今年4月，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱優(yōu)晶科技）最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法長晶設備已順利通過驗收，標志著優(yōu)晶科技國際業(yè)務取得突破。據悉，此次出口的SiC電阻法長晶設備，是優(yōu)晶科技根據市場需求研發(fā)的第四代產品，設備的穩(wěn)定性、可靠性、工藝水準均有提升。
而在近日，優(yōu)晶科技SiC長晶設備再次傳出新進展。6月7日，據優(yōu)晶科技官微披露，其8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術鑒定評審。
source：優(yōu)晶科技
鑒定委員會認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產權，經濟效益顯著。
官網資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發(fā)、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKING ERH SiC RV4.0電阻法SiC長晶設備，可用于6英寸、8英寸量產。
項目方面，優(yōu)晶科技于2020年12月在昆山建設落成國內首條UKING電阻法6英寸SiC生產線，并計劃2021年年底前將6英寸電阻法SiC生產線擴容至100臺。屆時優(yōu)晶科技投資打造的國內首條UKING電阻法6英寸SiC生產線將在江蘇昆山平謙邁高科技園實現規(guī)模量產。達產預計年產6英寸SiC襯底10萬片。
據介紹，UKING電阻法大尺寸SiC長晶設備軸向溫梯可控、徑向溫梯可調、溫線平緩，晶體生長界面近似平面，這能有效降低SiC單晶內部應力，增加晶體有效利用厚度。同時，UKING電阻法碳化硅生產設備智能化程度高，可大幅提高工藝精度；并具有無需人工粘接籽晶的引晶工藝，生長參數實時監(jiān)測和存儲，遠程訪問和控制，實現了長晶過程的高度自動化，保證工藝的重現性，減少對操作人員的依賴，解決了工藝控制難的瓶頸，使生長出的晶體良品率和質量大幅提高。
融資方面，2023年6月，優(yōu)晶科技完成A輪融資，投資方為東合創(chuàng)投。
此次優(yōu)晶科技成功研發(fā)出UK-T8型8英寸電阻法SiC單晶生長設備，有望推動優(yōu)晶科技加速拓展國際、國內業(yè)務。（集邦化合物半導體Zac整理）
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