01、帝爾激光總部暨研發(fā)生產(chǎn)基地三期項(xiàng)目落戶武漢

7月9日，東湖高新區(qū)與武漢帝爾激光科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“帝爾激光”）舉辦簽約儀式，帝爾激光總部暨研發(fā)生產(chǎn)基地三期項(xiàng)目落戶光谷。

source：光谷融媒體中心

目前，帝爾激光已在武漢未來(lái)科技城投資建設(shè)生產(chǎn)基地一期、二期項(xiàng)目。本次計(jì)劃投資30億元，設(shè)立總部暨研發(fā)生產(chǎn)基地三期項(xiàng)目，將建設(shè)集團(tuán)總部及前沿激光技術(shù)創(chuàng)新研究院，擴(kuò)充光伏組件激光封裝成套設(shè)備生產(chǎn)線，新增半導(dǎo)體激光設(shè)備生產(chǎn)廠房。

資料顯示，帝爾激光于2008年在光谷成立，一直致力于激光技術(shù)應(yīng)用的研發(fā)與創(chuàng)新，推出了多款全球首創(chuàng)激光加工解決方案。

在集成電路領(lǐng)域，帝爾激光聚焦第三代半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等技術(shù)發(fā)展與革新需求，瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵需求和核心問(wèn)題，推出了TGV激光微孔、IGBT/SiC激光退火、晶圓激光隱切等裝備。

02、晶馳機(jī)電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目落地河北

7月11日，河北正定縣與杭州晶馳機(jī)電科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱“晶馳機(jī)電”）舉行半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式。

source：正定發(fā)布

簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國(guó)控集團(tuán)分別與晶馳機(jī)電簽署招商入駐協(xié)議和投資合作協(xié)議。
資料顯示，晶馳機(jī)電成立于2021年7月，致力于碳化硅、金剛石、氮化鋁、氧化鎵等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

目前公司產(chǎn)品包括6英寸、8英寸水平進(jìn)氣和6英寸及8英寸兼容型垂直進(jìn)氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD 法），金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD 法），金剛石外延設(shè)備、氮化鋁長(zhǎng)晶設(shè)備，碳化硅源粉合成爐，氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐（導(dǎo)模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。

值得一提的是，5月末，晶馳機(jī)電還中標(biāo)了清華柔性電子技術(shù)研究院?jiǎn)尉PCVD設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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晶亦精微成立于2019年9月23日，公司控股股東是中電科四十五所，實(shí)際控制人為中國(guó)電科集團(tuán)。晶亦精微主營(yíng)半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件，并提供技術(shù)服務(wù)。

據(jù)介紹，CMP設(shè)備通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級(jí)平坦化，主要用于集成電路制造領(lǐng)域。

值得注意的是，為把握第三代半導(dǎo)體的機(jī)遇，晶亦精微在2020年便推出了6/8英寸兼容CMP設(shè)備Horizon-T并進(jìn)入產(chǎn)線驗(yàn)證，目前主要用于硅基半導(dǎo)體材料。該設(shè)備適用于SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料的特殊需求表面拋光處理工藝，截至2023年底，晶亦精微已向境內(nèi)客戶A銷售1臺(tái)6/8 英寸兼容CMP設(shè)備，用途是第三代半導(dǎo)體材料處理。

募資12.9億元擴(kuò)產(chǎn)，含第三代半導(dǎo)體CMP設(shè)備

本次發(fā)行上市，晶亦精微擬募資12.9億元，投向“高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目”、“高端半導(dǎo)體裝備工藝提升及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)與制造中心建設(shè)項(xiàng)目”。

其中，高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)與制造中心建設(shè)項(xiàng)目總投資5.55億元，將重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體材料CMP成套工藝及設(shè)備的開(kāi)發(fā)，重點(diǎn)攻克SiC高效全局平坦化，實(shí)現(xiàn)研磨液循環(huán)利用系統(tǒng)、研磨液均勻分布系統(tǒng)等在研技術(shù)的產(chǎn)品化及產(chǎn)業(yè)化落地。

具體來(lái)看，該項(xiàng)目擬對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體材料CMP成套工藝及設(shè)備的開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。項(xiàng)目建成后，可形成第三代半導(dǎo)體材料CMP設(shè)備18臺(tái)/年、8英寸CMP設(shè)備12臺(tái)/年、12 英寸CMP設(shè)備22臺(tái)/年（面向28nm及以上制程）、6/8英寸兼容CMP設(shè)備10臺(tái)/年的生產(chǎn)規(guī)模。

通過(guò)本項(xiàng)目的建設(shè)，晶亦精微計(jì)劃在2026 年完成SiC CMP產(chǎn)品線布局，推出滿足第三代半導(dǎo)體材料全局平坦化的CMP設(shè)備 Horizon-W，并基于該產(chǎn)品完成客戶端的工藝開(kāi)發(fā)及性能驗(yàn)證。

國(guó)產(chǎn)替代時(shí)機(jī)下，業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，目前長(zhǎng)晶設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較高，而切磨拋設(shè)備仍高度依賴進(jìn)口，目前是國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商突破的重要方向之一。

據(jù)介紹，第三代半導(dǎo)體材料硬度相對(duì)較大，拋光時(shí)需要提供更大的拋光壓力，需要配備更大壓力的拋光頭及更精準(zhǔn)的壓力控制系統(tǒng)以滿足第三代半導(dǎo)體的拋光需求。而晶亦精微創(chuàng)立不久就研發(fā)出適用于SiC材料的CMP設(shè)備并實(shí)現(xiàn)批量銷售，可見(jiàn)其具備較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力。

在未來(lái)發(fā)展方向上，晶亦精微也將深化CMP技術(shù)在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的應(yīng)用作為技術(shù)攻關(guān)之一，將持續(xù)加大研發(fā)投入。同時(shí)，隨著項(xiàng)目的建設(shè)，晶亦精微也將逐步擴(kuò)充第三代半導(dǎo)體CMP設(shè)備的產(chǎn)能，在國(guó)產(chǎn)替代時(shí)機(jī)下更好地滿足市場(chǎng)需求。

在此機(jī)遇下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商近幾年來(lái)也迎來(lái)了豐收期，晶亦精微也趕上了這一波紅利期。據(jù)披露，2020-2022年，晶亦精微分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9,984萬(wàn)元、2.2億元、5.06億元，逐年成倍數(shù)增長(zhǎng)；凈利潤(rùn)方面，2021年開(kāi)始盈利，并實(shí)現(xiàn)逐年增長(zhǎng)。

2023年上半年，晶亦精微營(yíng)收也達(dá)到3.09億元，全年?duì)I收預(yù)計(jì)約5.8 – 6億元，同比增長(zhǎng)14.67% – 18.62%；預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1.55-1.6億元，同比增長(zhǎng)20.86% – 24.76%；預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)約1.28 -1.31億元，同比增長(zhǎng)0.93% – 3.30%?？傮w經(jīng)營(yíng)情況持續(xù)向好，業(yè)績(jī)保持持續(xù)增長(zhǎng)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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