近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。
鎵和半導體成立于2021年，是一家超寬禁帶半導體材料氧化鎵襯底及外延制造商，主營氧化鎵單晶襯底及外延晶片、單晶及外延生長設備、高靈敏日盲紫外探測器件、大功率電力電子器件等氧化鎵相關產(chǎn)品。
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鎵和半導體自成立以來，共申請國內(nèi)發(fā)明專利18項，擁有四項核心技術：氧化鎵單晶生長技術、氧化鎵襯底加工技術、氧化鎵薄膜外延技術、氧化鎵器件技術。
氧化鎵是一種超寬禁帶材料，擁有超寬帶隙（4.2-4.9eV）、超高臨界擊穿場強（8MV/cm）、超強透明導電性等優(yōu)異物理性能，它的各項性能指標較硅、碳化硅以及氮化鎵有著顯著的優(yōu)勢。
目前，各國半導體企業(yè)都在爭相布局氧化鎵，但均在產(chǎn)業(yè)化前夜。氧化鎵或許可以成為我國突破“卡脖子”的機遇。（文：集邦化合物半導體 Doris整理）
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