據(jù)中電化合物介紹，相比6吋，8吋SiC外延片面積增加78%，能夠較大幅度降低碳化硅器件成本，進(jìn)而推動碳化硅材料降本增效。技術(shù)指標(biāo)方面，8吋SiC外延片可以實現(xiàn)厚度均勻性≤3%、摻雜濃度均勻性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。

資料顯示，中電化合物成立于2019年11月1日，公司主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，旗下產(chǎn)品可用于電動汽車、新能源、家用消費電子設(shè)備等眾多領(lǐng)域。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

此前，中電化合物自主研發(fā)和生產(chǎn)的6吋碳化硅晶錠、襯底片和外延片已實現(xiàn)量產(chǎn)。今年，該公司在8吋碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)上無疑也取得了重大進(jìn)展。

值得一提的是，2023年被業(yè)內(nèi)人士稱為“8吋SiC元年”，包括Wolfspeed、意法半導(dǎo)體在內(nèi)的全球功率半導(dǎo)體巨頭都已加快8吋SiC研發(fā)步伐。

國內(nèi)方面，目前至少有10家公司正在推進(jìn)8吋SiC襯底開發(fā)，包括山西爍科晶體（Semisic）、晶盛機(jī)電（JSJ）、山東天岳先進(jìn)科技（SICC）、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)（Summit Crystal）、河北同光（Synlight）、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體（TankeBlue）、哈爾濱科友半導(dǎo)體（KY Semiconductor）、杭州干晶半導(dǎo)體（IV-Semitec）等。

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