今年2月，合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱世紀(jì)金芯）8英寸SiC加工線正式貫通并進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段，在8英寸SiC襯底量產(chǎn)方向更進(jìn)一步。
source：世紀(jì)金芯
據(jù)介紹，世紀(jì)金芯采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進(jìn)行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度，并通過多次優(yōu)化數(shù)據(jù)庫參數(shù)，準(zhǔn)確反映出溫場及余料情況，生長晶體的4H-SiC晶型穩(wěn)定性在90%以上。
世紀(jì)金芯基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，結(jié)合8英寸晶體生長的熱場結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝特性，在高穩(wěn)定性長晶爐的基礎(chǔ)上，采取了獨特的保溫設(shè)計和先進(jìn)的熱場分區(qū)結(jié)構(gòu)，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù)，逐步減少生長溫度、時間、氣壓、功率等參數(shù)變化量，獲得可重復(fù)性穩(wěn)定參數(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性，突破了大尺寸、低應(yīng)力等SiC晶體制備關(guān)鍵技術(shù)。
據(jù)稱，世紀(jì)金芯開發(fā)的8英寸SiC單晶生長技術(shù)可重復(fù)生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。8英寸加工線也同步建成，將配套8英寸單晶生長，通過進(jìn)一步優(yōu)化工藝，預(yù)期世紀(jì)金芯的8英寸SiC晶錠厚度將達(dá)到20mm以上。
世紀(jì)金芯自2019年12月成立以來，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)與生產(chǎn)，已經(jīng)解決了高純SiC粉料提純技術(shù)、6英寸SiC單晶制備等關(guān)鍵技術(shù)。
2022年9月，世紀(jì)金芯年產(chǎn)3萬片6英寸SiC單晶襯底項目正式投產(chǎn)，能在一定程度上緩解國內(nèi)大直徑導(dǎo)電型SiC單晶襯底供應(yīng)緊缺局面。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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