其中，在碳化硅產(chǎn)品方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

根據(jù)時(shí)代電氣2024年半年度報(bào)告，時(shí)代電氣主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售并提供相關(guān)服務(wù)，具有“器件+系統(tǒng)+整機(jī)”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品主要包括以軌道交通牽引變流系統(tǒng)為主的軌道交通電氣裝備、軌道工程機(jī)械、通信信號(hào)系統(tǒng)等。

同時(shí)，時(shí)代電氣正在積極布局軌道交通以外的產(chǎn)業(yè)，在功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)變流產(chǎn)品、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、傳感器件、海工裝備等領(lǐng)域開(kāi)展業(yè)務(wù)。

2024年上半年，在功率半導(dǎo)體板塊業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣已有產(chǎn)線滿載運(yùn)營(yíng)，宜興3期項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升。同時(shí)，其電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項(xiàng)目持續(xù)交付。此外，時(shí)代電氣IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量交付，碳化硅產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開(kāi)發(fā)，碳化硅產(chǎn)線改造完成，新能源車用碳化硅產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。

在碳化硅芯片技術(shù)方面，時(shí)代電氣掌握了具有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)，全電壓等級(jí)MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時(shí)代電氣子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)羅海輝博士在PCIM Asia 2024展會(huì)上透露，該公司早在2017年就建成了國(guó)內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，公司正在建設(shè)8英寸線，能夠滿足每年500臺(tái)車的碳化硅需求。

目前，正在蓬勃發(fā)展的新能源汽車產(chǎn)業(yè)已成為時(shí)代電氣業(yè)務(wù)拓展方向之一，而具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅產(chǎn)能，有助于時(shí)代電氣車用碳化硅業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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時(shí)代電氣：營(yíng)收破百億，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)30%

2024年上半年，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入人民幣102.84億元，同比增長(zhǎng)19.99%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)人民幣15.07億元，同比增長(zhǎng)30.56%，增長(zhǎng)主要系營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)帶來(lái)毛利潤(rùn)增長(zhǎng)。

報(bào)告期內(nèi)，功率半導(dǎo)體板塊業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣已有產(chǎn)線滿載運(yùn)營(yíng)，宜興3期項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升；

電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項(xiàng)目持續(xù)交付；IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量交付，碳化硅（SiC）產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開(kāi)發(fā)，SiC產(chǎn)線改造完成，新能源車用SiC產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。
報(bào)告期內(nèi)，在SiC芯片技術(shù)方面，公司突破高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細(xì)光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)；

攻克有源區(qū)柵氧電場(chǎng)屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴(kuò)展以及高可靠性、高效率空間電場(chǎng)調(diào)制場(chǎng)環(huán)終端設(shè)計(jì)等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)；

掌握了具有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)SiC工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)，全電壓等級(jí)MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

國(guó)博電子：發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品

2024上半年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13.02元，較上年同期減少32.21%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)2.44億元，較上年同期減少20.77%。

國(guó)博電子表示，報(bào)告期內(nèi)公司營(yíng)業(yè)收入同比下降32.21%：主要系報(bào)告期內(nèi)T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少所致。

據(jù)悉，國(guó)博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
T/R組件領(lǐng)域，公司積極推進(jìn)射頻組件設(shè)計(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，重點(diǎn)圍繞W波段有源相控微系統(tǒng)、低剖面寬帶毫米波數(shù)字陣列等新領(lǐng)域，持續(xù)開(kāi)展相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，積極推進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)產(chǎn)品化技術(shù)，為新一代產(chǎn)品開(kāi)拓打下基礎(chǔ)。

公司積極開(kāi)展T/R組件應(yīng)用領(lǐng)域拓展，在低軌衛(wèi)星和商業(yè)航天領(lǐng)域均開(kāi)展了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，多款產(chǎn)品已開(kāi)始交付客戶。

射頻模塊領(lǐng)域，上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品。新技術(shù)持續(xù)攻關(guān)，改善產(chǎn)品的線性度、效率等性能。預(yù)計(jì)下半年新一代的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及應(yīng)用，器件綜合競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步提升。射頻芯片領(lǐng)域，2024年，5G基站市場(chǎng)整體保持平穩(wěn)，5G-A通感基站試點(diǎn)帶動(dòng)基站射頻芯片銷售增長(zhǎng)。

新產(chǎn)品方面，公司為下一代基站平臺(tái)新研數(shù)款物料穩(wěn)步推進(jìn)中。終端射頻芯片產(chǎn)品持續(xù)穩(wěn)定交付，系列化新產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，積極推進(jìn)基于新型半導(dǎo)體工藝的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，拓展公司終端射頻芯片品類。新領(lǐng)域和新客戶方面積極推進(jìn)ODU及衛(wèi)星通信芯片開(kāi)發(fā)推廣，部分產(chǎn)品已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。

燕東微：預(yù)計(jì)年內(nèi)累計(jì)交付硅光芯片5000片

公司2024上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入6.16億元，較上年同期下降43.10%，歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)-0.15億元，由盈轉(zhuǎn)虧，主要原因是市場(chǎng)需求發(fā)生變化，部分產(chǎn)品價(jià)格下降及需求下滑所致。
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報(bào)告期內(nèi)，公司產(chǎn)品與方案板塊銷售收入3.05億元，同比減少55.06%，主要受客觀因素影響，客戶需求放緩，導(dǎo)致產(chǎn)品與方案板塊收入同比下降。

2024年上半年新增客戶百余家，累計(jì)完成了22款單片集成電路，15款混合集成電路研制，開(kāi)發(fā)了5V和40V SOI CMOS特種工藝平臺(tái)，并加大在模擬開(kāi)關(guān)、有源濾波器模塊、高精度線性光耦、微型光電隔離通信模塊、電感數(shù)字隔離器、光電隔離電壓檢測(cè)模塊、ASIC等特種新產(chǎn)品方面的研制力度。

制造與服務(wù)業(yè)務(wù)板塊銷售收入2.80億元，同比減少23.45%。從2022年下半年度開(kāi)始，外部市場(chǎng)環(huán)境持續(xù)低迷，尤其是消費(fèi)類電子市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)加大，進(jìn)入2024年上半年以來(lái)，消費(fèi)類市場(chǎng)逐步回暖，訂單需求實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)，但平均產(chǎn)品售價(jià)較高點(diǎn)仍有較大幅度降幅，導(dǎo)致消費(fèi)類產(chǎn)品收入較同期仍有一定下滑。

燕東微硅光平臺(tái)分別在8英寸產(chǎn)線和12英寸產(chǎn)線均取得較大進(jìn)展，其中8英寸SiN工藝平臺(tái)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，8英寸SOI工藝平臺(tái)完成部分關(guān)鍵器件開(kāi)發(fā)；12英寸SOI工藝平臺(tái)完成部分關(guān)鍵工藝開(kāi)發(fā)。

2024年上半年，公司在硅光芯片制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了波導(dǎo)損耗改善、工藝集成優(yōu)化等技術(shù)突破，特別是在SiN工藝平臺(tái)上，成功實(shí)現(xiàn)了硅光芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)1000片。公司將積極拓展應(yīng)用領(lǐng)域，擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模，月度需求超過(guò)1000片，預(yù)計(jì)年度內(nèi)累計(jì)交付客戶超5000片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公告顯示，時(shí)代電氣2023年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)11.54億元，實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)9.29億元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，時(shí)代電氣表示，2024年上半年其收入增長(zhǎng)受益于鐵路投資增長(zhǎng)、客流復(fù)蘇等積極影響，軌道交通產(chǎn)品驗(yàn)收交付量同比增長(zhǎng)，同時(shí)其功率半導(dǎo)體器件等新興裝備產(chǎn)業(yè)也帶來(lái)增量。其歸母凈利潤(rùn)及歸母扣非凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)，主要受益于收入規(guī)模同比增長(zhǎng)。

近年來(lái)，時(shí)代電氣持續(xù)加碼功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2022年9月，時(shí)代電氣發(fā)布公告宣布投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。根據(jù)當(dāng)時(shí)的公告內(nèi)容，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目共分為兩個(gè)子項(xiàng)目，包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設(shè)項(xiàng)目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目。

隨后在2023年4月，時(shí)代電氣發(fā)布公告，其控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬(wàn)元（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過(guò)本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的碳化硅芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

該項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵碳化硅MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵碳化硅MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸碳化硅芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸碳化硅芯片線1萬(wàn)片/年的產(chǎn)能提升到6英寸碳化硅芯片線2.5萬(wàn)片/年。

隨著時(shí)代電氣多個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)，其功率半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)營(yíng)收占比有望擴(kuò)大，進(jìn)而推動(dòng)其業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步增長(zhǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中車時(shí)代半導(dǎo)體完成6.3億元戰(zhàn)略投資

3月22日，據(jù)“科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)”消息，高科集團(tuán)參股公司株洲中車時(shí)代高新投資有限公司（以下簡(jiǎn)稱時(shí)代投資）參與的基金完成對(duì)株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱中車時(shí)代半導(dǎo)體）6.3億元人民幣的戰(zhàn)略投資，其中時(shí)代投資出資4700萬(wàn)元。

作為中車時(shí)代電氣股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱時(shí)代電氣）下屬全資子公司，中車時(shí)代半導(dǎo)體自2019年1月成立以來(lái)，全面負(fù)責(zé)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)，目前已成為國(guó)際少數(shù)同時(shí)掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術(shù)的IDM（集成設(shè)計(jì)制造）模式企業(yè)代表，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈。

近年來(lái)，時(shí)代電氣大力布局SiC相關(guān)產(chǎn)品。根據(jù)時(shí)代電氣在2022年4月發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬(wàn)元人民幣實(shí)施SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過(guò)本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場(chǎng)均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。

而在2023年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司針對(duì)800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，正處于應(yīng)用推廣階段。同時(shí)，SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s正處于整車廠送樣驗(yàn)證階段，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。

本輪融資有助于滿足中車時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)充資金需求，進(jìn)而加速其SiC產(chǎn)品在新能源汽車、軌道交通等領(lǐng)域應(yīng)用進(jìn)程。

盈鑫半導(dǎo)體完成天使輪融資

3月29日，據(jù)“東莞科創(chuàng)金融集團(tuán)”官微消息，東莞科創(chuàng)金融集團(tuán)管理的松山湖天使基金完成對(duì)盈鑫半導(dǎo)體天使輪投資。通過(guò)本輪融資，盈鑫半導(dǎo)體將加速核心原材料自產(chǎn)進(jìn)度，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體拋光研磨材料進(jìn)口替代。

資料顯示，盈鑫半導(dǎo)體成立于2021年6月，是一家集研發(fā)、制造和銷售為一體的綜合型 CMP 制程材料供應(yīng)商，聚焦于泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的卡脖子材料的國(guó)產(chǎn)替代。公司主要產(chǎn)品有無(wú)蠟吸附墊、拋光研磨墊等，廣泛應(yīng)用于第一、二、三代半導(dǎo)體、藍(lán)寶石和消費(fèi)電子行業(yè)。

據(jù)悉，盈鑫半導(dǎo)體在研磨拋光行業(yè)率先布局第三代半導(dǎo)體拋光研磨材料，配合行業(yè)龍頭企業(yè)工藝調(diào)試期間，同步開(kāi)發(fā)SiC襯底和GaN外延CMP制程所需的吸附墊、拋光墊產(chǎn)品，率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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該專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動(dòng)汽車，高壓SiC電機(jī)控制器中，上蓋板和下蓋板分別連接箱體頂部和底部，下蓋板內(nèi)設(shè)有支撐電容，支撐電容延伸至箱體內(nèi)；濾波器設(shè)置在箱體側(cè)部，分別與高壓線束和支撐電容連接；SiC模塊設(shè)置在箱體底部，分別與支撐電容和三相連接組件Ⅰ的輸入端連接，三相連接組件Ⅰ的輸出端與三相連接組件Ⅱ的輸入端連接，三相連接組件Ⅱ的輸出端與電機(jī)連接；驅(qū)動(dòng)板設(shè)置在SiC模塊上部，SiC模塊與驅(qū)動(dòng)板連接；控制板設(shè)置在驅(qū)動(dòng)板上部，控制板與驅(qū)動(dòng)板之間設(shè)有屏蔽板，控制板與驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行線束連接。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)緊湊、裝配簡(jiǎn)單、體積小巧且密封性能好等優(yōu)點(diǎn)。

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值得一提的是，時(shí)代電氣去年還取得多項(xiàng)SiC相關(guān)專利，包括“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”、“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”。

其中，“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”專利授權(quán)公告號(hào)CN112701151B，授權(quán)公告日為2022年5月6日。

該專利摘要顯示，本公開(kāi)提供一種SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。該方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉積生長(zhǎng)掩膜層；刻蝕所述掩膜層，在所述掩膜層上形成第一刻蝕槽；再次刻蝕所述掩膜層，在所述第一刻蝕槽內(nèi)形成第二刻蝕槽；通過(guò)第一刻蝕槽和第二刻蝕槽構(gòu)成的離子注入窗口，注入第一高能離子，形成階梯狀形貌的阱區(qū)；注入第二高能離子，形成源區(qū)。本公開(kāi)通過(guò)階梯狀形貌的離子注入窗口，來(lái)實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)工藝，可以非常精確的實(shí)現(xiàn)對(duì)溝道長(zhǎng)度和位置的控制，工藝簡(jiǎn)單穩(wěn)定。同時(shí)，形成階梯狀形貌的P阱區(qū)，擴(kuò)展了兩個(gè)P阱區(qū)之間的JFET區(qū)，增大了JFET區(qū)電流橫向輸出路徑，進(jìn)一步提升器件大電流密度輸出能力。

此外，“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”專利授權(quán)公告號(hào)CN112713199B，授權(quán)公告日為2022年10月11日。

該專利摘要顯示，本公開(kāi)提供一種碳化硅肖特基二極管及其制備方法。該二極管包括：第一導(dǎo)電類型碳化硅襯底、位于所述襯底上方的第一導(dǎo)電類型漂移層、位于所述漂移層上方的第二導(dǎo)電類型阻擋層和位于所述阻擋層上方的第一導(dǎo)電類型過(guò)渡層，所述過(guò)渡層包括用于設(shè)置所述肖特基二極管的結(jié)勢(shì)壘區(qū)和位于所述結(jié)勢(shì)壘區(qū)兩側(cè)的結(jié)終端保護(hù)區(qū)。本公開(kāi)通過(guò)在SiC JBS漂移層上形成導(dǎo)電類型相反的碳化硅阻擋層，在不增加正向?qū)娮璧那疤嵯?，解決了SiC JBS反向漏電過(guò)大的問(wèn)題，特別是反向偏壓低電壓時(shí)，肖特基反向漏電隨電壓增長(zhǎng)而快速增大的問(wèn)題。

目前，時(shí)代電氣正在大力布局SiC相關(guān)產(chǎn)品。根據(jù)時(shí)代電氣在去年4月發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬(wàn)元人民幣（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過(guò)本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場(chǎng)均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。

而在今年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司針對(duì)800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，正處于應(yīng)用推廣階段。同時(shí)，SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s正處于整車廠送樣驗(yàn)證階段，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。（來(lái)源：天眼查，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，時(shí)代電氣圍繞技術(shù)與市場(chǎng)，形成了“基礎(chǔ)器件+裝置與系統(tǒng)+整機(jī)與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、電力電子器件、汽車電驅(qū)、工業(yè)電氣、海工裝備等領(lǐng)域。

根據(jù)時(shí)代電氣在去年4月12日發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬(wàn)元人民幣（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施上述SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過(guò)本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

SiC MOSFET可用于新能源汽車主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等部件中，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，SiC MOSFET正在加速上車，市場(chǎng)需求日益增長(zhǎng)，這對(duì)SiC器件廠商的SiC芯片產(chǎn)能提出了越來(lái)越高的要求，投資擴(kuò)產(chǎn)成為各大廠商的共識(shí)。

同時(shí)，降本增效也成為SiC企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。隨著時(shí)代電氣SiC芯片產(chǎn)能提升，形成規(guī)模效應(yīng)后有助于單片芯片成本下降，從4英寸升級(jí)為6英寸也是降本舉措，因?yàn)橐r底尺寸較大，單位襯底可以制造芯片的數(shù)量就較多，單片芯片成本就會(huì)有一定程度的降低。

時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場(chǎng)均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。而在今年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司針對(duì)800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，目前處于應(yīng)用推廣階段。SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%，目前正在整車廠送樣驗(yàn)證階段。時(shí)代電氣SiC芯片升級(jí)項(xiàng)目的建成達(dá)產(chǎn)，一定程度上將為該公司相關(guān)產(chǎn)品的大規(guī)模推廣應(yīng)用做好產(chǎn)能準(zhǔn)備。

投建項(xiàng)目短期來(lái)看會(huì)增加公司的資本支出，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看對(duì)公司的業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)均會(huì)有積極作用，實(shí)施SiC芯片升級(jí)項(xiàng)目，時(shí)代電氣提升產(chǎn)能的同時(shí)，有望降低成本，以便更好的迎合新能源汽車領(lǐng)域快速發(fā)展大趨勢(shì)，獲得更多與車企合作機(jī)會(huì)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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