KATEK光伏逆變器采用納微-GeneSiC器件

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 02 月 02 日 17:26 | 分類 碳化硅SiC

近日,納微半導(dǎo)體和KATEK集團(tuán)聯(lián)合宣布:KATEK的coolcept flex系列的Steca太陽能逆變器采用了新型、領(lǐng)先的GeneSiC的功率半導(dǎo)體,有效優(yōu)化效率、尺寸、重量及成本,將進(jìn)一步為擴(kuò)張市場份額提速。

Source:納微半導(dǎo)體

“碳中和”趨勢(shì)浪潮下,以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體因其具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)站上風(fēng)口。據(jù)悉,第三代半導(dǎo)體器件相比Si器件可降低50%以上的能量損失,并減小75%以上的裝備體積。

太陽能逆變器方面,隨著行業(yè)邁入“后1500V”以及“20A大電流”時(shí)代,要建成更大組串,進(jìn)一步降低成本成為關(guān)鍵。采用SiC的電力電子設(shè)備可將太陽能微逆變器和串式逆變器的效率提升到98%以上,并且在微型逆變器領(lǐng)域可在不增加電力成本的基礎(chǔ)上具有最大的價(jià)格溢價(jià)能力。

國際方面,已得到英飛凌、安森美、富士電機(jī)等國際大廠的規(guī)?;瘧?yīng)用。國內(nèi)如斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、聞泰科技、露笑科技等公司也在迅速成長。

GeneSiC的SiC MOSFETs采用了毫不妥協(xié)的“溝槽輔助平面柵工藝”。與其他SiC MOS技術(shù)相比,GeneSiC MOSFETs擁有高速開關(guān)和耐高溫的性能,外殼溫度可降低25℃,使用壽命可延長3倍。GeneSiC的MOSFETs具備100%耐雪崩測(cè)試的能力,短路耐受時(shí)間延長30%和穩(wěn)定閾值電壓易于并聯(lián)的特性。

Steca coolcept flex型太陽能逆變器將來自于太陽能電池板的直流電轉(zhuǎn)換成4.6 kW的交流電,可供家庭使用,或回饋電網(wǎng),或本地存儲(chǔ)以備后期使用,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定需求或在停電時(shí)及時(shí)供電。

每一臺(tái)4.6 kW的Steca coolcept flex逆變器采用了16顆GeneSiC G3R75MT12J SiC MOSFETs。這些額定值為1200V,75 m?的器件被用于一個(gè)具有雙向boost兩電平變換器和一個(gè)用于交流電壓輸出的H4全橋逆變拓?fù)?。提升開關(guān)頻率有效縮小了“無源”器件的體積和重量,與傳統(tǒng)的硅基逆變器相比,極大地優(yōu)化了KATEK設(shè)備在尺寸和重量上的表現(xiàn)。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理)

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