提升GaN定位,Transphorm推出TOLL封裝FET

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 10 日 11:31 | 分類 企業(yè)

Transphorm近日宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN FET,導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可靠性。

source:Transphorm

據(jù)介紹,這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應(yīng)用,這樣的電力系統(tǒng)常用于高性能領(lǐng)域,如計算(人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心)、能源和工業(yè)(光伏逆變器、伺服電機(jī))以及其他廣泛的工業(yè)市場。值得關(guān)注的是,該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統(tǒng)最佳解決方案,AI系統(tǒng)依賴于GPU,而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10到15倍。
該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩(wěn)健,且已獲得JEDEC資格認(rèn)證。由于常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓硅管配對,因此,SuperGaN FET 可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅(qū)動,應(yīng)用于各種軟/硬開關(guān)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓?fù)渲?,提高功率密度,同時減小系統(tǒng)尺寸、重量和總成本。

source:Transphorm

目前,各種高性能領(lǐng)域的主流客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件,為其高性能系統(tǒng)提供電力支持,應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)據(jù)中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。在核心SuperGaN芯片通過汽車行業(yè)(AEC-Q101)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證后,新型TOLL封裝器件也能夠用于電動汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器應(yīng)用。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場分析報告》顯示,全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長率高達(dá)65%。

許多廠商早已將目光轉(zhuǎn)向工業(yè)市場,其中數(shù)據(jù)中心為關(guān)鍵場景。ChatGPT已掀起AI云端服務(wù)器建置浪潮,GaN將助力數(shù)據(jù)中心降低運營成本,并提高服務(wù)器運行效率。

與此同時,汽車市場亦不容忽視,OEM與Tier1早已察覺GaN潛力所在,預(yù)計至2025年左右,GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中,再遠(yuǎn)到2030年,OEM或考慮將該技術(shù)移入到牽引逆變器。
對于市場競爭格局,以去年GaN功率元件業(yè)務(wù)營收來看,市場基本由Power integrations、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm所占據(jù)。近期,Infineon完成了對GaN Systems的收購,這對目前市場競爭格局有何影響,還得看后續(xù)企業(yè)動作。

化合物半導(dǎo)體市場Rick整理

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