7月22日，韓國(guó)化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開(kāi)發(fā)出可應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。
source：Siegtronics
據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)。它克服了現(xiàn)有產(chǎn)品的缺點(diǎn)——低擊穿電壓（VB）和高漏電流（IL），實(shí)現(xiàn)了差異化的高壓、大電流、耐高溫、高效率應(yīng)用，在電動(dòng)汽車的電源轉(zhuǎn)換器、電驅(qū)和逆變器等領(lǐng)域應(yīng)用備受關(guān)注。
氧化鎵普遍被業(yè)界認(rèn)為是“第四代半導(dǎo)體”材料，目前以美國(guó)、中國(guó)、日本為代表的相關(guān)企業(yè)和機(jī)構(gòu)正對(duì)其開(kāi)展研發(fā)工作。
但與其他寬帶隙材料相比，相關(guān)研發(fā)（R&D）程度較低，尚未達(dá)到全面商業(yè)化階段。因此，全球許多半導(dǎo)體相關(guān)機(jī)構(gòu)和公司都在努力搶占氧化鎵市場(chǎng)。
Siegtronics表示，公司通過(guò)“開(kāi)發(fā)具有低缺陷特性的高級(jí)氧化鎵外延材料和擊穿電壓為1kV或更高的功率器件技術(shù)”項(xiàng)目，成功研制出了韓國(guó)首個(gè)1200V級(jí)氧化鎵SBD。
需要注意的是，氧化鎵通過(guò)最大限度地降低半導(dǎo)體器件的漏電流和導(dǎo)通電阻，不僅有望應(yīng)用于普通家電和IT設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器，還有望應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電模塊、國(guó)防、航空航天領(lǐng)域，為實(shí)現(xiàn)器件功耗的小型化、微型化和輕量化做出貢獻(xiàn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）
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