9月10日，據(jù)Soitec官網(wǎng)消息，由Soitec主導的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟已經(jīng)開始著手開發(fā)基于磷化銦（InP）的下一代高頻半導體。
source：Soitec
這項技術(shù)能夠滿足用于大型數(shù)據(jù)中心和AI的光子學，用于6G移動通信的射頻前端和集成天線，以及亞太赫茲雷達傳感等領域的應用。
據(jù)悉，磷化銦（InP）器件能夠在接近或超過1太赫茲（THz）的頻率下運行，與硅基器件相比，提供了更快的速度和更高的能效。
Soitec主導的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟Move2THz由27個成員組成，旨在保障歐洲InP半導體的穩(wěn)健供應和制造生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，并解決相關產(chǎn)品更廣泛應用的障礙，包括InP基先進襯底的成本和可用性。該項目為期三年，已經(jīng)獲得了歐盟的資金支持，以及來自法國、瑞士、德國、瑞典、荷蘭和比利時政府的補充投資。
Soitec秘書長艾曼紐埃爾·貝利（Emmanuelle Bely）表示：“這個項目標志著在整合越來越強大、能效更高的半導體技術(shù)方面的一個重要里程碑。我們正在一起為基于磷化銦的創(chuàng)新鋪平道路，這將改變6G通信、光子學和人工智能等關鍵領域?！?/p>
公開資料顯示，Soitec于1992年成立于法國，主營半導體硅晶圓制造及銷售業(yè)務，是全球最大的優(yōu)化半導體硅片襯底供應商。而硅片經(jīng)過冶煉、鑄造及切割之后，Soitec使用其獨有的切割技術(shù)，在兩層氧化硅之間插入絕緣層形成絕緣硅（SOI）晶圓，從而制造成射頻前端芯片、功率器件、汽車芯片、傳感芯片等產(chǎn)品。
目前，除了光子學，Soitec的業(yè)務布局還包括RF-GaN、SmartSiC?、Power-GaN等化合物半導體材料，其在法國伯寧的新工廠已于2023年10月落成，該工廠投資額為3.8億歐元（約30億人民幣），占地面積2500平方米，2028年全部達成后可年產(chǎn)50萬片，其中80%為SmartSiC晶圓。
此外，Soitec布局了Smart Cut?、Smart Stacking?等技術(shù)，其中，Smart Cut?技術(shù)能夠精準切割碳化硅晶圓，提高碳化硅晶圓的良率和性能，并顯著增加產(chǎn)量。（集邦化合物半導體Zac整理）
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