根據(jù)中建八局上海公司官微消息，昨（24）日，新一代化合物半導體研制基地項目全面封頂，標志著項目高效、安全地完成了主體結(jié)構(gòu)建設(shè)任務(wù)。
據(jù)介紹，項目位于浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)，總建筑面積5.79萬平方米，是上海市重大工程。項目以打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的紅外探測器研制生產(chǎn)基地為目標，建成后將形成年產(chǎn)1萬套焦平面探測器的能力，推進我國紅外探測器的技術(shù)進步，帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，創(chuàng)造更大的經(jīng)濟和社會效益。
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據(jù)了解，新一代化合物半導體材料在紅外探測器領(lǐng)域的應(yīng)用主要集中在提高探測器的性能和拓展其應(yīng)用范圍。這些材料包括但不限于銻化物半導體，如銻化鎵（GaSb）和銻化銦（InSb），和二維材料以及新型的氧化物材料等。
盡管這些新型化合物半導體材料在紅外探測器領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力，但它們在大規(guī)模生產(chǎn)、器件的穩(wěn)定性和可靠性方面仍面臨挑戰(zhàn)。因此，未來的研究將繼續(xù)集中在提高材料的制備工藝、優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)以及探索新的應(yīng)用場景。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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