在“十四五”規(guī)劃等國家政策的推動下，半導體集成電路領(lǐng)域正在快速成長，其中，第三代半導體器件憑借較大的禁帶寬度、高導熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優(yōu)良的物理和化學穩(wěn)定性等特點，備受企業(yè)和資本市場的熱捧。
據(jù)了解，國星光電于2020年啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產(chǎn)線的工作，開始大力布局“三代半封測”領(lǐng)域。
近期，國星正式推出一系列第三代半導體新產(chǎn)品，其中，TO-220/TO247系列的SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品已經(jīng)進入了試產(chǎn)階段，并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規(guī)級標準的摸底測試驗證工作。TO-247-3L的性能達到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L達到1200V、13A、160mΩ。
與此同時，國星的三代半產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機構(gòu)，正在依據(jù)AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關(guān)車規(guī)級和工業(yè)級標準進行認證測試。
目前，國星光電在第三代半導體領(lǐng)域已經(jīng)形成了3大產(chǎn)品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。
SiC功率器件：國星SiC功率器件小而輕便，反向恢復(fù)快、抗浪涌能力強、雪崩耐壓高，擁有優(yōu)越的性能與極高的工作效率。目前該領(lǐng)域已形成了2條SiC功率器件拳頭產(chǎn)品線：SiC-MOSFET、SiC-SBD；擁有4種封裝結(jié)構(gòu)（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應(yīng)用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域。
GaN-DFN器件：國星GaN-DFN器件具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優(yōu)勢，使其尤適用于功率半導體器件，降低節(jié)能和系統(tǒng)總成本的同時，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統(tǒng)效率，可極大地提升充電器、開關(guān)電源等應(yīng)用的充電效率，廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等。
功率模塊：國星光電第三代半導體功率模塊，采用自主創(chuàng)新的架構(gòu)及雙面高效散熱設(shè)計，具有優(yōu)越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等優(yōu)勢，其功率密度大，產(chǎn)品體型小，可廣泛應(yīng)用于各種變頻器、逆變器的工業(yè)領(lǐng)域，滿足系統(tǒng)開發(fā)人員對空間的嚴格要求。模塊產(chǎn)品可根據(jù)特殊功能需求進行模塊化定制開發(fā)。
展望2021年及未來，國星將把第三代半導體作為戰(zhàn)略發(fā)展新方向，不斷創(chuàng)造新的利潤增長點，同時助力推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化的進程。（LEDinside整理）
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