7月10日午間，模擬及混合信號芯片設(shè)計公司納芯微電子宣布推出1200V系列SiC二極管產(chǎn)品，并正在研發(fā)和驗(yàn)證1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級驗(yàn)證，將于近期推出。
據(jù)介紹，納芯微全新推出的1200V系列SiC二極管產(chǎn)品專為光伏、儲能、充電等工業(yè)場景而設(shè)計，具有更低的正向?qū)妷海诿鎸λ矐B(tài)高電流沖擊時，具備更強(qiáng)的抗浪涌能力。其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均能展現(xiàn)出出色的效率特性，可完美滿足中高壓系統(tǒng)的需求。
納芯微SiC二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計示意圖
隔離和驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)先，汽車業(yè)務(wù)成績亮眼
納芯微成立于2013年，專注于高性能高可靠性模擬芯片的研發(fā)與設(shè)計，產(chǎn)品主要聚焦傳感器、信號鏈和電源管理三大方向，廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費(fèi)電子領(lǐng)域。目前，納芯微已能提供1400余款可供銷售的產(chǎn)品型號。
據(jù)了解，納芯微的數(shù)字隔離芯片和驅(qū)動技術(shù)具有較強(qiáng)的競爭力，其是國內(nèi)較早規(guī)模量產(chǎn)數(shù)字隔離芯片的企業(yè)，也是國內(nèi)首家通過VDE增強(qiáng)隔離認(rèn)證的芯片公司，公司所有隔離芯片品類均有型號通過車規(guī)級認(rèn)證。目前，納芯微的隔離器件已進(jìn)入汽車電子、工業(yè)控制、通信電源等各行業(yè)一線客戶的供應(yīng)體系并實(shí)現(xiàn)批量供貨。此外，納芯微也是國內(nèi)較早布局車規(guī)級芯片的企業(yè)，產(chǎn)品已在大量主流整車廠商/汽車一級供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)批量裝車。
值得注意的是，目前，汽車電子領(lǐng)域是納芯微增速最快的一個賽道。據(jù)納芯微電子CEO王升楊在“納芯微十周年暨2023媒體溝通會”上透露，2022年納芯微汽車電子的營收占比從2021年的不到10%增長到23.13%。同時，考慮到公司的營收在2022年實(shí)現(xiàn)了90%以上的增長，這意味著納芯微汽車電子在過去一年取得了約4倍的營收增長。
目前，納芯微在汽車應(yīng)用領(lǐng)域主要布局兩方面，一是圍繞汽車的電動化趨勢來做產(chǎn)品布局，主要集中在新能源汽車的三電和熱管理領(lǐng)域；二是圍繞汽車的智能化趨勢做產(chǎn)品布局，主要集中在智能座艙、自動駕駛、整車域控、智慧照明等領(lǐng)域。其隔離和驅(qū)動產(chǎn)品主要應(yīng)用于OBC、DC-DC、主電機(jī)驅(qū)動、BMS和熱管理系統(tǒng)。
王升楊當(dāng)時表示，納芯微已量產(chǎn)的產(chǎn)品在一輛高端的新能源汽車上，大概可實(shí)現(xiàn)超過400元的單車價值量。并且，納芯微將持續(xù)拓展新產(chǎn)品及應(yīng)用，進(jìn)一步提升單車價值量，預(yù)計在2025年前，納芯微可量產(chǎn)的產(chǎn)品單車價值量能突破2000元。
協(xié)同優(yōu)勢明顯，SiC賽道有望后來者居上
作為模擬芯片的研發(fā)設(shè)計商，納芯微原本沒有涉足SiC領(lǐng)域，如今推出SiC系列產(chǎn)品，印證了其在積極開發(fā)新產(chǎn)品及相關(guān)應(yīng)用，也意味著SiC領(lǐng)域又新增了一個玩家。
近年來，SiC下游需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展迅猛，從應(yīng)用來看，以新能源汽車領(lǐng)域的需求和發(fā)展最為強(qiáng)勁。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告-Part1》顯示，SiC功率元件的第一大應(yīng)用為新能源汽車，市場規(guī)模在2022年已達(dá)到10.9億美元，占整體SiC功率元件市場產(chǎn)值約67.4%。
據(jù)納芯微介紹，新能源汽車的趨勢是采用800V電氣架構(gòu)+SiC功率器件，這兩大趨勢對隔離IC和驅(qū)動IC提出了新的更高的要求，而納芯微具備競爭力較強(qiáng)的隔離和驅(qū)動技術(shù)。
隔離方面，納芯微采用基于容耦的電容隔離技術(shù)。相比光耦，容耦的傳輸速率更高，容易達(dá)到Mbps以上的通信速率，工作溫度范圍更寬。
納芯微指出，SiC器件對數(shù)字隔離器的要求是開關(guān)頻率變高了，傳輸速率也要提升，共模抑制能力至少要大于100kV/微秒，而納芯微的隔離器件可以達(dá)到150kV甚至200kV的水平。同時，在新一代電驅(qū)動開發(fā)平臺中，在選擇合適的SiC功率管驅(qū)動芯片時，CMTI、寬柵極電壓擺幅、大峰值輸出電流、快速上升下降時間，以及快速短路保護(hù)、軟關(guān)斷能力，都是需要考慮的隔離驅(qū)動芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。
目前，在新能源汽車電驅(qū)動主電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用方面，納芯微已量產(chǎn)NSi6611和NSi6651智能保護(hù)增強(qiáng)型隔離驅(qū)動，以及增強(qiáng)型數(shù)字隔離器、增強(qiáng)型的隔離采樣等隔離驅(qū)動產(chǎn)品。除了驅(qū)動外，納芯微三電系統(tǒng)總線的電壓或電流隔離采樣NSi1311和NSi1300等已擁有較高的市場占有率。
從目前來看，納芯微將在SiC這一新賽道蓄勢待發(fā)，SiC業(yè)務(wù)有望與其在隔離和驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)域形成協(xié)同效應(yīng)，幫助更快拓展SiC車用市場，隨著車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品的上市和應(yīng)用，納芯微未來在汽車市場的市占率和影響力將進(jìn)一步提升。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jenny）
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