多應(yīng)用驅(qū)動(dòng)!SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體未來(lái)可期

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 24 日 17:14 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮,這場(chǎng)研討會(huì)都有答案。

第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn),先天性能優(yōu)越,是新能源汽車(chē)、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而,現(xiàn)實(shí)與理想之間尚有較大差距,我們對(duì)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。

為進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來(lái)。2023年6月15日,TrendForce集邦咨詢(xún)特在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”,邀全球知名的第三代半導(dǎo)體專(zhuān)家、院校代表、專(zhuān)業(yè)研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)工程師等齊聚一堂,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展建言獻(xiàn)策,共同促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和升級(jí)。