據(jù)悉，氮化鋁的超寬帶隙和高導(dǎo)熱性有助于提高UVC LED和其他下一代RF和功率器件的可靠性和性能。
左：2024年Q1，Crystal IS的100mm氮化鋁襯底的可用面積為90%；右：2024年Q2，氮化鋁襯底其可用面積為99.3%。
Crystal IS表示，在過去九個(gè)月，公司氮化鋁大直徑襯底實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的提升，展示了公司團(tuán)隊(duì)在晶體生長方面的豐富經(jīng)驗(yàn)與專業(yè)知識，氮化鋁固有的熱優(yōu)勢可以使射頻和功率設(shè)備性能更高。
Crystal IS計(jì)劃在今年向主要合作伙伴供應(yīng)直徑為4英寸的氮化鋁襯底，這些襯底將在其美國工廠獨(dú)家生產(chǎn)，Crystal IS也將繼續(xù)拓展UVC LED以外的業(yè)務(wù)。
資料顯示，Crystal IS成立于1997年，致力于開發(fā)氮化鋁襯底，其技術(shù)工藝可用于2英寸直徑襯底中生產(chǎn)UVC LED。這些LED具有260-270nm波長，以及高可靠性和高性能特點(diǎn)，可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應(yīng)用。
去年8月，Crystal IS宣布生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性，能夠滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。（文：集邦化合物半導(dǎo)體）
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鉅瓷科技成立于2016年，是一家致力于高品級氮化鋁粉體及陶瓷制品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括高純微細(xì)氮化鋁粉末、球形氮化鋁顆粒、復(fù)雜精密氮化鋁陶瓷制品三大系列。
據(jù)“再石資本”介紹，鉅瓷科技是國內(nèi)第一家、也是目前唯一一家具備合格高品級氮化鋁粉末批量制備能力的企業(yè)。公司已建成年產(chǎn)能400噸的產(chǎn)線，2024年預(yù)計(jì)可達(dá)600噸，是國內(nèi)最大的專業(yè)氮化鋁陶瓷研發(fā)、生產(chǎn)基地，產(chǎn)能及銷售規(guī)模位列全球第二。
愛企查官網(wǎng)顯示，鉅瓷科技現(xiàn)已完成7輪融資，投資方包括比亞迪、廈門高新投、英諾天使基金等。
據(jù)了解，氮化鋁粉末已被國家工信部列為戰(zhàn)略基礎(chǔ)原材料。作為一種導(dǎo)熱性能極佳的原材料，氮化鋁粉末主要用于制作功率半導(dǎo)體芯片的支撐與散熱基板，并廣泛應(yīng)用于通訊基站、汽車、高鐵與電網(wǎng)、消費(fèi)電子、國防軍工等領(lǐng)域。與目前主要使用的散熱原材料氧化鋁相比，氮化鋁的導(dǎo)熱性能是氧化鋁的7到10倍，性價(jià)比更高。
但高品級氮化鋁粉末制備技術(shù)長期被日本企業(yè)所壟斷，價(jià)格高昂且嚴(yán)格限制對軍工的出口量。而鉅瓷科技憑借著濕法混料、自主研發(fā)的短流生產(chǎn)工藝等原創(chuàng)技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的同時(shí)，生產(chǎn)功耗也大幅度降低。據(jù)悉，鉅瓷科技的單位時(shí)間產(chǎn)能是日本德山公司的兩倍，同時(shí)每公斤能耗降低60%、成本降低50%。
此外，鉅瓷科技的注射成形氮化鋁陶瓷生產(chǎn)技術(shù)現(xiàn)處于世界領(lǐng)先水平。公司依托北京科技大學(xué)在氮化鋁領(lǐng)域的研究成果，先后獲得了國家專精特新小巨人、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃負(fù)責(zé)單位等榮譽(yù)。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）
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]]>據(jù)悉，華清電子是一家專業(yè)從事高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷基板和電子陶瓷元器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的高科技企業(yè)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G通訊、LED封裝、半導(dǎo)體、功率模塊(IGBT)、影像傳感、醫(yī)療、汽車電子等高科技領(lǐng)域。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
高純氮化鋁陶瓷具有卓越的熱傳導(dǎo)性，耐熱性、絕緣性，熱膨脹系數(shù)接近硅，且具有優(yōu)異的等離子體抗性，產(chǎn)品熱量分布均勻，可應(yīng)用于晶片加熱的加熱器、靜電吸盤等。
尚頎資本表示，公司在2020年已經(jīng)參與華清電子A輪融資。華清電子業(yè)績多年穩(wěn)定在高盈利水平，業(yè)務(wù)方面實(shí)現(xiàn)了上游自供粉體、下游延伸做金屬化，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈的延伸。且華清電子業(yè)務(wù)橫向拓展氧化鋁基板和氧化鋁/氮化硅/氮化鋁精密結(jié)構(gòu)陶瓷，進(jìn)一步提高自身核心競爭力。基于此，尚頎資本追加C輪投資。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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Crystal IS
據(jù)了解，氮化鋁襯底具有低缺陷密度、高紫外透明度和低雜質(zhì)濃度的特點(diǎn)，并且由于其超寬帶隙和較高的熱導(dǎo)率，氮化鋁在多個(gè)領(lǐng)域都具有較大的應(yīng)用潛力，例如UVC LED和功率器件等。根據(jù)當(dāng)前UVC LED產(chǎn)品要求，Crystal IS所生產(chǎn)的4英寸氮化鋁襯底的可使用面積超過80％。
旭化成方面表示，本次子公司生產(chǎn)的4英寸氮化鋁襯底，證明了氮化鋁在除UVC LED之外的行業(yè)中，也具有商業(yè)應(yīng)用的可行性。
資料顯示，Crystal IS成立于1997年，致力于開發(fā)氮化鋁襯底，其技術(shù)工藝可用于2英寸直徑襯底中生產(chǎn)UVC LED。這些LED具有260-270nm波長，以及高可靠性和高性能特點(diǎn)，可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應(yīng)用。
Crystal IS表示，4英寸氮化鋁襯底的成功生產(chǎn)，表明了公司氮化鋁襯底工藝可擴(kuò)展性，并能夠提供高質(zhì)量的氮化鋁器件。
目前，Crystal IS每年生產(chǎn)數(shù)千個(gè)2英寸襯底，以滿足其UVC LED產(chǎn)品系列Klaran和Optan的需求。本次4英寸氮化鋁襯底的商業(yè)化，將使Crystal IS工廠現(xiàn)有設(shè)施的器件產(chǎn)能增加四倍，并將氮化鋁襯底的新應(yīng)用開發(fā)成為可能，氮化鋁襯底將與公司現(xiàn)有使用替代材料的功率和射頻器件的制造線相結(jié)合。
據(jù)悉，8月13日至18日，Crystal IS將在亞利桑那州圖森舉行的第23屆美國晶體生長與外延會議上展示其4英寸襯底產(chǎn)品最新進(jìn)展。
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