文章分類： 企業(yè)

第四代半導體材料龍頭NCT又有新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 26 日 17:41 |
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近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。 據了解，NCT成立于2015年6月， 是一家專注研發(fā)和生產新一代半導體技術的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資...  [詳內文]

京東方華燦擬5500萬元向北方華創(chuàng)采購Micro LED相關設備

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 26 日 16:46 |
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12月22日，京東方華燦發(fā)布公告稱，公司全資子公司華燦光電（廣東）有限公司（以下簡稱廣東華燦）和華燦光電（浙江）有限公司（以下簡稱浙江華燦）擬使用募集資金向關聯(lián)方北方華創(chuàng)購買生產設備，關聯(lián)交易總額預計不超5,500萬元。 其中，廣東華燦擬使用募投項目中的“Micro LED晶圓制...  [詳內文]

蘇格蘭SiC晶圓廠Clas-SiC開展大動作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:46 |
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12月19日，據外媒消息，蘇格蘭碳化硅（SiC）晶圓廠Clas-SiC正在尋求2400萬英鎊（折合人民幣約2.18億元）的投資，用來擴大潔凈室空間并購買額外的生產設備，此舉有望將工廠的產能擴大至2.5倍，該筆資金還可以用于后續(xù)的工藝開發(fā)和彈性運營。 據了解， Clas-SiC是英...  [詳內文]

韓國APROSEMICON公司新建GaN生產基地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:45 |
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據外媒消息，近日，韓國APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設以氮化鎵 (GaN) 為基礎的功率半導體生產設施。 為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Apros...  [詳內文]

數千萬！SiC MOSFET廠商至信微電子完成A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 | | 分類: 企業(yè)
近日，深圳市至信微電子有限公司（以下簡稱至信微電子）宣布完成數千萬元A輪融資，本輪融資由深智城產投、正景資本、揚子江基金、太和基金共同投資，融資資金將用于加速公司產品研發(fā)、團隊擴建以及市場拓展等。 資料顯示，至信微電子成立于2021年11月，是一家專注于第三代半導體功率器件研發(fā)的...  [詳內文]

南京國盛第一枚GaN on Si外延片正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優(yōu)勢，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢，具有較強的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內文]

斥資50億！光谷打造化合物半導體企業(yè)總部園區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:45 |
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12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡稱光谷）宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地，選址九峰山實驗室南面，計劃明年開工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭在3年內引育企業(yè)100家。 據悉，九峰山實驗室是湖北十大實驗室之一，已建成化合物半導體產業(yè)科研及中試平臺。該總部園區(qū)將利...  [詳內文]

晶盛機電實現(xiàn)8英寸襯底批量生產

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:35 |
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12月21日，晶盛機電在回答投資者提問時表示，公司8英寸碳化硅（SiC）襯底片已實現(xiàn)批量生產，量產晶片的核心位錯達到行業(yè)領先水平。 據悉，晶盛機電自2017年開始SiC晶體生長設備和工藝研發(fā)，經過幾年沉淀，今年已經迎來收獲期。今年2月4日，晶盛機電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設...  [詳內文]

生產率增長100%！Riber外延設備獲美系客戶認證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:52 |
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昨日（12/19）,美國分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE）設備供應商Riber宣布，MBE 8000平臺已獲得美國外延生產商的最終認證通過。 圖片來源：Riber 據介紹，MBE 8000可批量生長8片6英寸外延或4片8英寸外延，相比市面上現(xiàn)有...  [詳內文]

時代電氣取得高壓SiC電機控制器專利

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:44 |
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天眼查資料顯示，12月12日，株洲中車時代電氣股份有限公司（以下簡稱時代電氣）公開一項“一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車”專利，申請公布號CN117220562A，申請日期為2023年8月30日。 該專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車，...  [詳內文]