5月6日上午，位于武漢市東湖高新區(qū)九龍湖街以南、五峰路以西的武漢新城化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目是湖北省重點(diǎn)項(xiàng)目、武漢新城重點(diǎn)建設(shè)科技項(xiàng)目，同時也是九峰山實(shí)驗(yàn)室的重大配套工程。
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據(jù)悉，2023年12月20日，光谷宣布投資50億元建設(shè)化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地，項(xiàng)目總用地面積約7.5萬平方米，總建筑面積約17萬平方米，包括4棟化合物半導(dǎo)體潔凈廠房、4棟孵化加速辦公廠房以及相關(guān)配套建筑群。
資料顯示，九峰山實(shí)驗(yàn)室位于武漢江夏區(qū)，是湖北十大實(shí)驗(yàn)室之一，已建成化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較先進(jìn)、規(guī)模較大的科研及中試平臺。近年來，九峰山實(shí)驗(yàn)室聚焦下一代功率器件技術(shù)的研究，形成了自主可控的成套工藝技術(shù)。
在SiC領(lǐng)域，九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸SiC中試線于2023年8月1日全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線，標(biāo)志著該實(shí)驗(yàn)室已具備SiC外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
在首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線后，九峰山實(shí)驗(yàn)室持續(xù)攻克SiC工藝技術(shù)難關(guān)。2023年12月，該實(shí)驗(yàn)室在SiC超結(jié)領(lǐng)域取得新進(jìn)展：完成具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC多級溝槽超結(jié)器件新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，優(yōu)化后的超結(jié)肖特基二極管可以實(shí)現(xiàn)2000V以上的耐壓，比導(dǎo)通電阻低至0.997mΩ·c㎡，打破了SiC單極型器件的一維極限，同時該超結(jié)器件的多級溝槽刻蝕核心工藝研發(fā)也已完成。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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