5月12日，杭州乾晶半導體有限公司（以下簡稱“乾晶半導體”）宣布，在大尺寸碳化硅單晶生長及其襯底制備方面取得突破：采用多段式電阻加熱的物理氣相傳輸（PVT）法生長了厚度達27mm的8英寸n型SiC單晶錠，并加工獲得了8英寸SiC襯底片。
資料顯示，乾晶半導體成立于2020年7月，是專注于第三代半導體領域，集SiC單晶生長、襯底加工和設備開發(fā)為一體的高新技術企業(yè)。該公司脫胎于著名半導體材料專家楊德仁院士指導下的浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（以下簡稱：浙大科創(chuàng)中心）先進半導體院SiC襯底項目，項目在SiC襯底的研發(fā)制備上曾取得了系列研究成果。
另外，乾晶半導體的核心團隊來自于浙江大學硅材料國家重點實驗室，還與浙大科創(chuàng)中心先進半導體研究院成立了聯(lián)合實驗室，共同承擔SiC材料的產(chǎn)業(yè)化任務。
2021年11月，乾晶半導體首批SiC襯底正式進行工藝驗證。據(jù)當時消息顯示，乾晶半導體研發(fā)的SiC襯底通過公司內部品質檢驗，達到同行業(yè)產(chǎn)品質量標準。首批樣品于2021年11月3日正式提供客戶端進行工藝驗證。當時，乾晶半導體便已與中國及日本公司達成戰(zhàn)略合作意向，可為國內外客戶提供4、6英寸SiC晶棒及襯底。
隨著SiC單晶及襯底制備能力的進一步突破，乾晶半導體的研發(fā)實力和發(fā)展前景也逐漸獲得資本市場的認可。2022年上半年，乾晶半導體獲得千萬級天使投資，后于2023年1月完成億元Pre-A輪融資，資金主要用于SiC襯底的技術創(chuàng)新和批量生產(chǎn)。如今，乾晶半導體成功研制了8英寸SiC單晶和襯底，成功躋身8英寸SiC俱樂部。
業(yè)界皆知，由于SiC單晶生長速度慢、良率低，且SiC單晶切磨拋等加工難度大、良率低，襯底制備環(huán)節(jié)成為目前國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)的瓶頸，價格居高不下，在整個產(chǎn)業(yè)鏈中的成本占比超過50%，導致整體SiC產(chǎn)品成本持續(xù)處在較高水平。
在此背景下，乾晶半導體團隊努力攻克了SiC單晶生長和加工的難題，特別是實現(xiàn)了碳化硅單晶的更快和更厚生長，顯著提升了SiC襯底的出片率，據(jù)稱量產(chǎn)后的成本有望顯著下降。
據(jù)不完全統(tǒng)計，截至目前，國內已有10家企業(yè)成功研制出8英寸SiC襯底，包含爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學、天科合達、科友半導體、乾晶半導體等，各家企業(yè)或單位正在加快攻克SiC襯底環(huán)節(jié)的難題。就8英寸SiC襯底及外延制備技術來看，國產(chǎn)企業(yè)今年好消息連連，部分動態(tài)如下：
不難發(fā)現(xiàn)，在SiC領域，國產(chǎn)企業(yè)雖是追趕者，但近兩年來在關鍵技術的研發(fā)方面持續(xù)取得重要突破；與此同時，加入SiC技術研發(fā)陣營的國內廠商在不斷增加，正所謂人多力量大，柴多火焰高，在眾多廠商的合力推動下，國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)有望加速縮短與國際SiC產(chǎn)業(yè)的差距。（化合物半導體市場Jenny整理）
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