據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“銘鎵半導(dǎo)體”）在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破，已領(lǐng)先于國(guó)際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
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銘鎵半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國(guó)際可做到25毫米×25毫米尺寸，而銘鎵半導(dǎo)體可以做到40毫米×25毫米尺寸，可穩(wěn)定生產(chǎn)多爐且累計(jì)一定庫(kù)存。導(dǎo)電型（001）錫摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國(guó)際上可達(dá)到4英寸，銘鎵半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)大尺寸襯底工藝突破，并將逐步穩(wěn)定工藝供貨。
據(jù)官網(wǎng)介紹，銘鎵半導(dǎo)體致力于研發(fā)和生產(chǎn)新型半導(dǎo)體人工晶體材料，包括第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵、高頻磷化銦晶體和大尺寸摻雜光學(xué)晶體。（來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察整理 ）
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