作為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”之一，氮化鎵能突破硅的理論極限，滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體更低功耗、更高功率密度、更環(huán)保的需求，是當(dāng)下熱門的技術(shù)，在資本市場(chǎng)備受青睞。
而隨著技術(shù)的成熟，氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域早已突破了消費(fèi)電子，向數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域拓展。其中，儲(chǔ)能領(lǐng)域市場(chǎng)廣闊，資本云集。
聚焦戶外儲(chǔ)能，移族獲數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資
近日，深圳市移族電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：移族）完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資，投資方為度量衡資本。本輪融資資金主要用于產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)推廣。
據(jù)悉，移族成立于2020年，是一家以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的家庭和移動(dòng)能源的整體方案提供者。
2022年8月，移族發(fā)布了全新旗艦產(chǎn)品——墨子系列戶外電源墨子M2000。據(jù)了解，墨子M2000采用了更高能量密度的半固態(tài)電池，搭配氮化鎵逆變器，減輕了重量和體積。同時(shí)，得益于氮化鎵的高效率和低發(fā)熱特性，墨子M2000僅需風(fēng)扇輔助散熱，噪音十分低。
圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
應(yīng)用擴(kuò)展，氮化鎵加速挖金儲(chǔ)能賽道
戶外電源在戶外旅行和應(yīng)急救災(zāi)中備受歡迎。其中，戶外旅行包含徒步、露營(yíng)、房車等場(chǎng)景，戶外電源可以提供臨時(shí)用電；而在應(yīng)急救災(zāi)中，戶外電源可以為應(yīng)急照明、醫(yī)療設(shè)備、搶險(xiǎn)機(jī)械等提供緊急供電。
將氮化鎵應(yīng)用至戶外電源，對(duì)戶外電源產(chǎn)品而言是一次技術(shù)和性能的革命。與傳統(tǒng)戶外電源相比，氮化鎵戶外電源可以在提高戶外電源的壽命和可靠性的同時(shí)，降低電源體積，方便攜帶。目前，除了移族外，安克、電小二等終端品牌廠也已推出了氮化鎵戶外電源產(chǎn)品，氮化鎵在儲(chǔ)能領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)正在得到終端用戶的認(rèn)可。而產(chǎn)業(yè)鏈上對(duì)這一技術(shù)的研究也從未止步。
英飛凌于2023年10月正式完成對(duì)GaN Systems的收購(gòu)，獲得更豐富的GaN IP和更多研發(fā)力量。在其舉辦的“2023大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)”上，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉指出，氮化鎵已經(jīng)發(fā)展到一個(gè)新的拐點(diǎn)，其應(yīng)用不僅局限于充電器。預(yù)計(jì)未來(lái)氮化鎵在儲(chǔ)能領(lǐng)域?qū)@得一個(gè)明顯的增長(zhǎng)過(guò)程。
英諾賽科擁有8英寸硅基氮化鎵研發(fā)和制造平臺(tái)，產(chǎn)品覆蓋高、中、低壓全系列。目前，英諾賽科產(chǎn)品的應(yīng)用范圍已從消費(fèi)類電子逐步拓展到數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與儲(chǔ)能領(lǐng)域。
納微半導(dǎo)體已在全球范圍內(nèi)推出其高性能寬帶隙功率平臺(tái)GaNSafe，該平臺(tái)所面向的應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能以及電動(dòng)汽車市場(chǎng)等大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
鎵未來(lái)自2021年開(kāi)始大力拓展GaN在雙向逆變器的應(yīng)用，重點(diǎn)聚焦戶外電源應(yīng)用場(chǎng)景，目前已推出4kW GaN大功率無(wú)風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺(tái)。鎵未來(lái)認(rèn)為，在戶外電源中，雙向逆變器是核心裝置，而GaN在工作頻率和轉(zhuǎn)換效率等方面的優(yōu)勢(shì)凸顯，是雙向逆變器差異化競(jìng)爭(zhēng)的理想選擇。
納芯微已推出的半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2621、集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K等氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品，且均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種應(yīng)用場(chǎng)景。其中，NSG65N15K將半橋驅(qū)動(dòng)器NSD2621和HEMT集成在同一芯片上，可有效減少寄生效應(yīng)和達(dá)到GaN卓越開(kāi)關(guān)速度的最大化利用。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Winter）
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