鼎鎵半導(dǎo)體聯(lián)手華中師范大學(xué)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 09 日 17:24 | 分類 企業(yè)

近日,鼎鎵半導(dǎo)體與華中師范大學(xué)與建立了緊密的校企合作關(guān)系,雙方將共同致力于推動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展和創(chuàng)新。
鼎鎵半導(dǎo)體指出,此次合作將充分發(fā)揮華中師范大學(xué)在教育、科研等方面的優(yōu)勢(shì),以及鼎鎵半導(dǎo)體在行業(yè)內(nèi)的技術(shù)實(shí)力和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。通過合作,華中師范大學(xué)與鼎鎵半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),共同為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
據(jù)了解,除了華中師范大學(xué),鼎鎵半導(dǎo)體的合作伙伴還包括北京理工大學(xué)、嘉興大學(xué)以及浙江蔚元電子科技有限公司西安研發(fā)中心。

公開資料顯示,嘉興鼎鎵半導(dǎo)體是一家以第三代半導(dǎo)體外延片制備、芯片設(shè)計(jì)及相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)為主的優(yōu)勢(shì)民企,主要產(chǎn)品是以第三代半導(dǎo)體材料為主的GaN紫外光電半導(dǎo)體芯片(深紫外LED芯片)、深紫外探測(cè)器、GaN功率芯片、GaN激光器光源等,并向國內(nèi)外市場提供上述高新技術(shù)產(chǎn)品。

source:鼎鎵半導(dǎo)體

2022年1月,鼎鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)首張GaN 6英寸高功率深紫外LED外延的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長流片,完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試,將傳統(tǒng)50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價(jià)格的三分之一,同時(shí)將高功率固態(tài)半導(dǎo)體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>

據(jù)介紹,鼎鎵半導(dǎo)體在普通藍(lán)寶石襯底的基礎(chǔ)上,引入了全新的半導(dǎo)體材料與AlGaN材料結(jié)合的方式,通過超晶格結(jié)構(gòu)使用兩類半導(dǎo)體化合物材料優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷,突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結(jié)構(gòu)的限制,實(shí)現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。

經(jīng)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè),外延一致性達(dá)到了97%,峰值波長在265nm,輸出光功率不低于1500a.u.,核心buffer層厚度突破了4μm。

目前,鼎鎵半導(dǎo)體已獲得多項(xiàng)發(fā)明與實(shí)用新型專利,產(chǎn)品主要應(yīng)用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味,涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領(lǐng)域。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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