅增加器件的擊穿電壓，改善器件的浪涌電流能力。
source：天眼查
作為一家功率半導(dǎo)體廠商，新潔能目前正在全面布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大代表材料SiC和GaN。在SiC領(lǐng)域，2023年，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品12款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段。
在GaN領(lǐng)域，2023年，新潔能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，并通過可靠性考核，其100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。
此次取得新專利，有助于新潔能進(jìn)一步提升SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)水平。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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