根據(jù)外媒報(bào)道，三菱電機(jī)已經(jīng)在其位于日本福山的工廠完成了第一條300mm晶圓產(chǎn)線的設(shè)備安裝調(diào)試，樣品生產(chǎn)和測(cè)試驗(yàn)證了生產(chǎn)線上加工的功率半導(dǎo)體芯片達(dá)到了所需的性能水平。
報(bào)道稱，三菱電機(jī)計(jì)劃于2025財(cái)年開(kāi)始量產(chǎn)300mm 功率硅晶圓生產(chǎn)線。目標(biāo)是到2026財(cái)年將其硅功率半導(dǎo)體晶圓的加工能力提升至2021財(cái)年的一倍
目前三菱電機(jī)最新的IGBT已經(jīng)進(jìn)入到了第七代，其推出的新型RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳統(tǒng)的RC-IGBT降低了50%左右。
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今年3月，三菱電機(jī)宣布，將在截至2026年3月的五年內(nèi)將之前宣布的投資計(jì)劃翻一番，達(dá)到約2600億日元，主要用于建設(shè)新的晶圓廠，以增加碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。
具體而言，三菱電機(jī)計(jì)劃在2026年4月開(kāi)始稼動(dòng)位于日本熊本縣菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圓的新工廠。此外，還計(jì)劃對(duì)碳化硅6英寸晶圓工廠（位于日本熊本縣合志市）進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，到2026年，碳化硅產(chǎn)能預(yù)計(jì)會(huì)擴(kuò)大至現(xiàn)在的5倍左右。三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)總經(jīng)理赤田智史透露，預(yù)計(jì)到2030年，三菱電機(jī)SiC功率模塊營(yíng)收占比將會(huì)提升到30%以上。
在新的領(lǐng)域，三菱電機(jī)也在加速布局。今年7月底，三菱電機(jī)宣布其已投資日本氧化鎵晶圓開(kāi)發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開(kāi)發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體，為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。Novel Crystal Technology是世界上最早開(kāi)發(fā)、制造和銷售功率半導(dǎo)體用氧化鎵晶圓的公司之一，擁有三菱電機(jī)制造氧化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的晶圓制造技術(shù)，是氧化鎵晶圓領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理）
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