臺(tái)亞半導(dǎo)體擬分拆GaN事業(yè)群，或?qū)ⅹ?dú)立上市

4月11日，臺(tái)亞半導(dǎo)體召開(kāi)董事會(huì)，會(huì)上宣布擬分割8英寸GaN事業(yè)群，包括相關(guān)資產(chǎn)與業(yè)務(wù)，分割后由旗下全資子公司冠亞半導(dǎo)體承接，并且由后者發(fā)行新股予以臺(tái)亞半導(dǎo)體作為對(duì)價(jià)。分割日期暫定在8月30日，5月28日將提送股東常會(huì)討論決議。

圖片來(lái)源：臺(tái)亞半導(dǎo)體

臺(tái)亞半導(dǎo)體介紹，本次預(yù)計(jì)分割價(jià)值約10億元新臺(tái)幣（約合人民幣2.24億元），8英寸GaN業(yè)務(wù)分割給冠亞半導(dǎo)體之后，臺(tái)亞半導(dǎo)體自身的相關(guān)運(yùn)營(yíng)及業(yè)務(wù)皆正常運(yùn)作，對(duì)原有股東之權(quán)利義務(wù)均無(wú)影響。

臺(tái)亞半導(dǎo)體原名光磊，起步于光電產(chǎn)業(yè)感測(cè)元件市場(chǎng)，后于2021年10月正式改名臺(tái)亞半導(dǎo)體，表明轉(zhuǎn)型感測(cè)半導(dǎo)體先進(jìn)廠(chǎng)商的決心。隨著SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)需求及投資熱情逐步提升，臺(tái)亞半導(dǎo)體亦積極搶攻第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。

其中，SiC業(yè)務(wù)由旗下子公司積亞半導(dǎo)體負(fù)責(zé)，主要生產(chǎn)SiC晶圓，產(chǎn)能目標(biāo)為5000片/月。硅基GaN業(yè)務(wù)由臺(tái)亞半導(dǎo)體經(jīng)營(yíng)，產(chǎn)能建設(shè)初期以6英寸晶圓為主，已于2023年7月順利試產(chǎn)GaN功率元件。同時(shí)，臺(tái)亞半導(dǎo)體積極建設(shè)8英寸GaN產(chǎn)線(xiàn)，計(jì)劃開(kāi)發(fā)E-mode 650V HEMT功率元件，聚焦3C快充、云端信息存儲(chǔ)中心、電動(dòng)車(chē)、無(wú)人機(jī)市場(chǎng)應(yīng)用，預(yù)計(jì)2024年底前實(shí)現(xiàn)3000片/月的出貨量。

臺(tái)亞半導(dǎo)體總經(jīng)理衣冠君表示，公司已與許多客戶(hù)進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品的可靠性驗(yàn)證，客戶(hù)反饋的驗(yàn)證結(jié)果良好，并表示可媲美一線(xiàn)大廠(chǎng)，目前整個(gè)GaN事業(yè)群發(fā)展進(jìn)度超前。

針對(duì)臺(tái)亞半導(dǎo)體此舉，業(yè)界預(yù)計(jì)，其目的是推動(dòng)GaN事業(yè)群上市IPO計(jì)劃。實(shí)際上，該推測(cè)確與臺(tái)亞半導(dǎo)體當(dāng)前的發(fā)展規(guī)劃相符。據(jù)了解，臺(tái)亞半導(dǎo)體2022年已將面板組裝與系統(tǒng)開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)分割出去，成立了子公司光磊先進(jìn)顯示并規(guī)劃上市；除此之外，視覺(jué)顯示、IC設(shè)計(jì)、人工智能（AI）檢測(cè)等子公司也將分批推動(dòng)上市計(jì)劃。

本次分割之后，臺(tái)亞半導(dǎo)體的GaN業(yè)務(wù)有望獲得更大的發(fā)展空間，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證、量產(chǎn)應(yīng)用的進(jìn)程將加快，而集團(tuán)資源也將進(jìn)一步整合，助力各子公司業(yè)務(wù)取得長(zhǎng)足的發(fā)展。

市場(chǎng)集中度提升，GaN市場(chǎng)發(fā)展雖慢但穩(wěn)

今年以來(lái)，GaN領(lǐng)域似乎傳來(lái)了不少消極的消息：美國(guó)垂直GaN半導(dǎo)體技術(shù)生產(chǎn)商N(yùn)exGen Power Systems、新加坡射頻GaN芯片供應(yīng)商Gallium Semiconductor相繼宣布倒閉，而美國(guó)垂直GaN器件廠(chǎng)商O(píng)dyssey隨后也宣布出售公司資產(chǎn)。

盡管這些消息反映GaN市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)遇到困境的事實(shí)，但從資源分配的角度來(lái)看，小廠(chǎng)的退出有利于資源進(jìn)一步向有實(shí)力的大廠(chǎng)集中，GaN技術(shù)的潛力能夠更快地被挖掘出來(lái)，這一點(diǎn)從兩起大型并購(gòu)案可窺知一二。

業(yè)界皆知，GaN市場(chǎng)兩大主力GaN Systems及Transphorm已相繼并入功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌和半導(dǎo)體芯片大廠(chǎng)瑞薩電子，在綜合能力、技術(shù)共享、客戶(hù)資源、成本管控等方面都獲得了明顯的提升，有望發(fā)揮1+1＞2的效果。并且，目前包括英飛凌、瑞薩電子等在內(nèi)的各大廠(chǎng)商對(duì)于能源轉(zhuǎn)型期下GaN的發(fā)展前景依舊持著樂(lè)觀、看好的態(tài)度。

從實(shí)際進(jìn)展來(lái)看，GaN技術(shù)在電動(dòng)車(chē)、光儲(chǔ)充等高壓高功率市場(chǎng)的應(yīng)用越來(lái)越值得期待。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前不完全統(tǒng)計(jì)，GaN主要玩家PI、納微半導(dǎo)體、英諾賽科、GaN Systems、Transphorm、VisIC及博世等2023年在車(chē)用GaN市場(chǎng)取得了實(shí)質(zhì)性的成果。

另外，GaN技術(shù)去年也進(jìn)一步打開(kāi)了光伏儲(chǔ)能應(yīng)用市場(chǎng)，例如，大恒能源的光伏微型逆變器將采用Transphorm的GaN器件，而英諾賽科、EPC及鎵未來(lái)也在積極推廣光伏儲(chǔ)能用GaN技術(shù)，布局相關(guān)產(chǎn)品線(xiàn)。

在此基礎(chǔ)上，高壓GaN技術(shù)領(lǐng)域也不斷傳來(lái)好消息，越來(lái)越多廠(chǎng)商加入研發(fā)1200V及以上，以及基于藍(lán)寶石襯底的GaN技術(shù)。

比如，GaN器件廠(chǎng)商致能科技開(kāi)發(fā)了1200V D-Mode高可靠性GaN器件平臺(tái)。據(jù)悉，該平臺(tái)在滿(mǎn)足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已達(dá)到2400V，可匹配工業(yè)、新能源、汽車(chē)等領(lǐng)域的需求。該公司近日還成功開(kāi)發(fā)了8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓，有助于1200V-3300V高壓GaN平臺(tái)的實(shí)現(xiàn)。

從大廠(chǎng)的擴(kuò)產(chǎn)、產(chǎn)品布局動(dòng)態(tài)及技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)展來(lái)看，GaN技術(shù)在電動(dòng)車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等更高功率市場(chǎng)的應(yīng)用雖進(jìn)展較緩慢，但一直在穩(wěn)步前進(jìn)。目前臺(tái)亞半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)發(fā)展效果以及此次的分割之舉也可以作為一個(gè)有力的佐證。隨著技術(shù)的進(jìn)步、成本的下降與產(chǎn)業(yè)生態(tài)的調(diào)整，相信GaN領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)一番新的景象。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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杰平方介紹，8英寸SiC先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)項(xiàng)目總投資約69億港幣（約合人民幣64.5億元），計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片SiC晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和吸引國(guó)際專(zhuān)業(yè)人才來(lái)港的就業(yè)崗位。該工廠(chǎng)將成為香港首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)，將推動(dòng)香港生產(chǎn)自主研發(fā)的第三代半導(dǎo)體芯片。

杰平方是一家車(chē)規(guī)芯片設(shè)計(jì)研發(fā)商，產(chǎn)品覆蓋SiC功率器件及通用模擬、信號(hào)鏈芯片等，面向車(chē)身電能轉(zhuǎn)換、通信等領(lǐng)域。

今年7月，杰平方發(fā)布了自主研發(fā)的1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品——JPM120020B，該產(chǎn)品支持耐壓值1200V，導(dǎo)通阻抗為20mΩ，產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)涵蓋熱穩(wěn)定性好、允許導(dǎo)通電流更大、阻抗更低等，適用于光伏逆變、新能源汽車(chē)、充電樁、儲(chǔ)能等應(yīng)用。

從產(chǎn)品層面看，杰平方的布局與目前高功率應(yīng)用領(lǐng)域?qū)iC產(chǎn)品性能的需求方向相符。而且，結(jié)合其在車(chē)規(guī)芯片領(lǐng)域的其他產(chǎn)品，杰平方在車(chē)用SiC領(lǐng)域有一定的協(xié)同優(yōu)勢(shì)。

特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長(zhǎng)孫東指出，目前全世界關(guān)于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)都處于初步階段，香港的第三代半導(dǎo)體企業(yè)做起來(lái)后，與歐美的差距大概在一兩年左右。如果下一步借助內(nèi)地的龐大市場(chǎng)，香港有可能在未來(lái)5至10年躋身世界領(lǐng)先行列。

另值得注意的是，香港特別行政區(qū)政府本月初還宣布，成功引進(jìn)30家創(chuàng)新科技企業(yè)落戶(hù)香港，其中8成來(lái)自?xún)?nèi)地，包括華為、京東、美團(tuán)、聯(lián)想、阿斯利康等。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny整理）

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