12月16日，河南通用智能裝備有限公司（以下簡稱通用智能）自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產線正式交付客戶。
據(jù)通用智能介紹，由于SiC高硬度、高脆性特點，在SiC器件制造領域存在一個難點——晶錠分割工藝過程。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低且損耗高。通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程，成功實現(xiàn)8英寸SiC晶錠剝離設備的量產。
據(jù)悉，激光隱形切割（Stealth Dicing，簡稱SD）是一種先用激光能量切割晶圓的內部，再向貼附在背面的膠帶施加外部壓力，使其斷裂，從而分離芯片的方法。當向背面的膠帶施加壓力時，由于膠帶的拉伸，晶圓將會瞬間向上隆起，從而使芯片分離。相對傳統(tǒng)的激光切割法，SD的優(yōu)點包括：沒有硅碎屑；切口窄，可以獲得更多芯片；此外，使用SD方法剝落和裂紋現(xiàn)象也將減少，提高晶圓切割整體質量。
圖片來源：拍信網正版圖庫
資料顯示，通用智能成立于2019年，致力于高端半導體產業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。2020年通用智能推出具備完全自主知識產權的晶圓激光隱形切割設備，填補了國內空白，打破了國際壟斷。該設備在關鍵性參數(shù)上處于國際先進水平，并已申報知識產權307件、發(fā)明專利56件、軟件著作權21件、外觀專利4件、實用新型226件。
融資方面，通用智能在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構。
值得關注的是，近期，國內SiC設備相關廠商迎來收獲期。高測股份近日在接受調研時表示，公司可兼容6英寸和8英寸SiC襯底切割需求的SiC金剛線切片機已簽訂超10臺訂單，截至目前，公司SiC切片機累計簽單已超40臺；與此同時，宇晶股份在接受調研時表示，公司SiC切割、研磨、拋光設備已實現(xiàn)批量生產和銷售；此外，宇環(huán)數(shù)控近日在投資者互動平臺表示，公司與客戶正在積極推進SiC設備的打樣和銷售進程。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。