熱度持續(xù)!兩大第三代半導(dǎo)體項目迎新進展

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 04 月 04 日 11:45 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

順應(yīng)國家對第三代半導(dǎo)體的重視以及業(yè)界的高需求,產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)紛紛擴大產(chǎn)能。近日,又有兩個第三代半導(dǎo)體項目迎來新進展。

總投資1.5億,浙江嘉興耐思威項目開工

根據(jù)“海鹽黨建”的消息,4月1日,年產(chǎn)40萬套光伏及半導(dǎo)體設(shè)備用陶瓷制品、3.5萬套半導(dǎo)體設(shè)備用純硅夾具、0.5萬套光伏及半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅制品生產(chǎn)建設(shè)項目開工儀式在海鹽百步經(jīng)濟開發(fā)區(qū)(百步鎮(zhèn))舉行。

圖源:海鹽黨建

據(jù)悉,該項目由浙江耐思威智能制造有限公司投資,于2022年11月簽約落戶。

項目總投資1.5億元,主要服務(wù)于光伏設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備、精密電子設(shè)備、機床等領(lǐng)域設(shè)備公司。項目計劃2025年年初正式投產(chǎn),達產(chǎn)后可實現(xiàn)銷售額2億元。

芯導(dǎo)科技第三代半導(dǎo)體簽約無錫經(jīng)開區(qū)

根據(jù)“無錫新傳媒”消息,3月29日,無錫經(jīng)開區(qū)舉行2023集成電路產(chǎn)業(yè)懇談會(上海專場)。

會議上,芯導(dǎo)科技第三代半導(dǎo)體、此芯科技高性能ArmCPU總部、浙江大學(xué)—巍宇先進光電探測成像技術(shù)聯(lián)合研究中心等8個項目簽約無錫經(jīng)開區(qū),簽約金額8.5億元。

其中,芯導(dǎo)科技主營業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體的研發(fā)與銷售,其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品包括功率器件(如TVS、MOSFET、SBD、GaN HEMT等)和功率IC(如單節(jié)鋰電池充電芯片、過壓保護芯片、音頻功率放大器、DC-DC類電源轉(zhuǎn)換芯片、氮化鎵驅(qū)動IC等)兩大類,可應(yīng)用于消費類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè)、汽車、儲能等領(lǐng)域。

2022年11月28日,芯導(dǎo)科技發(fā)布公告稱,公司擬在無錫設(shè)立全資子公司無錫芯導(dǎo),并新增該子公司為公司募投項目“高性能分立功率器件開發(fā)和升級”、“高性能數(shù)模混合電源管理芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、“硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發(fā)項目”實施主體之一,以上募投項目實施地點相應(yīng)由上海調(diào)整為上海、無錫。具體如下:

據(jù)了解,芯導(dǎo)科技目前正在推進第三代半導(dǎo)體的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品驗證工作,包括GaN和SiC產(chǎn)品,并嘗試應(yīng)用于汽車電子、光伏逆變器、充電樁等更加豐富的場景。

3月7日,芯導(dǎo)科技在投資者互動平臺表示,配合公司第三代半導(dǎo)體650V GaN HEMT器件的高整合度驅(qū)動器芯片正處于客戶端測試階段,并在一些客戶端的驗證過程中。產(chǎn)品性能表現(xiàn)良好,已具備量產(chǎn)條件,目前在等待客戶后續(xù)項目計劃。(化合物半導(dǎo)體 Winter整理)

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