Author Archives: huang, Mia

三菱電機(jī)今年將量產(chǎn)新一代光收發(fā)器芯片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 21 日 17:50 | 分類(lèi) 光電
8月20日，三菱電機(jī)宣布，公司已開(kāi)發(fā)出一種用于下一代光纖通信的光收發(fā)器接收器芯片，計(jì)劃于10月1日開(kāi)始提供樣品，并于2024年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 該接收器芯片的傳輸速度可達(dá)200Gbps，可應(yīng)對(duì)生成人工智能（AI）廣泛應(yīng)用下不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心（DC）網(wǎng)絡(luò)高速化和大容量化的需求。 新開(kāi)發(fā)...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)、賽米控丹佛斯、英飛凌、富士電機(jī)、羅姆攜200+電力電子廠商齊聚深圳PCIM Asia，共探綠色能源、電動(dòng)汽車(chē)等應(yīng)用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 21 日 15:45 | 分類(lèi) 企業(yè)
PCIM Asia 2024 深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)即將于8月28至30日在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）璀璨啟幕！ 匯聚全球逾220家電力電子行業(yè)品牌、高校及科研機(jī)構(gòu)，共同探討電力電子技術(shù)的新趨勢(shì)、新挑戰(zhàn)與新機(jī)遇。這不僅是一場(chǎng)技術(shù)的交流盛宴，更是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

芯碁微裝國(guó)產(chǎn)碳化硅相關(guān)設(shè)備出口日本
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 20 日 17:50 | 分類(lèi) 功率
8月19日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商芯碁微裝宣布，公司旗下MLF系列設(shè)備首次出口至日本。 芯碁微裝表示，公司MLF系列直寫(xiě)光刻設(shè)備專(zhuān)為高精度、高效能的泛半導(dǎo)體封裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)，特別適用于功率半導(dǎo)體，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的封裝工藝。該設(shè)備配備先進(jìn)的設(shè)備前端模塊（EFEM），能夠...  [詳內(nèi)文]

WaveLoad計(jì)劃明年初量產(chǎn)氮化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 17:25 | 分類(lèi) 企業(yè)
8月18日，WaveLoad對(duì)外宣布，公司計(jì)劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。 WaveLoad已在韓國(guó)京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達(dá)1000級(jí)的無(wú)塵室，可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。目前，Wave...  [詳內(nèi)文]

碳化硅，跨入高速軌道
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 13:58 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
正如業(yè)界預(yù)期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長(zhǎng)階段。觀察市場(chǎng)情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、三安光電、羅姆等大廠加速擴(kuò)充碳化硅產(chǎn)能；英國(guó)Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開(kāi)展合作，PVA TePl...  [詳內(nèi)文]

37.1萬(wàn)片，天科合達(dá)擴(kuò)產(chǎn)6/8英寸碳化硅襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 8:41 | 分類(lèi) 企業(yè)
8月13日，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“二期項(xiàng)目”）環(huán)評(píng)審批。 文件指出，隨著北京天科合達(dá)創(chuàng)新能力、市場(chǎng)占有率的不斷提升，行業(yè)內(nèi)影響力不斷增強(qiáng)，計(jì)劃擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，擬在現(xiàn)有廠區(qū)西側(cè)地塊建設(shè)二期項(xiàng)目。 二期項(xiàng)目位于北京市大興...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⒎謩e新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 15 日 17:50 | 分類(lèi) 功率
8月14日，據(jù)外媒報(bào)道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來(lái)5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專(zhuān)注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。 LTSCT為L(zhǎng)&T的全資子公司，是一家無(wú)晶圓廠公司...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)4萬(wàn)片，SweGaN氮化鎵外延廠開(kāi)始出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:58 | 分類(lèi) 企業(yè)
8月13日，瑞典企業(yè)SweGaN宣布，公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開(kāi)始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。 資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動(dòng)工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬(wàn)片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN...  [詳內(nèi)文]

2024 全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類(lèi) 報(bào)告
語(yǔ)系：中文/英文 丨 格式：PDF 丨 頁(yè)數(shù)：約70頁(yè) 出刊時(shí)間：2024年8月 一、概況 -全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)格局 -全球GaN Power Device供應(yīng)鏈情形 -全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài) -全球主要半導(dǎo)體廠商布局 二、GaN ...  [詳內(nèi)文]

TrendForce：2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模有望升至43.76億美元
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類(lèi) 數(shù)據(jù)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，C...  [詳內(nèi)文]