作為推動(dòng)能源變革的關(guān)鍵技術(shù)，Infineon、ON Semi等功率半導(dǎo)體巨頭們已將SiC視為未來(lái)十年業(yè)務(wù)增長(zhǎng)的強(qiáng)勁動(dòng)能。然而，原材料與關(guān)鍵設(shè)備的緊缺持續(xù)干擾著全球SiC供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，“擴(kuò)產(chǎn)”將成為未來(lái)幾年活躍于產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵詞。
過(guò)去幾年中，IDM廠商在12英寸晶圓廠上投資了數(shù)十億美元，用于制造IGBT等硅基功率元件，這使得完全折舊的6/8英寸晶圓廠現(xiàn)在可用于支持SiC大規(guī)模生產(chǎn)。當(dāng)然，IDM廠商需要額外添置一些SiC專用生產(chǎn)設(shè)備，這包括超高溫CVD反應(yīng)器、高溫高能離子注入機(jī)、高溫氧化爐、晶圓級(jí)測(cè)試設(shè)備等。
硅晶圓在90年代經(jīng)歷了從6英寸到8英寸的轉(zhuǎn)變，隨后在大約十年后轉(zhuǎn)向12英寸晶圓。SiC正在經(jīng)歷著同樣的事情，當(dāng)前絕大多數(shù)SiC功率元件仍然依靠在6英寸晶圓上進(jìn)行生產(chǎn)，而為了進(jìn)一步降低成本并擴(kuò)大SiC滲透率，Wolfspeed等一線廠商已目光投向8英寸。這十分困難，但不得不做，我們可以看到Wolfspeed Mohawk Valley Fab的實(shí)際量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)被一再推遲，這同樣關(guān)系到其近幾個(gè)季度糟糕的財(cái)務(wù)狀況。
另外，中國(guó)的SiC前道工藝產(chǎn)線數(shù)量正在迅速增長(zhǎng)，TrendForce統(tǒng)計(jì)已量產(chǎn)和規(guī)劃產(chǎn)線約近20條，而須留意的關(guān)鍵產(chǎn)線約7條。其中，三安光電、泰科天潤(rùn)已具備非常成熟的二極管制造能力，而在MOSFET制程開(kāi)發(fā)過(guò)程中卻仍面臨著諸多阻礙，特別是汽車級(jí)產(chǎn)品。
TrendForce集邦咨詢將于近期推出SiC專題市場(chǎng)報(bào)告，剖析全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀、關(guān)鍵應(yīng)用進(jìn)展及廠商近況，敬請(qǐng)期待。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Matt）
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