4月17日，賓夕法尼亞州立大學宣布，學校已和摩根先進材料公司（下文簡稱“摩根公司”）簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以促進碳化硅（SiC）的研發(fā)。
source：賓夕法尼亞大學
該協(xié)議包括一項為期五年、耗資數(shù)百萬美元的新計劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟的創(chuàng)始成員，并向賓夕法尼亞州立大學提供碳化硅開發(fā)所需的石墨材料和解決方案，供內(nèi)部和外部合作伙伴使用。
據(jù)了解，該碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟（SCIA）是一個由行業(yè)領導者、學術機構和政府支持組成的聯(lián)盟，致力于開發(fā)碳化硅晶體技術和培養(yǎng)相關勞動人才。美國國防大學研究儀器計劃(DURIP)獎項為SCIA的建成提供了關鍵支持。此外，SCIA中的碳化硅晶體中心（SiC3）還將獲得了來自安森美每年80萬美元，累計800萬美元（折合人民幣約5800萬元）的資助。
賓夕法尼亞大學指出，碳化硅晶體在極端溫度（高于1982攝氏度）下在物理蒸汽輸送（PVT）爐中生長，晶體在爐中生長過程中要利用大量碳來保持溫度。與家庭中的隔熱材料類似，摩根制造的碳材料充當隔熱層，可減少熱量損失并能在長達一周的過程中維持熔爐運行所需的電量。
摩根公司首席技術官Thomas Connolly表示：“與賓夕法尼亞州立大學達成的新協(xié)議無縫銜接了我們的目標，即將公司打造成碳化硅市場的關鍵參與者——我們不僅在提高自己產(chǎn)品的競爭能力，而且還在為市場上高價值產(chǎn)品的開發(fā)做出貢獻。”
賓夕法尼亞州立大學內(nèi)的新碳化硅生長設施由賓夕法尼亞州立大學高級研究副校長辦公室和美國空軍科學研究辦公室資助，預計將于2025年初全面投入使用。該大樓將容納一個模擬整個碳化硅晶體批量生長供應鏈的試驗規(guī)模設施。（集邦化合物半導體Morty編譯）
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