近日，基本半導(dǎo)體推出汽車級DCM碳化硅（SiC）MOSFET系列模塊Pcore?2，是專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的一款高功率密度碳化硅功率模塊，產(chǎn)品型號包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4。
據(jù)介紹，該產(chǎn)品為業(yè)內(nèi)主流DCM封裝模塊，采用有壓型銀燒結(jié)工藝和高性能粗銅線鍵合技術(shù)，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品具有低動(dòng)態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點(diǎn)，可支持連續(xù)運(yùn)行峰值結(jié)溫至175℃，以及具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出。
資料顯示，基本半導(dǎo)體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等。
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據(jù)悉，今年基本半導(dǎo)體還將推出更大導(dǎo)通電流、更低導(dǎo)通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A碳化硅二極管芯片進(jìn)行配合使用。
碳化硅MOSFET作為一種新型功率器件，目前已經(jīng)應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電及儲(chǔ)能、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域，相較于硅基功率器件，有很多優(yōu)勢。其中，碳化硅MOSFET在高溫下仍然可以正常工作，具有更高的熱穩(wěn)定性，可用于高溫、高壓環(huán)境；碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻比硅MOSFET低得多，可以實(shí)現(xiàn)更小的導(dǎo)通損耗；碳化硅MOSFET采用了更小尺寸的芯片，相同功率的器件尺寸更小、重量更輕，可以提高功率器件的集成度。
目前，碳化硅MOSFET在某些方面也存在不足之處。例如，碳化硅MOSFET制造需要采用較高難度的材料和工藝，制造成本較高；其可靠性有待提高，材料、制造工藝等還有一些待解決的問題，如材料的缺陷、器件的壽命等問題。
隨著技術(shù)和工藝不斷升級，成本等問題得到一定程度的解決后，碳化硅MOSFET將會(huì)得到更廣泛的推廣應(yīng)用，相關(guān)廠商也會(huì)有更多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品問世。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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