1月22日，中瓷電子在投資者互動平臺表示，目前公司已有多款1.6T光模塊產(chǎn)品處于用戶交樣階段，性能已通過客戶驗證，處于小批量交付階段。
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資料顯示，中瓷電子專業(yè)從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司主要產(chǎn)品包括光通信器件外殼、無線功率器件外殼、5G通信終端模塊外殼等，應(yīng)用于光通信、無線通信、消費電子、汽車電子等領(lǐng)域。
據(jù)稱，公司電子陶瓷外殼類產(chǎn)品是高端半導(dǎo)體元器件中實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁，對半導(dǎo)體元器件性能具有重要作用和影響。公司已經(jīng)可以設(shè)計開發(fā)400G光通信器件外殼，與國外同類產(chǎn)品技術(shù)水平相當(dāng)。
據(jù)中瓷電子介紹，公司無線功率器件外殼可用于封裝Si、GaAs、GaN等芯片的分立器件和模塊，種類覆蓋Bipolar、LDMOS、GaN和大功率晶體管等功率器件。
目前，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體市場一片火熱，中瓷電子業(yè)務(wù)布局也正在向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傾斜。
2023年3月，中瓷電子宣布擬向不超過35名特定對象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過25億，投向GaN微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項目以及SiC高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目。
通過實施上述四大項目，中瓷電子有望實現(xiàn)GaN通信射頻芯片設(shè)計、制造、封裝、測試和銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，并具備SiC功率模塊的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售能力。
目前，在SiC進(jìn)展方面，中瓷電子子公司北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱國聯(lián)萬眾)電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功正在交客戶上車驗證中，有小批量銷售。
據(jù)悉，國聯(lián)萬眾現(xiàn)有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，未來擬攻關(guān)高壓SiC功率模塊領(lǐng)域。目前，國聯(lián)萬眾車規(guī)級SiC MOSFET模塊已向國內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬只。
GaN進(jìn)展方面，中瓷電子子公司博威集成電路擴建工程第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用，項目主要產(chǎn)品為GaN通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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