GaN功率器件具有良好的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱性。與硅元件相比，GaN功率器件具有更高的電流密度和遷移率。
基于GaN功率器件的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等諸多領(lǐng)域，是推進(jìn)電能高效利用的關(guān)鍵技術(shù)，也是節(jié)能減排的重要技術(shù)。
華燦光電十五年聚焦GaN在LED領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)，并于2020正式進(jìn)入氮化鎵基電力電子器件領(lǐng)域，產(chǎn)品主要面向移動(dòng)消費(fèi)電子終端快速充電器、其他電源設(shè)備，云計(jì)算大數(shù)據(jù)服務(wù)器中心、通信及汽車應(yīng)用等領(lǐng)域。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”。
屆時(shí)，華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺將出席，給大家?guī)?lái)《GaN功率器件創(chuàng)新應(yīng)用市場(chǎng)前景分析》主題演講，同場(chǎng)還有更多“重量級(jí)”嘉賓，給大家進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來(lái)。
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