近日，安世半導(dǎo)體、士蘭微、納芯微等第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商相繼發(fā)布了最新業(yè)績(jī)。其中，士蘭微、賽微電子、捷捷微電在2024年第一季度均實(shí)現(xiàn)營(yíng)收同比增長(zhǎng)。
安世半導(dǎo)體2023年?duì)I收21.5億美元
4月6日，安世半導(dǎo)體（Nexperia）公布了2023年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。2023年，Nexperia實(shí)現(xiàn)營(yíng)收21.5億美元，2022年同期為23.6億美元。盡管收入略有下降，市場(chǎng)需求疲軟，但2023年Nexperia傳統(tǒng)強(qiáng)勢(shì)的汽車(chē)業(yè)務(wù)收入大幅增長(zhǎng)。
Nexperia首席財(cái)務(wù)官Stefan Tilger表示，Nexperia在2023年進(jìn)行了非常多的投資，旨在升級(jí)和擴(kuò)充功率分立器件、模塊、模擬和功率IC方面的產(chǎn)品組合，這些投資占據(jù)公司收入的13%。展望2024年，盡管歐洲和北美的不確定性依然存在，但是亞洲需求水平的提高令他感到鼓舞。
據(jù)悉，2023年11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件，RDS（on）分別為40mΩ和80mΩ。
這兩款器件是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，可用性高，可滿足電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁、不間斷電源（UPS）以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）逆變器等汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用對(duì)高性能SiC MOSFET的需求。
納芯微2023年?duì)I收13.11億，SiC MOSFET已送樣
4月25日晚間，納芯微發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年，納芯微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收13.11億元，同比下滑21.52%；歸母凈利潤(rùn)-3.05億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-3.93億元。
2023年，納芯微圍繞新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)、快充消費(fèi)等下游應(yīng)用，積極布局第三代功率半導(dǎo)體SiC MOSFET相關(guān)器件。報(bào)告期內(nèi)，納芯微推出了與GaN適配的驅(qū)動(dòng)芯片及power stage集成產(chǎn)品；1200V SiC二極管系列已全面量產(chǎn)；650V/1200V SiC MOSFET系列已全面送樣。納芯微SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過(guò)全面的車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證，確保符合汽車(chē)級(jí)應(yīng)用的要求。
關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟(jì)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，其產(chǎn)品售價(jià)承壓，毛利率有所下降；2023年度，汽車(chē)電子領(lǐng)域整體需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，消費(fèi)電子領(lǐng)域景氣度改善，但工業(yè)市場(chǎng)和光伏、儲(chǔ)能市場(chǎng)仍處于去庫(kù)存和逐步恢復(fù)階段；綜合影響下，納芯微銷(xiāo)售量同比上升但營(yíng)業(yè)收入同比下降。
同時(shí)，報(bào)告期內(nèi)納芯微持續(xù)保持高力度的研發(fā)投入，2023年度研發(fā)費(fèi)用為5.22億元，同比增長(zhǎng)29.17%；剔除股份支付費(fèi)用后的研發(fā)費(fèi)用為3.49億元，同比增長(zhǎng)46.50%。
近日，納芯微、士蘭微、賽微電子、捷捷微電、斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布了2024年第一季度業(yè)績(jī)。其中，捷捷微電在2024年Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙雙增長(zhǎng)。
捷捷微電Q1營(yíng)收5.20億，凈利同比增長(zhǎng)189.51%
4月24日晚間，捷捷微電發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，捷捷微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.20億元，同比增長(zhǎng)28.80%；歸母凈利潤(rùn)0.92億元，同比增長(zhǎng)189.51%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.50億元，同比增長(zhǎng)80.88%。
作為一家功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售廠商，捷捷微電主營(yíng)產(chǎn)品為各類(lèi)電力電子器件和芯片，包括IGBT器件及組件、SiC器件等。
據(jù)悉，2023年初，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車(chē)規(guī)級(jí)”封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已開(kāi)工，建設(shè)期在2年左右。該項(xiàng)目總投資為133395.95萬(wàn)元，擬投入募集資金119500萬(wàn)元，主要從事車(chē)規(guī)級(jí)大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售，建設(shè)完成后可達(dá)年產(chǎn)1900kk車(chē)規(guī)級(jí)大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車(chē)規(guī)級(jí)大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車(chē)規(guī)級(jí)大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。
賽微電子Q1營(yíng)收2.70億，同比增長(zhǎng)41.62%
4月25日晚間，賽微電子發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，賽微電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.70億元，同比增長(zhǎng)41.62%；歸母凈利潤(rùn)-0.12億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.14億元。
賽微電子以半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為核心，一方面重點(diǎn)發(fā)展MEMS工藝開(kāi)發(fā)與晶圓制造業(yè)務(wù)，一方面積極布局GaN材料與器件業(yè)務(wù)。賽微電子目前的主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開(kāi)發(fā)及晶圓制造、GaN外延材料生長(zhǎng)與器件設(shè)計(jì)，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學(xué)、消費(fèi)電子等。
2024年4月10日，賽微電子與北京市懷柔區(qū)簽署了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，擬在懷柔科學(xué)城產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化示范區(qū)建設(shè)高水平的6/8英寸MEMS圓中試生產(chǎn)線和研發(fā)平臺(tái)。
士蘭微Q1營(yíng)收24.65億，同比增長(zhǎng)19.30%
4月29日晚間，士蘭微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收24.65億元，同比增長(zhǎng)19.30%；歸母凈利潤(rùn)-0.15億元；歸母扣非凈利潤(rùn)1.33億元，同比增長(zhǎng)17.27%。
關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，士蘭微表示，其歸母凈利潤(rùn)出現(xiàn)虧損的主要原因是，報(bào)告期內(nèi)，其持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈收益-1.52億元。
同時(shí)，在IPM智能功率模塊、車(chē)規(guī)級(jí)PIM功率模塊、AC-DC電路、32位MCU電路、IGBT器件、SiC MOSFET器件、MEDPMOS器件、發(fā)光二極管器件等產(chǎn)品出貨量大幅增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，其營(yíng)收繼續(xù)保持了較快的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其產(chǎn)品綜合毛利率為22.10%，環(huán)比上升了3.18個(gè)百分點(diǎn)。
納芯微Q1營(yíng)收3.62億，同比下滑23.04%
4月25日晚間，納芯微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，納芯微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.62億元，同比下滑23.04%；歸母凈利潤(rùn)-1.50億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-1.59億元。
關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟(jì)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，其產(chǎn)品售價(jià)承壓，毛利率有所下降；汽車(chē)電子領(lǐng)域整體需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，消費(fèi)電子領(lǐng)域景氣度改善，但工業(yè)市場(chǎng)和光伏、儲(chǔ)能市場(chǎng)仍處于去庫(kù)存和逐步恢復(fù)階段；綜合影響下，其營(yíng)收同比下降。
同時(shí)，納芯微注重在行業(yè)下行周期的人才積累，在市場(chǎng)開(kāi)拓、供應(yīng)鏈體系、質(zhì)量管理、人才建設(shè)等多方面持續(xù)的資源投入，使得銷(xiāo)售費(fèi)用、管理費(fèi)用同比上升。
4月17日，納芯微官微消息顯示，其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
據(jù)介紹，納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩(wěn)定性、門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）OBC/DC-DC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）以及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域。
斯達(dá)半導(dǎo)體Q1營(yíng)收8.05億，同比微增
4月29日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，斯達(dá)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.05億元，同比增長(zhǎng)3.17%；歸母凈利潤(rùn)1.63億元，同比下滑21.14%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.62億元，同比下滑18.58%。
斯達(dá)半導(dǎo)體主營(yíng)業(yè)務(wù)是以IGBT和SiC為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。斯達(dá)半導(dǎo)體長(zhǎng)期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、SiC?MOSFET等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、光伏、新能源汽車(chē)、白色家電等領(lǐng)域。
SiC業(yè)務(wù)方面，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體應(yīng)用于新能源汽車(chē)主控制器的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊大批量裝車(chē)應(yīng)用，同時(shí)新增多個(gè)使用車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將推動(dòng)其2024-2030年主控制器用車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊銷(xiāo)售增長(zhǎng)。2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體自主的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片在公司多個(gè)車(chē)用功率模塊封裝平臺(tái)通過(guò)多家客戶整車(chē)驗(yàn)證并開(kāi)始批量出貨。
此外，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體和深藍(lán)汽車(chē)合資成立重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊和車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊，預(yù)計(jì)2024年完成廠房建設(shè)并開(kāi)始生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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