天岳先進介紹，公司董事長宗艷民先生率團于2024年8月30日訪問了海信集團，公司家電集團研發(fā)技術(shù)負責人與海信空調(diào)事業(yè)部負責人等就SiC（碳化硅）半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)進展方向，以及SiC功率器件在白色家電上的應(yīng)用展開了廣泛深度的交流。

來源：天岳先進

近幾年來，在全球推行節(jié)能減碳的趨勢下，各國相繼頒布更高的能效規(guī)范，各行各業(yè)在發(fā)展過程中對提高能效的重視程度不斷提升。

以家電領(lǐng)域的空調(diào)為例，家用空調(diào)新能效標準在2020年實施，因此提高產(chǎn)品能效成為空調(diào)產(chǎn)品升級的重要方向，而SiC器件因其耐高溫、耐高壓、高功率、高頻率等優(yōu)異的性能和突出的“節(jié)能”效果受到空調(diào)等白色家電領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，已成為白色家電領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新重點方向之一，應(yīng)用包括電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換、逆變器等多種場景。

具體來看，SiC可通過提高效率，減少空調(diào)散熱器的尺寸和熱管理成本；同時，通過更高的開關(guān)頻率，降低磁性元件的成本和尺寸，實現(xiàn)更高的功率密度；此外，SiC低電磁干擾的特性可減少電磁干擾濾波器和相關(guān)研發(fā)的成本。結(jié)合這些優(yōu)勢，SiC可幫助客戶提升系統(tǒng)性能、降低系統(tǒng)成本。

英飛凌、Wolfspeed、三菱電機、羅姆等SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠商一直以來也在積極開拓白色家電市場。其中，Wolfspeed在2022年便公開介紹過其在空調(diào)等家電市場的布局和進展。據(jù)當時介紹，其SiC二極管已用于家用和商用空調(diào)行業(yè)，系統(tǒng)優(yōu)勢相比于傳統(tǒng)的快恢復(fù)二極管更高。在空調(diào)壓縮機的驅(qū)動上，當時也已有客戶在使用Wolfspeed的SiC MOSFET替代原有的IGBT方案，以實現(xiàn)更高的效率和功率密度。

三菱電機也在其空調(diào)產(chǎn)品中引入了基于SiC的功率半導(dǎo)體模塊，用在空調(diào)的逆變器中，大幅提高了系統(tǒng)的能效，同時減小了功率模塊的體積和重量。

除了空調(diào)之外，SiC在其他家電產(chǎn)品中的應(yīng)用前景也備受看好。比如，Wolfspeed同步拓展了SiC在電視機等更多白色家電產(chǎn)品中的應(yīng)用場景，此前已經(jīng)與重點客戶合作應(yīng)用SiC MOSFET和SiC二極管。

盡管目前SiC在家電領(lǐng)域也仍然未到大規(guī)模應(yīng)用的階段，但其技術(shù)成熟度以及成本效益已經(jīng)有了較大的提升，接下來有望進一步打開空調(diào)、電視機、微波爐等更多家電產(chǎn)品的市場。

就天岳先進與海信的合作來看，天岳先進目前已是SiC技術(shù)推廣、產(chǎn)品應(yīng)用及產(chǎn)能擴充等各方面的主要力量之一，而海信旗下有海信（Hisense）、東芝電視（Toshiba TV）、容聲（Ronshen）、gorenje、ASKO等多個品牌，家電產(chǎn)品系列多元化，加上其在產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，正在向產(chǎn)業(yè)高端和高端產(chǎn)業(yè)上推進，具備充分的條件導(dǎo)入SiC技術(shù)。未來，雙方的合作有望助力SiC加速滲透白色家電市場。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）

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天岳先進上半年扭虧為盈

天岳先進2024年半年度報告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，天岳先進實現(xiàn)營收9.12億元，同比增長108.27%；歸母凈利潤1.02億元，同比扭虧為盈。

產(chǎn)品方面，目前，天岳先進已經(jīng)實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸半絕緣型襯底、4英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的批量供應(yīng)，主要客戶包括國內(nèi)外電力電子器件、5G通信、汽車電子等領(lǐng)域知名客戶。

產(chǎn)能布局方面，天岳先進目前已形成山東濟南、濟寧碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。上海臨港智慧工廠已于2023年5月實現(xiàn)產(chǎn)品交付，是其導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。

技術(shù)研發(fā)方面，天岳先進設(shè)有碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家級博士后科研工作站、山東省碳化硅材料重點實驗室等國家和省級研發(fā)平臺，承擔了一系列國家和省部級研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目。其子公司上海天岳與長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心、上海長三角技術(shù)創(chuàng)新研究院共建了“長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心-天岳半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新中心”，共同推動碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。

關(guān)于業(yè)績增長原因，天岳先進表示，報告期內(nèi)，得益于碳化硅半導(dǎo)體材料在新能源汽車及風光儲等應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透，下游應(yīng)用市場持續(xù)擴大，終端對高品質(zhì)、車規(guī)級產(chǎn)品的需求旺盛。其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，產(chǎn)品交付能力持續(xù)增加，隨著新建產(chǎn)能的利用率提升，產(chǎn)能規(guī)模的擴大，盈利能力提高。

納芯微上半年實現(xiàn)營收8.49億元，同比增長17.30%

納芯微2024年半年度報告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，納芯微實現(xiàn)營收8.49億元，同比增長17.30%；歸母凈利潤-2.65億元，歸母扣非凈利潤-2.86億元。

關(guān)于營收增長原因，納芯微表示，隨著下游汽車電子領(lǐng)域需求穩(wěn)健增長，其汽車電子領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品持續(xù)放量，以及消費電子領(lǐng)域景氣度的持續(xù)改善，其實現(xiàn)營收同比增長。

關(guān)于凈利潤下滑，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟以及市場競爭加劇的影響，其產(chǎn)品售價承壓，毛利率較上年同期有所下降；同時，其在市場開拓、供應(yīng)鏈體系建設(shè)、產(chǎn)品質(zhì)量管理、人才建設(shè)等多方面資源投入的積累，使得公司銷售費用、管理費用同比上升。

納芯微是一家高性能高可靠性模擬及混合信號芯片公司，產(chǎn)品涵蓋傳感器、信號鏈和電源管理三大領(lǐng)域，被廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費電子場景，其中泛能源領(lǐng)域主要是指圍繞能源系統(tǒng)的工業(yè)類應(yīng)用，從發(fā)電端、到輸電、到配電、再到用電端的各個領(lǐng)域，包括光伏儲能、模塊電源、工控、電力電子等。

納芯微以信號鏈技術(shù)為基礎(chǔ)，在模擬及混合信號領(lǐng)域開展了自主研發(fā)工作，并在傳感器、信號鏈、電源與驅(qū)動、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域形成了多項核心技術(shù)，上述核心技術(shù)均已應(yīng)用于其主要產(chǎn)品。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，納芯微的碳化硅二極管基于混合式PIN-肖特基二極管技術(shù)，推出了1200V系列產(chǎn)品，可實現(xiàn)超低導(dǎo)通電壓<1.4V,極低的反向漏電流uA級，額定電流10倍以上的抗浪涌電流能力；碳化硅MOSFET器件基于平面柵工藝，推出新一代自對準高電流密度產(chǎn)品，可實現(xiàn)優(yōu)異的比導(dǎo)通電阻參數(shù)<4mohm2，損耗更低，同時兼容15V/18V驅(qū)動電壓。該技術(shù)常用于光伏、儲能、充電樁、電動汽車充電機、主驅(qū)動等電力電子場景，用以降低系統(tǒng)損耗、成本及體積等參數(shù)。

揚杰科技上半年碳化硅等產(chǎn)品訂單和出貨量同比增長

揚杰科技2024年半年度報告數(shù)顯示，2024年上半年，揚杰科技實現(xiàn)營收28.65億元，同比增長9.16%；歸母凈利潤4.25億元，同比增長3.43%；歸母扣非凈利潤4.22億元，同比增長3.04%。

揚杰科技致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計、制造、封裝測試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其主營產(chǎn)品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊（單晶硅棒、硅片、外延片）、晶圓板塊（5英寸、6英寸、8英寸等各類電力電子器件芯片）及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC系列產(chǎn)品、整流器件、保護器件、小信號及其他產(chǎn)品系列等），產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊、安防、工業(yè)、消費類電子等領(lǐng)域。

報告期內(nèi)，揚杰科技不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在工業(yè)、光伏儲能、新能源汽車、人工智能等市場的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升。

上半年，揚杰科技針對新能源汽車控制器應(yīng)用，重點解決了低電感封裝、多芯片均流、銅線互連、銀燒結(jié)等關(guān)鍵技術(shù)，研制了750V/820A IGBT模塊、1200V/2mΩ三相橋SiC模塊。

宏微科技上半年實現(xiàn)營收6.37億元，首款1200V碳化硅MOSFET芯片研制成功

宏微科技2024年半年度報告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，宏微科技實現(xiàn)營收6.37億元，同比下滑16.72%；歸母凈利潤0.03億元，同比下滑95.98%。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

報告期內(nèi)，宏微科技產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRD、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品300余種，IGBT、FRD、MOSFET、整流二極管及晶閘管等灌封和塑封模塊產(chǎn)品600余種，應(yīng)用于工業(yè)控制（變頻器、伺服電機、UPS及各種開關(guān)電源等），新能源發(fā)電（光伏逆變器、風能變流器和電能質(zhì)量管理）、新能源汽車（電控系統(tǒng)、充電樁和OBC、DC電源）等領(lǐng)域。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了SiC芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的SiC模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

業(yè)務(wù)進展方面，宏微科技首款1200V SiC MOSFET芯片已研制成功，自主研發(fā)的SiC SBD（肖特基勢壘二極管）芯片已經(jīng)通過可靠性驗證，并已通過終端客戶驗證；其新能源汽車碳化硅模塊1款產(chǎn)品在整機客戶端認證中，1款產(chǎn)品工藝調(diào)試中；不間斷電源（UPS）系統(tǒng)定制的三電平SiC混合模塊已經(jīng)完成開發(fā)，已經(jīng)開始批量供貨；SiC混合封裝光伏用模塊已突破100萬只。

中微公司上半年營收增長36.46%，碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備開展驗證測試

中微公司2024年半年度報告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，中微公司實現(xiàn)營收34.48億元，同比增長36.46%；歸母凈利潤5.17億元，同比下滑48.48%；歸母扣非凈利潤4.83億元，同比下滑6.88%。

中微公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，通過向下游集成電路、LED外延片、先進封裝、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備和MOCVD設(shè)備、提供配件及服務(wù)實現(xiàn)收入和利潤。

報告顯示，中微公司本期刻蝕設(shè)備收入為26.98億元，較上年同期增長約56.68%，刻蝕設(shè)備占營業(yè)收入的比重由上年同期的68.16%提升至本期的78.26%。其另一重要產(chǎn)品MOCVD設(shè)備本期收入1.52億元，較上年同期減少約49.04%。

上半年，中微公司積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得良好進展，已付運和將付運幾種MOCVD新產(chǎn)品進入市場。此外，本期其新產(chǎn)品LPCVD設(shè)備實現(xiàn)首臺銷售，收入0.28億元。

目前，中微公司用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中，已付運樣機至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗證測試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的MOCVD設(shè)備也正在按計劃開發(fā)中。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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此前在7月14日晚間，天岳先進發(fā)布了2024年半年度業(yè)績預(yù)告。天岳先進預(yù)計2024年上半年實現(xiàn)營收8.8億元-9.8億元，歸母凈利潤1億-1.1億元。由此可見，天岳先進上半年營收和凈利潤符合預(yù)期。

從更長的時間軸來看，天岳先進在2022年和2023年都沒能實現(xiàn)盈利，而在2024年上半年已經(jīng)實現(xiàn)了半年度盈利，2024年下半年，疊加碳化硅襯底市場需求增長、天岳先進產(chǎn)能逐步釋放、客戶訂單持續(xù)履約等方面的利好因素，天岳先進在下半年有望持續(xù)盈利，進而帶動2024年全年扭虧為盈。

碳化硅加速滲透，天岳先進進入收獲期

目前，終端應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω咂焚|(zhì)碳化硅產(chǎn)品的需求旺盛，尤其是新能源汽車產(chǎn)業(yè)，碳化硅正在快速滲透，從近期密集發(fā)布的搭載碳化硅電驅(qū)、電控等產(chǎn)品的各種新車型可窺見一斑。

從今年4月發(fā)布的奇瑞汽車星途品牌全新純電SUV星紀元STERRA ES，到7月發(fā)布的第二代AION V埃安霸王龍，再到8月發(fā)布的鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007等車型，以及8月底將開啟預(yù)售的嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV，都搭載了碳化硅電驅(qū)或電控產(chǎn)品，碳化硅加速“上車”趨勢已十分明朗。

早期，受制于成本等原因，碳化硅產(chǎn)品基本用于新能源汽車中高端車型，近年來，隨著碳化硅產(chǎn)品成本下探，碳化硅呈現(xiàn)向中低端車型滲透之勢，而中低端車型更大的市場和銷量帶給包括襯底企業(yè)在內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商更多機會，實現(xiàn)業(yè)績增長。

在市場需求驅(qū)動下，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈掀起了一股投資擴產(chǎn)熱潮，其中，碳化硅襯底頭部廠商天科合達近日再次出手，計劃擴充年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底的產(chǎn)能，其中包括6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片、8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

天岳先進近幾年也在持續(xù)加碼碳化硅襯底產(chǎn)能，其上海臨港智慧工廠已于2023年5月實現(xiàn)產(chǎn)品交付，是天岳先進導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。2024年上半年，天岳先進上海臨港工廠產(chǎn)能持續(xù)釋放，其導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，產(chǎn)品交付能力不斷增加。

基于碳化硅襯底產(chǎn)能，天岳先進在2022年7月與某客戶簽訂了一份13.93億元的框架協(xié)議，合同期為2023年至2025年；2023年8月，天岳先進又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議，時間跨度為2024年至2026年，金額為8.05億元。兩筆訂單合計金額近22億元，將在2023年至2026年期間，對天岳先進業(yè)績產(chǎn)生促進作用，成為推動其實現(xiàn)扭虧為盈的動力之一。

價格承壓，碳化硅襯底廠商“掙錢難”

碳化硅襯底廠商業(yè)績不盡人意，與產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況密切相關(guān)。當前，碳化硅襯底價格下降趨勢已日漸明朗，這與近年來碳化硅襯底“瘋狂”擴產(chǎn)有直接關(guān)系，2024年，全球6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能開始集中釋放。

在碳化硅襯底價格承壓的情況下，尋求降本增效成為各大廠商必由之路，而轉(zhuǎn)型8英寸能在一定程度上降低成本，成為各大襯底廠商關(guān)注的重點。

目前，Wolfspeed、天科合達、天岳先進、三安光電等國內(nèi)外襯底大廠都在積極布局8英寸，隨著各個廠商8英寸項目陸續(xù)建成達產(chǎn)，8英寸碳化硅襯底的競爭也會加劇，相關(guān)廠商業(yè)績的未來走勢如何，我們拭目以待。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：天岳先進

碳化硅襯底毛利提升，天岳先進劍指扭虧為盈

根據(jù)此前發(fā)布的財報，天岳先進在2023年下半年也曾實現(xiàn)半年度扭虧為盈，但未能帶動2023年全年凈利潤轉(zhuǎn)正，而在2024年上半年再度實現(xiàn)半年度扭虧為盈，或有望助力天岳先進在2024年實現(xiàn)全年扭虧為盈，具體從天岳先進近幾年的財報中可以窺見端倪。

近年來，天岳先進業(yè)績表現(xiàn)可謂一波三折。2018-2020年間，其營收逐步增加、虧損逐步增大，2021年天岳先進實現(xiàn)盈利，2022-2023年其再度處于虧損狀態(tài)，但虧損幅度有所收窄。

天岳先進2023年財報顯示，歸母凈利潤為-0.46億元，虧損同比大幅收窄，已接近實現(xiàn)盈利。同時，天岳先進2023年各季度襯底產(chǎn)品毛利率持續(xù)提升，碳化硅半導(dǎo)體材料全年綜合毛利率為17.53%，較2022年增加18.24個百分點。按照天岳先進的業(yè)績走勢，2024年有望成為天岳先進再度實現(xiàn)盈利并維持盈利狀態(tài)的關(guān)鍵年。

從整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看，襯底廠商似乎普遍“掙錢難”，強如全球碳化硅襯底龍頭廠商Wolfspeed，其近年來的業(yè)績情況亦不盡人意。從2019至2023五個財年的營收和持續(xù)經(jīng)營凈虧損（GAAP）數(shù)據(jù)來看，Wolfspeed營收保持逐年增長，利潤方面，雖然2022和2023財年虧損程度相比2021財年有所下降，但仍沒有達到Wolfspeed的預(yù)期。

在此背景下，天岳先進能夠不斷收窄虧損，并朝著實現(xiàn)全年盈利邁進，與其近年來的一系列調(diào)整和拓展密切相關(guān)。

緊跟產(chǎn)業(yè)潮流，天岳先進調(diào)整導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能

關(guān)于2024年上半年實現(xiàn)扭虧為盈的原因，天岳先進表示，一是碳化硅材料在新能源汽車、光儲充等應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透，下游應(yīng)用市場持續(xù)擴大，終端對高品質(zhì)、車規(guī)級產(chǎn)品的需求旺盛；二是其加強了與國內(nèi)外一線大廠的合作，業(yè)務(wù)穩(wěn)健發(fā)展，且隨著上海臨港工廠產(chǎn)能釋放，其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，產(chǎn)品交付能力持續(xù)增加。

不難看出，天岳先進業(yè)績增長的促進因素主要包括兩個方面；一方面是市場需求增長，企業(yè)因此受益；另外一個方面是產(chǎn)品類型調(diào)整及產(chǎn)能提升，支撐其持續(xù)擴大合作。

市場方面，近年來，在新能源汽車、光儲充等應(yīng)用領(lǐng)域需求增長帶動下，碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長。據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場分析報告》，2023年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達25%。

尤其是在碳化硅加速“上車”大趨勢下，天岳先進抓住機會，與下游電力電子領(lǐng)域的國內(nèi)外知名企業(yè)開展了廣泛合作，其中包括英飛凌、博世等。

與此同時，天岳先進不斷調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，向生產(chǎn)契合市場和用戶需求的產(chǎn)品方向轉(zhuǎn)型升級。前幾年，天岳先進的產(chǎn)能結(jié)構(gòu)中，以半絕緣型碳化硅襯底為主，但在終端應(yīng)用方面，半絕緣型襯底市場近年來持續(xù)低迷，反而是面向新能源汽車等市場的導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品需求快速增長。對此，天岳先進順勢進行了產(chǎn)能調(diào)整。

在天岳先進兩大生產(chǎn)基地當中，濟南工廠經(jīng)過產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整后，其導(dǎo)電型產(chǎn)品的產(chǎn)量在2022年末已超過半絕緣型產(chǎn)品；上海臨港工廠則all in導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品，且年產(chǎn)能由最初規(guī)劃的30萬片擴大到了96萬片。

在產(chǎn)品調(diào)整基礎(chǔ)上，天岳先進持續(xù)拓展合作。2022年7月，天岳先進宣布與某客戶簽訂了一份13.93億元的框架協(xié)議，合同期為2023年至2025年，銷售的產(chǎn)品為6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品；2023年8月，天岳先進又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議，約定2024年至2026年向合同對方銷售碳化硅產(chǎn)品，預(yù)計含稅銷售三年合計金額為8.05億元。

小結(jié)

整體來看，碳化硅市場需求增長以及天岳先進積極調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)等共同推動其最終邁向業(yè)績扭虧為盈的門檻。

目前，碳化硅襯底賽道競爭日趨激烈，價格戰(zhàn)趨勢已開始顯現(xiàn)，實現(xiàn)盈利后，天岳先進能夠更好地應(yīng)對嚴峻的市場形勢。未來，不僅僅是襯底環(huán)節(jié)，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上下游的競爭都會日益加劇，如何更好的實現(xiàn)盈利，實現(xiàn)長遠發(fā)展，是各大廠商都需要思考的問題。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：天岳先進

定增預(yù)案顯示，本次項目主要研發(fā)方向包括SiC生長熱場仿真、SiC單晶應(yīng)力控制、SiC單晶微缺陷控制、導(dǎo)電型SiC電阻率控制等。

公告顯示，天岳先進本次募資的3億元主要投向建筑工程及安裝工程費用及設(shè)備購置費。項目建設(shè)周期為24個月，包括廠房凈化間裝修改造、設(shè)備采購安裝、新技術(shù)和工藝試驗等三個階段。

據(jù)悉，由6英寸向8英寸升級，是SiC襯底重要的降本路徑之一。天岳先進表示，根據(jù)測算，單片8英寸SiC襯底的芯片產(chǎn)出量大約是6英寸的2倍，4英寸的4倍，并可部分使用硅基功率芯片產(chǎn)線裝備，可大幅降低成本、提高效率。以32mm2面積的裸片（芯片）為例，8英寸SiC襯底上的裸片數(shù)量相比6英寸增加近90%，同時邊緣裸片數(shù)量占比從14%降低至7%，8英寸襯底利用率相比6英寸提升了7%。

近年來，天岳先進持續(xù)發(fā)力8英寸SiC襯底。2022年，天岳先進通過自主擴徑實現(xiàn)了高品質(zhì)8英寸SiC襯底的制備。隨著國際市場對8英寸SiC襯底需求持續(xù)增加，其在2023年已經(jīng)實現(xiàn)8英寸SiC襯底的批量銷售。

與此同時，天岳先進不斷進行8英寸產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新，推進包括導(dǎo)電型SiC用粉料高效合成、高質(zhì)量導(dǎo)電型SiC晶體生長、高效SiC拋光、8英寸寬禁帶SiC半導(dǎo)體單晶生長及襯底加工關(guān)鍵技術(shù)等研發(fā)項目。天岳先進目前以PVT法大規(guī)模批量化制備8英寸襯底，是國際上較少掌握了液相法制備技術(shù)的企業(yè)之一。

項目方面，據(jù)上海臨港管委會官網(wǎng)信息顯示，天岳先進的“碳化硅半導(dǎo)體材料二期（一階段）項目”的環(huán)評信息已于近日公示。

項目概況顯示，天岳先進通過利用現(xiàn)有廠區(qū)預(yù)留區(qū)域增加生產(chǎn)設(shè)備開展8英寸SiC晶片生產(chǎn)線建設(shè)，配套新增公輔設(shè)施和環(huán)保設(shè)施。為滿足產(chǎn)品質(zhì)量需求，將對現(xiàn)有已批項目部分工藝、設(shè)備進行改造。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)外媒消息，意法半導(dǎo)體（ST）近日表示，將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。

中國某頭部大廠生產(chǎn)負責人在近日接受全球半導(dǎo)體觀察時表示，預(yù)計從2026年至2027年開始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將都將被8英寸產(chǎn)品替代。在本輪碳化硅6英寸轉(zhuǎn)換至8英寸市場競爭中，中國廠商的追趕速度不可忽視，目前包括天岳先進、天科合達、天域半導(dǎo)體等廠商已在國際市場占有一席之地。未來在8英寸市場，中國廠商將會迎來更多的產(chǎn)能釋放，推升碳化硅降本提質(zhì)，加速入市。

1、碳化硅產(chǎn)業(yè)最新動態(tài)

SiCrystal GmbH新廠奠基，產(chǎn)能擴大約三倍

7月5日，日本羅姆集團旗下子公司SiCrystal為新廠房舉行了奠基儀式，以擴大 SiC 襯底的生產(chǎn)面積。

圖片來源：SiCrystal官網(wǎng)截圖

SiCrystal GmbH 將在紐倫堡東北部現(xiàn)有工廠正對面創(chuàng)建新的額外生產(chǎn)空間。新建筑將提供額外的 6,000 平方米生產(chǎn)空間，并將配備最先進的技術(shù)，以進一步優(yōu)化碳化硅晶圓的生產(chǎn)。與現(xiàn)有工廠的緊密距離將確保生產(chǎn)流程的緊密集成。包括現(xiàn)有建筑在內(nèi)的 SiCrystal 的總生產(chǎn)能力將在 2027 年比 2024 年高出約三倍。據(jù)悉，該建設(shè)工程預(yù)計于2026年初完工。并將為該地區(qū)創(chuàng)造新的就業(yè)機會。

天岳先進加快擴建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能

近日，上海臨港管委會網(wǎng)站近日發(fā)布了上海天岳“碳化硅半導(dǎo)體材料二期（一階段）項目”的環(huán)評公示信息，公示信息顯示，上海天岳利用“現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)增加生產(chǎn)設(shè)備開展8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線建設(shè)，并對現(xiàn)有6英寸碳化硅晶片部分工藝進行改造”。

公開資料顯示，上海天岳為天岳先進全資子公司，上海天岳公示環(huán)評表明該公司的上海臨港工廠二期8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能建設(shè)已經(jīng)進入實質(zhì)性階段。據(jù)悉，天岳先進臨港工廠已經(jīng)達到年產(chǎn)30萬片襯底產(chǎn)能規(guī)劃目標。臨港工廠的8英寸碳化硅總體產(chǎn)能規(guī)劃約60萬片，公司將分階段實施。

根據(jù)天岳先進披露，公司公司在臨港工廠建設(shè)上進行了超前布局，以適應(yīng)產(chǎn)能的持續(xù)提升。隨著30萬片襯底產(chǎn)量的提前達產(chǎn)，公司在8英寸碳化硅產(chǎn)能建設(shè)上也可能超預(yù)期實現(xiàn)。

此外，眾多大廠都在通過提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性、加強上車驗證、加強國際合作等提高市場競爭優(yōu)勢，企業(yè)技術(shù)則是最強的護城河。近期，天域半導(dǎo)體和芯聚能紛紛發(fā)布了最新的技術(shù)專利。

天域半導(dǎo)體“碳化硅外延片的生長工藝”專利公布

天眼查顯示，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司“碳化硅外延片的生長工藝”專利公布，申請公布日為2024年6月28日，申請公布號為CN118256991A。據(jù)悉，該發(fā)明提供了一種碳化硅外延片的生長工藝。

此碳化硅外延片的生長工藝包括依次的如下步驟：（I）將碳化硅襯底進行前處理；（II）采用分子束外延設(shè)備于所述碳化硅襯底上形成第一碳化硅緩沖層；（III）置于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的外延爐中，先于1000～1400℃下進行熱處理，再升高溫度進行氣相沉積以于所述第一碳化硅緩沖層上形成第二碳化硅緩沖層；（IV）于所述第二碳化硅緩沖層上外延生長出預(yù)定厚度的外延層。本發(fā)明的碳化硅外延片的生長工藝可消除反應(yīng)產(chǎn)物污染，在襯底與外延層間做好貫穿晶體缺陷的轉(zhuǎn)化，可完美的隔離外延缺陷。

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

天眼查顯示，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司則公布了“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利，申請公布日為2024年6月28日，申請公布號為CN118263326A。

該申請涉及一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，碳化硅MOSFET器件包括襯底、第一摻雜區(qū)、柵極溝槽、控制柵結(jié)構(gòu)和分裂柵結(jié)構(gòu)，第一摻雜區(qū)設(shè)置于襯底內(nèi)；柵極溝槽設(shè)置于第一摻雜區(qū)內(nèi)，且從襯底的正面開口并沿襯底的厚度方向延伸，柵極溝槽包括第一子溝槽和第二子溝槽，第二子溝槽位于第一子溝槽背離襯底的正面的一側(cè)；控制柵結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一子溝槽內(nèi)，控制柵結(jié)構(gòu)包括控制柵導(dǎo)電層和控制柵介質(zhì)層，控制柵介質(zhì)層位于控制柵導(dǎo)電層與第一子溝槽的槽壁之間；分裂柵結(jié)構(gòu)設(shè)置于第二子溝槽內(nèi)，分裂柵結(jié)構(gòu)包括分裂柵導(dǎo)電層和分裂柵介質(zhì)層，分裂柵介質(zhì)層包覆分裂柵導(dǎo)電層；控制柵介質(zhì)層的介電常數(shù)和分裂柵介質(zhì)層的介電常數(shù)不同。

2、碳化硅轉(zhuǎn)向8英寸，勢不可擋

根據(jù)中國SiC襯底制造商天科合達TankeBlue測算，從4英寸升級到6英寸預(yù)計單片成本可降低50%；從6英寸到8英寸，成本預(yù)計還能再降低35%。同時，8英寸基板可以生產(chǎn)更多芯片，從而減少邊緣浪費。簡單來說，8英寸基板的利用率更高，這也是各大廠商積極研發(fā)的主要原因。目前，6英寸SiC基板仍占主導(dǎo)地位，但8英寸基板已開始滲透市場。

從國際廠商情況看，Wolfspeed是行業(yè)內(nèi)最早量產(chǎn)8英寸SiC襯底的廠商。2015年，Wolfspeed向業(yè)界首次展示了8英寸SiC襯底樣品。經(jīng)過近8年的技術(shù)研發(fā)突破，2023年7月，Wolfspeed宣布其8英寸晶圓廠已開始向中國客戶出貨SiC MOSFET，表明其8英寸SiC襯底已批量出貨。除了已實現(xiàn)量產(chǎn)的Wolfspeed外，還有英飛凌、博世、onsemi、意法半導(dǎo)體、ROHM等多家SiC襯底、外延廠商密集集中在今年或未來1-2年內(nèi)實現(xiàn)8英寸產(chǎn)品的量產(chǎn)。

而從中國情況看，目前已有10多家企業(yè)8英寸SiC襯底進入樣品和小規(guī)模生產(chǎn)階段。其中包括Semisic Crystal Co（山西爍科晶體）、JSJ（晶盛機電）、SICC Co（山東天岳先進科技）、Summit Crystal Semiconductor Co（廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)）、Synlight Semiconductor Co（河北同光）、TanKeBlue Semiconductor Co（北京天科合達半導(dǎo)體）、Harbin KY Semiconductor（哈爾濱科友半導(dǎo)體）、IV Semitec（杭州干晶半導(dǎo)體）、Sanan Semiconductor（三安半導(dǎo)體）、Hypersics（江蘇超芯星半導(dǎo)體）等公司。除了上述公司外，目前研究8英寸基板的中國廠商還有很多，例如東尼電子、和盛硅業(yè)、天成半導(dǎo)體等。目前，中國基板制造商與國際巨頭的差距已明顯縮小。

TrendForce集邦咨詢認為，整體而言，SiC正處于一個快速成長和高度競爭的市場，規(guī)模經(jīng)濟比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉(zhuǎn)而積極投資SiC擴張計劃，期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位。截至目前，全球已有超過10家廠商正在投資建設(shè)8英寸SiC晶圓廠?？梢灶A(yù)見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴大，SiC領(lǐng)域的競爭也將更為激烈。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體統(tǒng)計，2023年大約有12個與8英寸晶圓相關(guān)的擴產(chǎn)項目，其中8個項目由Wolfspeed、Onsemi、意法半導(dǎo)體、英飛凌、羅姆等全球廠商主導(dǎo)。其中，意法半導(dǎo)體與三安光電在中國成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線，屆時ST可結(jié)合位于當?shù)氐暮蠖畏鉁y產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠，達到垂直整合效益。另外3個項目由泰科天潤、芯聯(lián)集成、杰平方等中國廠商主導(dǎo)。今年上半年，安森美onsemi、ST意法半導(dǎo)體、Infineon英飛凌、日本羅姆等又新增了多個碳化硅項目投資擴產(chǎn)，進一步加劇了市場競爭。

在這場市場競爭中，中國廠商在襯底領(lǐng)域與國際大廠的差距已顯著縮小，英飛凌與天岳先進、天科合達等中國廠商達成長期合作，也說明了中國襯底產(chǎn)品的質(zhì)量受到認可。展望未來，預(yù)計各廠商的共同努力將推動8英寸基板技術(shù)的發(fā)展。

目前，6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品正在加速入市，從價價格變化來看，據(jù)TrendForce集邦咨詢分析師表示：特別是在這幾年間，隨著中國廠商進入到整個碳化硅市場競爭之中，更是加速了整個碳化硅市場襯底價格的下降幅度。目前從整個碳化硅襯底價格的變化幅度看，6英寸導(dǎo)電型的碳化硅襯底價格，大概是從三四年前的1000美金下滑到了當前的500美金左右。

碳化硅市場應(yīng)用目前還主要由新能源汽車主導(dǎo)拉動。TrendForce集邦咨詢分析師表示：目前碳化硅功率元件主要應(yīng)用在汽車領(lǐng)域，主要應(yīng)用在汽車的主逆變器，以及像OBC、DC，或是車外的充電樁這些領(lǐng)域。值得注意的是，在一些非汽車的市場，其實碳化硅的市場也非常值得關(guān)注，如工業(yè)領(lǐng)域的光伏、儲能。另外，還有像目前AI浪潮推動的服務(wù)器領(lǐng)域，其實隨著芯片的功耗不斷的增加，也是推動了整個服務(wù)器功率密度的提高，那這其實也對碳化硅提出了非常的需求。（來源：全球半導(dǎo)體觀察）

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今年以來，國產(chǎn)SiC技術(shù)和產(chǎn)品在國際市場上似乎越來越受歡迎，可從簽單動作窺見一斑。3月，科友半導(dǎo)體與歐洲一家國際知名企業(yè)簽訂長單，簽約額超過2億元人民幣；4月，世紀金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單，按照協(xié)議約定，世紀金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元（約14.5億元人民幣）。

以上簽單情況在一定程度上反映出，國內(nèi)SiC廠商得到了全球各地客戶的認可，在技術(shù)水平、產(chǎn)能等方面擁有了能夠比肩國際SiC巨頭們的實力。

與此同時，國際SiC大廠也在積極尋求中國市場的合作與業(yè)務(wù)拓展機會。其中，意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等SiC功率器件頭部廠商均在2024年與國內(nèi)企業(yè)達成新合作，在中國市場的業(yè)務(wù)布局進一步深化。

從意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等廠商的合作對象來看，以車企居多，背后的新能源汽車產(chǎn)業(yè)正是SiC廣泛應(yīng)用的大舞臺。在SiC加速“上車”趨勢下，擁有更多的車企合作伙伴，意味著有望創(chuàng)造更多的業(yè)績增量。

從國內(nèi)外廠商近期的簽單合作情況來看，國內(nèi)SiC廠商出海、國際巨頭全面加碼中國業(yè)務(wù)的“雙向奔赴”態(tài)勢已基本形成，背后的推動因素值得細細品味。

國內(nèi)SiC廠商加速出海

從國內(nèi)廠商在國際市場的業(yè)務(wù)拓展情況來看，SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均有企業(yè)已成功實現(xiàn)海外客戶“0”突破，而天岳先進、天科合達等頭部SiC玩家是其中的代表性企業(yè)。

襯底環(huán)節(jié)，天科合達、天岳先進都與英飛凌簽署了SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)議，兩家廠商的供應(yīng)量都將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。目前，天科合達、天岳先進已與眾多國內(nèi)外知名客戶開展戰(zhàn)略合作，包括英飛凌、安森美、博世等國際SiC功率器件大廠?；谏鲜龊献?，天科合達、天岳先進不斷深化國際業(yè)務(wù)布局。

外延環(huán)節(jié)，中電化合物已與韓國Power Master公司簽署了長期供應(yīng)SiC材料的協(xié)議，包括8英寸，由此，中電化合物SiC產(chǎn)品成功打入韓國市場。除中電化合物外，瀚天天成、天域半導(dǎo)體SiC外延片出海也已取得積極進展，其中，瀚天天成服務(wù)的客戶包括了未具體披露的多家國際先進功率器件廠商。

器件環(huán)節(jié)，韓國SK Signet采用了派恩杰1200V 40mΩ SiC MOSFET器件，愛仕特1200V MED系列SiC功率模塊已交付于海外客戶使用，致瞻科技更是通過與韓國INTECH FA合作，將SiC功率模塊等產(chǎn)品推向韓國、日本、東南亞、以及北美市場，由此可見，部分國內(nèi)SiC器件廠商已從國際大廠的“競技場”中成功突圍，占據(jù)了一席之地。

設(shè)備方面，優(yōu)晶科技最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法SiC長晶設(shè)備已順利通過驗收，這意味著優(yōu)晶科技國際業(yè)務(wù)取得重大突破，有利于其進一步拓展國際市場應(yīng)用需求。

對于已經(jīng)成功實現(xiàn)出海的眾多SiC廠商而言，或多或少都有自己的“拿手好戲”，其中之一便是性價比。

據(jù)英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部（IPC）總裁Peter Wawer博士此前透露，來自中國的天岳先進、天科合達等新興襯底廠商，提出的報價比某市場調(diào)研機構(gòu)提供的參考價低很多。但低價并不意味著低質(zhì)，從英飛凌的初步測試結(jié)果來看，新興供應(yīng)商的襯底性能和缺陷率與Wolfspeed、Coherent和Resonac等主流供應(yīng)商相比并沒有顯著的差異，良率也在可接受范圍。

由此在一定程度上可以看出，部分國內(nèi)襯底廠商質(zhì)優(yōu)價廉，具有一定的市場競爭力。當然，能夠贏得國際客戶青睞，產(chǎn)能支撐不可或缺。

其中，天岳先進上海臨港新工廠已于2023年5月開始交付6英寸導(dǎo)電型SiC襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。在此基礎(chǔ)上，天岳先進在2023年下半年已決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年。頭部廠商的擴產(chǎn)規(guī)模之巨大，業(yè)內(nèi)有目共睹，這不僅有助于滿足國內(nèi)市場需求，也為未來持續(xù)穩(wěn)定供貨海外客戶打下了基礎(chǔ)。

作為器件廠商，派恩杰在與SK Signet的合作中，供貨占比達60%，且是唯一一家國產(chǎn)廠商，彰顯了客戶對于派恩杰產(chǎn)品的認可。而在設(shè)備廠商優(yōu)晶科技的SiC長晶設(shè)備驗收過程中，客戶對優(yōu)晶科技的產(chǎn)品和服務(wù)給予了較高評價，同樣是對優(yōu)晶科技專業(yè)性和實力的認可。

整體來看，在技術(shù)進步、產(chǎn)能提升以及性價比優(yōu)勢等眾多利好因素推動下，國內(nèi)SiC廠商正在加速布局海外業(yè)務(wù)，進而刺激更多國內(nèi)廠商加入出海大軍。

國際SiC巨頭掘金中國市場

在國內(nèi)SiC廠商加速出海的同時，國際巨頭們也在積極加碼中國業(yè)務(wù)。事實上，得益于在技術(shù)研發(fā)方面的先發(fā)優(yōu)勢，部分國際大廠很早就進入了中國市場，為國內(nèi)客戶供貨。例如，英飛凌很早就開始研究SiC功率器件，在2001年就以SiC SBD的形式推出了第一款商業(yè)化元件。

而在2023年以來，部分國際廠商在中國市場動作頻頻，似乎掀起了一股深耕中國市場的風潮。其中，意法半導(dǎo)體先后與三安光電、理想汽車、致瞻科技等廠商達成新的合作，合作對象遍及SiC產(chǎn)業(yè)鏈上下游。

與本土廠商三安光電合作建設(shè)8英寸SiC器件合資制造工廠，有利于縮短供應(yīng)鏈路，將幫助意法半導(dǎo)體以較高效的方式滿足中國客戶不斷增長的功率器件需求，同時，通過與國內(nèi)頭部玩家三安光電合作，雙方在技術(shù)迭代升級方面也能夠形成協(xié)同效應(yīng)。

與理想汽車合作，意法半導(dǎo)體看中的是理想汽車新能源車型銷量持續(xù)增長背后的SiC器件需求。盡管理想汽車為了實現(xiàn)高壓電驅(qū)動技術(shù)的自主可控，也在積極布局SiC功率器件領(lǐng)域，但短期內(nèi)，與意法半導(dǎo)體合作以獲得SiC MOSFET成熟產(chǎn)品，也有其必要性。

在意法半導(dǎo)體SiC MOSFET支持下，理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署將更加容易實現(xiàn)，而與頭部車企之一的理想汽車合作，意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品也將隨理想汽車銷量的增長不斷強化品牌影響力，進而創(chuàng)造更多與潛在車企合作的機會。

此外，意法半導(dǎo)體新的合作對象也包括致瞻科技，后者是一家零部件供應(yīng)商，已在新能源汽車400V、800V和1000V平臺上量產(chǎn)了基于SiC的空調(diào)壓縮機控制器?；诖舜魏献鳎夥ò雽?dǎo)體在推動電動壓縮機系統(tǒng)小型化的同時將進一步降低成本，進而對車載空調(diào)壓縮機控制器細分領(lǐng)域加大滲透。

與意法半導(dǎo)體在中國市場的合作情況類似，英飛凌、安森美、博世等廠商新合作對象也涵蓋SiC廠商、車企以及零部件供應(yīng)商等各類企業(yè)，而加速國際巨頭與國內(nèi)企業(yè)達成合作的原因是多方面的，其中之一便是國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展創(chuàng)造的機遇。

目前，SiC器件似乎已逐漸成為新能源旗艦車型標配，從近期各大車企發(fā)布的新車型來看，SiC幾乎都是賣點之一，這表明新能源汽車品牌及用戶群體對于SiC上車的認可度正在持續(xù)提升，同時新車型也是國際廠商SiC技術(shù)和產(chǎn)品的用武之地。

在SiC器件國產(chǎn)替代短期內(nèi)難以大規(guī)模實現(xiàn)的情況下，國際巨頭仍然有很多機會進一步開拓國內(nèi)新能源汽車市場。

其二，近年來，國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)成長較快，部分企業(yè)在技術(shù)水平方面已然達到世界先進水平，這些重要的技術(shù)突破，也會讓國際巨頭們感受到壓力，于是，與國內(nèi)相關(guān)廠商合作，共同探討先進技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)，就成為國際大廠較明智的選擇，通過技術(shù)合作更好地拓展市場，也是國際玩家加碼中國業(yè)務(wù)的一條快車道。

國際巨頭們目前在技術(shù)研發(fā)方面確實比大部分國內(nèi)廠商要領(lǐng)先，但不代表能夠一直保持優(yōu)勢，而對中國市場的持續(xù)滲透，有助于相關(guān)廠商更好地感知國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)相關(guān)進展，進而做出積極應(yīng)對，不至于措手不及。

總結(jié)

各行各業(yè)的全球化發(fā)展已是大趨勢，SiC產(chǎn)業(yè)也不例外。對于眾多國際巨頭而言，其業(yè)務(wù)布局早已遍及全球，其中就包括中國業(yè)務(wù)，而通過加速拓展中國這個目前最大的SiC應(yīng)用市場，相關(guān)國際廠商的全球化布局將會更加穩(wěn)健。

對于國內(nèi)SiC廠商而言，國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實力后，拓展海外市場也更加從容。

無論國際還是國內(nèi)廠商，通過“雙向奔赴”，都會讓競爭更加激烈，進而加速行業(yè)整合，而頭部廠商有望通過收并購，憑借規(guī)模效應(yīng)強化競爭優(yōu)勢，推動SiC產(chǎn)業(yè)在競爭中良性發(fā)展。同時，存量市場競爭加劇促使相關(guān)廠商在全球范圍內(nèi)尋找更多新興市場拓展業(yè)務(wù)，以獲得業(yè)績增量，反過來又進一步加深了SiC產(chǎn)業(yè)的全球化布局，形成良性循環(huán)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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近日，天岳先進上?；仨椖颗读俗钚逻M展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個項目完成驗收，意味著該生產(chǎn)基地由此進入新的發(fā)展階段。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

天岳先進“瘋狂”擴產(chǎn)

據(jù)悉，天岳先進上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M的市場地位再進一步。

近年來，隨著全球尤其是國內(nèi)市場掀起一股SiC投資擴產(chǎn)熱潮，天岳先進也有意順勢而為，加入擴產(chǎn)大軍。在2021年的規(guī)劃基礎(chǔ)上，天岳先進定下了更加宏大的擴產(chǎn)計劃，調(diào)整后，6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模將擴大至每年96萬片。

基于宏偉的擴產(chǎn)計劃，天岳先進持續(xù)拓展市場，獲得了更多供貨機會。其中，天岳先進在2023年5月與英飛凌簽訂合作協(xié)議，其將為英飛凌供應(yīng)用于制造SiC功率器件的6英寸SiC襯底，該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。2024年2月，天岳先進在投資者互動平臺表示，其與英飛凌合作情況良好、交付進展順利。這些進展，與天岳先進上海基地的產(chǎn)能提升密切相關(guān)。

2023年8月，天岳先進又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議，約定2024年至2026年其向合同對方銷售SiC產(chǎn)品，預(yù)計三年合計銷售金額（含稅）為8.05億元。上?；財?shù)十萬片SiC襯底產(chǎn)能能夠保障天岳先進向客戶持續(xù)穩(wěn)定供貨。

上海基地成為增長引擎

上?；氐耐懂a(chǎn)以及達成，對于天岳先進行業(yè)影響力以及客戶服務(wù)能力的提升是巨大的，尤其是在SiC產(chǎn)業(yè)逐步走向價格戰(zhàn)的趨勢下，天岳先進這個重要生產(chǎn)基地的價值將進一步釋放。

目前，SiC襯底價格呈現(xiàn)下降趨勢已成為行業(yè)熱點話題。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭近期公開表示，全球6英寸SiC襯底的產(chǎn)能釋放，再加上電動汽車的需求暫緩，2024年SiC襯底價格有下滑的壓力。

天岳先進也已經(jīng)觀察到這個趨勢，其在2024年5月9日發(fā)布的投資者關(guān)系記錄表中指出了SiC襯底價格下降的兩大內(nèi)部原因：技術(shù)的提升和規(guī)?；?yīng)推動了襯底成本的下降。

為應(yīng)對價格戰(zhàn)，企業(yè)拓展更多業(yè)務(wù)是必須的，產(chǎn)能建設(shè)也要跟上擴大供貨的步伐。對于很多中小SiC襯底廠商而言，由于難以有充足資金投入擴產(chǎn)，無法填補產(chǎn)能需求缺口，只能被動接受價格戰(zhàn)的不利局面。而對于天岳先進等頭部廠商，則更能夠從容應(yīng)對。

從天岳先進近兩年的產(chǎn)能、營收等方面情況來看，2022年，天岳先進實現(xiàn)營收3.26億元，產(chǎn)量為82萬片，而到了2023年，這兩個數(shù)據(jù)分別為10.85億元和174萬片。這兩個數(shù)據(jù)，在一定程度上顯示了產(chǎn)能增長對于天岳先進營收的促進作用。

從2022年到2023年，天岳先進每片平均銷售價格（ASP）分別為5110元和4978元，處于下降態(tài)勢，但得益于上海基地在產(chǎn)能和供貨方面的拉動作用，天岳先進在營收方面實現(xiàn)了同比大幅增長，其上海基地的重要地位得到了凸顯，并有望進一步助推天岳先進持續(xù)獲得業(yè)績增量。

小結(jié)

天岳先進上?；仨椖吭?023年5月就已開啟了產(chǎn)品交付，正處于產(chǎn)量的持續(xù)爬坡階段，隨著本次完成驗收，有望加速完成第一階段年產(chǎn)30萬片導(dǎo)電型襯底的達產(chǎn)目標。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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天岳先進Q1營收4.26億，同比增長120.66%

4月28日晚間，天岳先進發(fā)布2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，天岳先進實現(xiàn)營收4.26億元，同比增長120.66%；歸母凈利潤0.46億元，歸母扣非凈利潤0.44億元。

今年2月25日，天岳先進發(fā)布2023年度業(yè)績快報，其在2023年實現(xiàn)營收12.51億元，同比增長199.90%。在2023年度業(yè)績快報中，天岳先進表示，2023年營收同比增長199.90%，主要是SiC半導(dǎo)體材料市場規(guī)模不斷擴大，其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量的持續(xù)提升，導(dǎo)電型產(chǎn)品營收大幅增長所致。

據(jù)悉，2023年5月，天岳先進與英飛凌簽訂合作協(xié)議。天岳先進將為英飛凌供應(yīng)用于制造SiC半導(dǎo)體的6英寸SiC襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于6英寸SiC材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。據(jù)悉，該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。2024年2月，天岳先進在投資者互動平臺表示，公司與英飛凌合作情況良好、交付進展順利。

2023年8月，天岳先進又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議，約定2024年至2026年公司向合同對方銷售SiC產(chǎn)品，預(yù)計三年合計銷售金額（含稅）為8.05億元。

東尼電子Q1營收4.09億元，凈利同比增長132.45%

4月26日晚間，東尼電子發(fā)布2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，東尼電子實現(xiàn)營收4.09億元，同比增長22.27%；歸母凈利潤0.13億元，同比增長132.45%；歸母扣非凈利潤-0.26億元。

2024年1月5日，東尼電子子公司湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱東尼半導(dǎo)體）與下游客戶T簽訂《采購合同之補充協(xié)議》，對后續(xù)6英寸SiC襯底的交付及2023年交付計劃未能完成的責任作了重新約定。

東尼半導(dǎo)體后續(xù)6英寸SiC襯底的供應(yīng)價格及其他要求將按照原《采購合同》及雙方另行簽訂的采購訂單為準；東尼半導(dǎo)體按照約定完成1335片8英寸SiC襯底的免費供應(yīng)后，下游客戶T將不再依據(jù)原《采購合同》約定主張東尼半導(dǎo)體2023年度供貨事宜所涉違約責任。

揚杰科技Q1營收13.28億，同比微增

4月28日晚間，揚杰科技發(fā)布2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，揚杰科技實現(xiàn)營收13.28億元，同比增長1.34%；歸母凈利潤1.81億元，同比下滑0.74%；歸母扣非凈利潤1.88億元，同比增長4.22%。

今年2月，在江蘇省揚州市邗江區(qū)維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)先進制造業(yè)項目新春集中簽約儀式上，揚杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項目完成簽約。該項目總投資5億元，主要從事車規(guī)級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。

作為國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商，揚杰科技近年來持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，推動公司總營收從2014年的5.3億元增長到2023年的54.1億元，凈利潤從1億元增長到9.24億元。

盛美上海Q1營收9.21億，同比增長49.63%

4月26日晚間，盛美上海發(fā)布2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，盛美上海實現(xiàn)營收9.21億元，同比增長49.63%；歸母凈利潤0.80億元，同比下滑38.76%；歸母扣非凈利潤0.84億元，同比下滑22.36%。

作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，盛美上海先后開發(fā)了前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備；后道先進封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

2023年3月，盛美上海宣布首次獲得Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備的采購訂單，該訂單來自國內(nèi)SiC襯底制造龍頭廠商。據(jù)悉，該設(shè)備可配置盛美上海自主研發(fā)的空間交變相位移（SAPS）清洗技術(shù)，在不損傷器件的前提下實現(xiàn)更全面的清洗。

燕東微Q1營收3.09億，凈利潤0.24億

4月26日晚間，燕東微發(fā)布2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，燕東微實現(xiàn)營收3.09億元，同比下滑39.87%；歸母凈利潤0.24億元，同比下滑72.87%；歸母扣非凈利潤0.005億元，同比下滑99.29%。

燕東微是一家集芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試于一體的企業(yè)。目前，燕東微擁有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸晶圓生產(chǎn)線。

2023年，燕東微1200V SiC MOS器件產(chǎn)品已產(chǎn)出合格樣品，各項參數(shù)合格，已提交客戶驗證。截至2023年年底，燕東微6英寸SiC生產(chǎn)線已具備量產(chǎn)條件的平臺包括1200V SiC SBD、1200V SiC MOS工藝平臺，產(chǎn)能為2000片/月。

金博股份Q1營收2.02億，同比減少33.09%

4月28日晚間，金博股份發(fā)布2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，金博股份實現(xiàn)營收2.02億元，同比下滑33.09%；歸母凈利潤-0.55億元，歸母扣非凈利潤-0.64億元。

與此同時，金博股份還發(fā)布2023年年度報告。2023年，金博股份實現(xiàn)營收10.72億元，同比下滑26.11%；歸母凈利潤2.02億元，同比下滑63.27%；歸母扣非凈利潤-0.12億元。

金博股份主要從事先進碳基復(fù)合材料及產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，服務(wù)于光伏、半導(dǎo)體、交通、 氫能、鋰電等產(chǎn)業(yè)，致力于為客戶提供先進碳基復(fù)合材料產(chǎn)品和全套解決方案。

在半導(dǎo)體用碳基材料領(lǐng)域，金博研究院持續(xù)開展技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)品開發(fā)，完成了超高純高性能軟氈保溫材料的研發(fā)，并順利推進產(chǎn)業(yè)化建設(shè)，已實現(xiàn)批量供應(yīng)；目前，金博研究院已完成超高純碳/碳熱場、超高純軟氈、硬氈等系列產(chǎn)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶體生長高溫熱場領(lǐng)域，相關(guān)產(chǎn)品已在多家SiC襯底制造廠商進行驗證并應(yīng)用。

卓勝微Q1營收11.90億，凈利同比增長69.83%

4月28日晚間，卓勝微發(fā)布2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，卓勝微實現(xiàn)營收11.90億元，同比增長67.16%；歸母凈利潤1.98億元，同比增長69.83%；歸母扣非凈利潤1.94億元，同比增長64.82%。

2024年一季度，卓勝微12英寸IPD平臺已正式轉(zhuǎn)入量產(chǎn)階段。集成自產(chǎn)IPD濾波器的L-PAMiF、LFEM等相關(guān)模組產(chǎn)品，已在多家客戶端完成驗證并實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。

與此同時，集成公司自產(chǎn)MAX-SAW的L-PAMiD（主集收發(fā)模組，集成射頻低噪聲放大器、射頻功率放大器、射頻開關(guān)、雙工器/四工器等器件的射頻前端模組）產(chǎn)品實現(xiàn)從“0”到“1”的突破，已處于工程樣品階段。

與此同時，卓勝微還發(fā)布2023年年度報告。2023年，卓勝微實現(xiàn)營收43.78億元，同比增長19.05%；歸母凈利潤11.22億元，同比增長4.95%；歸母扣非凈利潤10.95億元，同比增長2.78%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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單季度營收超過去一整年，下半年凈利潤轉(zhuǎn)正

年報顯示，天岳先進在2023年共實現(xiàn)營業(yè)收入12.51億元，較上年同期增加199.90%；實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤-4,572.05萬，虧損大幅收窄。

結(jié)合其招股書及此前的業(yè)績報，天岳先進近6年來的業(yè)績變化情況如下：

2018-2020年間，營收逐步增加、虧損逐步增大；2021年短暫盈利后，2022-2023年再度虧損，但虧損幅度有所收窄。

按季度看，天岳先進近三年來的業(yè)績變化情況如下：

從營收來看：天岳先進自2022年第一季度至今，單季營收持續(xù)增長；到了2023年第四季度，42,591.51萬元的營收已遠超2018年、2019年、2022年的全年營收，與2020年、2021年的全年營收相比也相差不多。

從凈利潤來看，在經(jīng)歷了2022年第一季度至2023年第二季度的持續(xù)虧損后，天岳先進在2023年下半年扭虧，雖未能帶動2023年全年凈利潤轉(zhuǎn)正，但也昭示著企業(yè)發(fā)展向好以及行業(yè)的繁榮。

產(chǎn)能爬坡、毛利提升

在2023年年報中，天岳先進還介紹了公司在產(chǎn)能、毛利率、客戶、產(chǎn)品等方面的表現(xiàn)。

產(chǎn)能方面，天岳先進擁有山東濟南、上海臨港兩大主要基地。其中，濟南工廠經(jīng)過產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整后，其導(dǎo)電型產(chǎn)品的產(chǎn)量在2022年末已超過半絕緣型產(chǎn)品。目前，濟南工廠的產(chǎn)能產(chǎn)量正穩(wěn)步推進。

上海臨港工廠原計劃于2022年試生產(chǎn)、2026年達產(chǎn)，實現(xiàn)年產(chǎn)能30萬片導(dǎo)電型SiC襯底。目前，這一計劃被提前實現(xiàn)，臨港工廠已于2023年5月開啟產(chǎn)品交付，現(xiàn)已成為公司導(dǎo)電型碳化硅襯底的主要生產(chǎn)基地。同時，臨港工廠第二階段的產(chǎn)能規(guī)劃也已經(jīng)步入議程，公司將繼續(xù)根據(jù)下游市場和客戶需求情況，推進臨港工廠產(chǎn)能產(chǎn)量提升。

毛利率方面，天岳先進2023年各季度襯底產(chǎn)品毛利率持續(xù)提升，碳化硅半導(dǎo)體材料全年綜合毛利率為17.53%，較2022年增加18.24個百分點。

產(chǎn)品方面，天岳先進表示，公司車規(guī)級導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先、高品質(zhì)6英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品向國際大廠客戶大規(guī)模批量供應(yīng)、8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品質(zhì)量和批量供應(yīng)能力領(lǐng)先，推動頭部客戶積極向8英寸轉(zhuǎn)型。

客戶和市場方面，天岳先進持續(xù)加強與國內(nèi)外知名客戶開展長期合作，目前全球前十大功率半導(dǎo)體企業(yè)中已有超過50%成為公司客戶。

天岳先進還簽訂了多份長單。

2022年7月，天岳先進宣布與某客戶簽訂了一份13.93億元的框架協(xié)議，合同期為2023年至2025年，銷售的產(chǎn)品為6英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品；

2023年5月，天岳先進與英飛凌簽訂合作協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。據(jù)悉，天岳先進的供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。

2023年8月，天岳先進宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議，約定2024年至2026年公司向合同對方銷售碳化硅產(chǎn)品，預(yù)計含稅銷售三年合計金額為8.05億元。

當下，碳化硅在新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能等領(lǐng)域的應(yīng)用持續(xù)滲透，碳化硅半導(dǎo)體整體市場規(guī)模不斷擴大。在此背景下，天岳先進多次簽訂長單，更鎖定了其未來的業(yè)績，企業(yè)未來的發(fā)展值得期待。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Winter）

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