7月8日晚間，天岳先進(jìn)發(fā)布公告稱，其擬以簡(jiǎn)易程序向特定對(duì)象發(fā)行股票，募集資金總額不超過(guò)3億元（含本數(shù)），扣除相關(guān)發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于投資8英寸車規(guī)級(jí)SiC襯底制備技術(shù)提升項(xiàng)目。
source：天岳先進(jìn)
定增預(yù)案顯示，本次項(xiàng)目主要研發(fā)方向包括SiC生長(zhǎng)熱場(chǎng)仿真、SiC單晶應(yīng)力控制、SiC單晶微缺陷控制、導(dǎo)電型SiC電阻率控制等。
公告顯示，天岳先進(jìn)本次募資的3億元主要投向建筑工程及安裝工程費(fèi)用及設(shè)備購(gòu)置費(fèi)。項(xiàng)目建設(shè)周期為24個(gè)月，包括廠房?jī)艋g裝修改造、設(shè)備采購(gòu)安裝、新技術(shù)和工藝試驗(yàn)等三個(gè)階段。
據(jù)悉，由6英寸向8英寸升級(jí)，是SiC襯底重要的降本路徑之一。天岳先進(jìn)表示，根據(jù)測(cè)算，單片8英寸SiC襯底的芯片產(chǎn)出量大約是6英寸的2倍，4英寸的4倍，并可部分使用硅基功率芯片產(chǎn)線裝備，可大幅降低成本、提高效率。以32mm2面積的裸片（芯片）為例，8英寸SiC襯底上的裸片數(shù)量相比6英寸增加近90%，同時(shí)邊緣裸片數(shù)量占比從14%降低至7%，8英寸襯底利用率相比6英寸提升了7%。
近年來(lái)，天岳先進(jìn)持續(xù)發(fā)力8英寸SiC襯底。2022年，天岳先進(jìn)通過(guò)自主擴(kuò)徑實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)8英寸SiC襯底的制備。隨著國(guó)際市場(chǎng)對(duì)8英寸SiC襯底需求持續(xù)增加，其在2023年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸SiC襯底的批量銷售。
與此同時(shí)，天岳先進(jìn)不斷進(jìn)行8英寸產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新，推進(jìn)包括導(dǎo)電型SiC用粉料高效合成、高質(zhì)量導(dǎo)電型SiC晶體生長(zhǎng)、高效SiC拋光、8英寸寬禁帶SiC半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)及襯底加工關(guān)鍵技術(shù)等研發(fā)項(xiàng)目。天岳先進(jìn)目前以PVT法大規(guī)模批量化制備8英寸襯底，是國(guó)際上較少掌握了液相法制備技術(shù)的企業(yè)之一。
項(xiàng)目方面，據(jù)上海臨港管委會(huì)官網(wǎng)信息顯示，天岳先進(jìn)的“碳化硅半導(dǎo)體材料二期（一階段）項(xiàng)目”的環(huán)評(píng)信息已于近日公示。
項(xiàng)目概況顯示，天岳先進(jìn)通過(guò)利用現(xiàn)有廠區(qū)預(yù)留區(qū)域增加生產(chǎn)設(shè)備開(kāi)展8英寸SiC晶片生產(chǎn)線建設(shè)，配套新增公輔設(shè)施和環(huán)保設(shè)施。為滿足產(chǎn)品質(zhì)量需求，將對(duì)現(xiàn)有已批項(xiàng)目部分工藝、設(shè)備進(jìn)行改造。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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