在被視為碳化硅（SiC）爆發(fā)元年的2022年，大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)成為行業(yè)重頭戲，新立項(xiàng)/簽約SiC相關(guān)項(xiàng)目超過20個(gè)，SiC產(chǎn)業(yè)一片繁榮景象。
2023年，SiC賽道擴(kuò)產(chǎn)熱度依舊居高不下，甚至有愈演愈烈的跡象，不僅有更多廠商加入SiC擴(kuò)產(chǎn)行列，更有巨頭多次出手，產(chǎn)能建設(shè)已成為企業(yè)及行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023年國內(nèi)廠商SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目匯總
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，2023年國內(nèi)共有近40項(xiàng)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目啟動(dòng)。這些項(xiàng)目當(dāng)中，有不少投資數(shù)十億甚至上百億的大手筆，而這些項(xiàng)目背后，不乏天科合達(dá)、晶盛機(jī)電、同光股份、科友半導(dǎo)體、南砂晶圓、泰科天潤、天域半導(dǎo)體、中車時(shí)代半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體等國內(nèi)頭部廠商的身影。
其中，于2023年3月開工的天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目總投資達(dá)80億元，建筑面積約24萬平方米，將建設(shè)年產(chǎn)能120萬片的SiC外延片大型生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)2023年內(nèi)完成第一期17萬片年產(chǎn)能的建設(shè)。
長飛先進(jìn)更是兩度出手?jǐn)U產(chǎn)，涉資高達(dá)260億元。2023年6月，長飛先進(jìn)擬投資60億元建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目。項(xiàng)目將建設(shè)第三代半導(dǎo)體外延、晶圓制造、封測等產(chǎn)線。建成達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬個(gè)功率器件模塊的產(chǎn)能。8月，長飛先進(jìn)與武漢東湖高新區(qū)簽約第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目，總投資預(yù)計(jì)超200億元，其中項(xiàng)目一期投資約100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。
從擴(kuò)產(chǎn)內(nèi)容來看，2023年度SiC擴(kuò)產(chǎn)主要圍繞原材料、襯底、外延、器件、設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行。
材料環(huán)節(jié)，同光股份SiC合成粉料生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目于2023年2月開工，該項(xiàng)目總投資7.4億元，主要產(chǎn)品為SiC多晶粉料，項(xiàng)目投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)165噸SiC合成粉料的產(chǎn)能；3月，合盛硅業(yè)上海研發(fā)中心動(dòng)工，該項(xiàng)目總投資為2.5億元，計(jì)劃2024年底竣工，將致力于研發(fā)SiC長晶技術(shù)和有機(jī)硅材料高端產(chǎn)品。
襯底環(huán)節(jié)，天岳先進(jìn)在上海臨港擴(kuò)建SiC項(xiàng)目，按照之前的規(guī)劃，臨港項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年，而通過此次的產(chǎn)能調(diào)整，臨港項(xiàng)目產(chǎn)能將擴(kuò)大220%，達(dá)96萬片/年；11月，晶盛機(jī)電年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸SiC襯底片項(xiàng)目正式簽約啟動(dòng)，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。
外延環(huán)節(jié)，比亞迪2023年6月宣布擬在深圳坪山比亞迪汽車生產(chǎn)基地建設(shè)SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目，總投資約2.14億元，擴(kuò)建后將新增SiC外延片產(chǎn)能6000片/年，總產(chǎn)能達(dá)18000片/年。
器件環(huán)節(jié)，林眾電子智能質(zhì)造中心項(xiàng)目基地2023年2月開工，總投資預(yù)計(jì)8億元，建成后將為林眾電子新增2000萬只IGBT及SiC功率半導(dǎo)體模塊的年產(chǎn)能；10月，順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目簽約，該項(xiàng)目總投資7.5億元，建成達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能為400萬個(gè)IGBT模塊及100萬個(gè)SiC模塊。
設(shè)備方面，連城凱克斯半導(dǎo)體高端裝備研發(fā)制造項(xiàng)目二期2023年2月啟動(dòng)奠基，總投資10億元，主要建設(shè)SiC設(shè)備、單晶爐設(shè)備在內(nèi)的研發(fā)組裝一體化生產(chǎn)線；4月，立晶半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目開工，總投資9億元，計(jì)劃投資600臺(tái)6英寸SiC長晶爐。
值得注意的是，2023年部分國內(nèi)SiC擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作是在已建成項(xiàng)目基礎(chǔ)上加碼而來，顯示了相關(guān)廠商對(duì)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景充滿信心。
其中，科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn)，該項(xiàng)目總投資10億元，目前已安裝100臺(tái)長晶爐，全部達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬片6英寸SiC襯底的產(chǎn)能，二期工程2023年開工，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型SiC襯底15萬片；江蘇天科合達(dá)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目于2023年8月正式開工，投資8.3億元，購置安裝單晶生長爐及配套設(shè)備合計(jì)647臺(tái)（套），可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)SiC襯底16萬片，二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)后，天科合達(dá)徐州基地SiC襯底年產(chǎn)能將達(dá)到23萬片。
值得一提的是，國內(nèi)企業(yè)也致力于進(jìn)軍海外市場。2023年11月有報(bào)道稱，一家中國公司計(jì)劃投資25億盧布（約合人民幣2億元）在俄羅斯弗拉基米爾州啟動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體的批量生產(chǎn)，該項(xiàng)目最早將于2024年開始，分兩個(gè)階段實(shí)施。
從投資額來看，2023年度國內(nèi)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目累計(jì)將投入近900億元，與2022年相比，漲幅較大，SiC賽道日益火熱已是不爭的事實(shí)。
2023年國際廠商SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目一覽
2023年，國內(nèi)廠商在SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面頻頻出手，國際廠商亦不遑多讓。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，2023年國外企業(yè)共有近20項(xiàng)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已經(jīng)或?qū)⒁涞?。在國際市場，SiC擴(kuò)產(chǎn)基本上都是巨頭們的表演，其中就包括Wolfspeed、意法半導(dǎo)體、英飛凌等大廠。
其中，全球汽車Tier 1供應(yīng)商博世兩次公布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，涉資25億美元，均聚焦車用SiC產(chǎn)品。2023年1月，博世表示計(jì)劃在中國江蘇蘇州建設(shè)一家工廠，生產(chǎn)內(nèi)容包含SiC功率模塊等，該基地已于3月奠基；2023年4月，博世宣布同意購買美國加州芯片制造商TSI半導(dǎo)體公司的關(guān)鍵資產(chǎn)，并將投資15億美元擴(kuò)大美國電動(dòng)汽車SiC芯片的生產(chǎn)。
在汽車電動(dòng)化浪潮下，SiC車規(guī)級(jí)產(chǎn)品加速上車，博世加大相關(guān)產(chǎn)品投資擴(kuò)產(chǎn)力度，有助于鞏固自身在汽車產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位。
意法半導(dǎo)體更是在2023年1月、6月和11月三次加碼，將投資超百億美元。2023年1月，意法半導(dǎo)體CEO表示，公司2023年資本支出金額預(yù)計(jì)將增長至40億美元，同比增長13.6%，主要用于擴(kuò)產(chǎn)12英寸晶圓廠和增加SiC制造能力；6月，意法半導(dǎo)體宣布，將與三安光電在中國成立8英寸SiC器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元；11月，意法半導(dǎo)體據(jù)報(bào)道將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座SiC超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠，專門生產(chǎn)SiC芯片。
不難發(fā)現(xiàn)，在SiC擴(kuò)產(chǎn)方面，博世和意法半導(dǎo)體兩大巨頭在進(jìn)行全球化布局的過程中，均十分重視中國市場，希望通過在中國投資建廠，搶食國內(nèi)新能源汽車蓬勃發(fā)展帶來的SiC器件市場需求紅利。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2022年全球新能源車銷售量約1065萬輛，年增63.6%，中國是第一大市場，占比達(dá)63%，預(yù)估2023年全球新能源汽車的銷量將達(dá)到1451萬輛，同比提升36.2%。
此外，安森美也正在緊盯車用SiC芯片。2023年5月，安森美表示，公司正在考慮投資20億美元用于提高SiC芯片的產(chǎn)能，目標(biāo)是到2027年占領(lǐng)全球SiC汽車芯片市場40%的份額，安森美高管稱，公司正在考慮在美國、捷克或韓國進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。
從產(chǎn)業(yè)鏈來看，國際廠商SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)也主要圍繞襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)。
襯底和外延方面，SK siltron計(jì)劃斥資6.4億美元在2025年之前將SiC襯底產(chǎn)能擴(kuò)大17倍；Resonac于2023年6月計(jì)劃對(duì)旗下4個(gè)SiC工廠的生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)，項(xiàng)目總投資約309億日元，主要生產(chǎn)SiC襯底和外延。其中SiC襯底預(yù)計(jì)2027年4月實(shí)現(xiàn)供應(yīng)，年產(chǎn)能為11.7萬片/年(折合6英寸)；SiC外延片預(yù)計(jì)2027年5月實(shí)現(xiàn)供應(yīng)，年產(chǎn)能為28.8萬片/年（(折合6英寸)。
同在2023年6月，住友電工也計(jì)劃對(duì)旗下2個(gè)SiC工廠的生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)，該項(xiàng)目計(jì)劃投資300億日元，主要產(chǎn)品為SiC襯底和外延，產(chǎn)品預(yù)計(jì)2027年10月實(shí)現(xiàn)供貨。其中SiC襯底年產(chǎn)能為6萬片/年（折合6英寸計(jì)算)，SiC外延年產(chǎn)能為12萬片/年（折合6英寸計(jì)算）。
器件方面，2023年2月，半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed正式宣布計(jì)劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的SiC器件制造工廠，該工廠將成為全球最大的8英寸半導(dǎo)體工廠，采用創(chuàng)新性制造工藝來生產(chǎn)下一代SiC器件。三菱電機(jī)計(jì)劃投資約1000億日元，用于建設(shè)新的8英寸SiC晶圓廠，并加強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。Silicon Power將投資100億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)一家SiC工廠，生產(chǎn)6英寸SiC晶圓。
在穩(wěn)固6英寸產(chǎn)能的同時(shí)，國際知名廠商似乎更傾向于投建8英寸產(chǎn)能，以順應(yīng)SiC產(chǎn)業(yè)由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級(jí)大趨勢。
總結(jié)
2023年，SiC賽道擴(kuò)產(chǎn)戲碼頻頻上演，國內(nèi)廠商更多選擇繼續(xù)加固6英寸產(chǎn)能，以期穩(wěn)中求進(jìn)，但也不乏前瞻性布局，例如晶盛機(jī)電在擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目中的6英寸與8英寸并舉，雙管齊下滿足當(dāng)下與未來需求。
國際廠商大多著眼于8英寸，一方面是順勢而為，另一方面，也是為了鞏固領(lǐng)先優(yōu)勢，例如Wolfspeed已經(jīng)并將繼續(xù)致力于打造全球最大的8英寸半導(dǎo)體工廠。
國際巨頭看中了中國市場SiC產(chǎn)業(yè)的巨大發(fā)展?jié)摿?，在國?nèi)市場加大產(chǎn)能建設(shè)已成常態(tài)，國內(nèi)廠商也正在尋找機(jī)會(huì)出海發(fā)展，伴隨著中企在俄羅斯啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，未來或?qū)⒃诤Ｍ釹iC市場看到更多國內(nèi)廠商的身影。
擴(kuò)產(chǎn)對(duì)各大SiC廠商而言，是搶占市場、爭奪客戶的必由之路，對(duì)行業(yè)而言，將使競爭更加激烈，最終格局如何，需要時(shí)間給出答案。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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