據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，日本汽車供應(yīng)商住友電氣工業(yè)株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱“住友電工”）將開(kāi)始生產(chǎn)用于下一代半導(dǎo)體的節(jié)能碳化硅晶圓，預(yù)計(jì)將使電動(dòng)汽車的行駛里程延長(zhǎng)10%。
住友電工計(jì)劃投資約300億日元（約合15.36億人民幣），用于支付在富山縣建設(shè)新工廠的費(fèi)用，該工廠將在2027年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅晶圓，預(yù)計(jì)能夠年產(chǎn)12萬(wàn)片6英寸晶圓，可用于電動(dòng)汽車半導(dǎo)體，控制電機(jī)中的電流和電壓。
該投資額還將用于擴(kuò)建兵庫(kù)縣現(xiàn)有工廠的生產(chǎn)能力。
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住友電工業(yè)務(wù)主要涉及汽車零部件、信息通信、電子產(chǎn)品、新材料、環(huán)境能源等產(chǎn)業(yè)。
值得注意的是，作為SiC器件供應(yīng)商，目前住友電工開(kāi)始向溝槽柵布局。
據(jù)悉，住友電工利用獨(dú)特的晶面新開(kāi)發(fā)了V形槽溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (VMOSFET)。VMOSFET具有高效率、高阻斷電壓、惡劣環(huán)境下的高穩(wěn)定性等優(yōu)越特性，實(shí)現(xiàn)了大電流（單芯片200A），適用于電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）。此外，住友電工正在與國(guó)家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所合作開(kāi)發(fā)具有世界最低導(dǎo)通電阻的下一代VMOSFET。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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