5月21日，據(jù)看金壇官微消息，由制局半導(dǎo)體（江蘇）有限公司（以下簡(jiǎn)稱制局半導(dǎo)體）投資建設(shè)的半導(dǎo)體封測(cè)總部項(xiàng)目簽約儀式在江蘇省常州市金壇區(qū)舉行，該項(xiàng)目總投資達(dá)50億元。
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天眼查資料顯示，該公司成立于2024年5月21日，注冊(cè)資本為1億元，經(jīng)營范圍含集成電路設(shè)計(jì)、集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、集成電路芯片及產(chǎn)品銷售、電力電子元器件制造、電子元器件零售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售等。
具體來看，制局半導(dǎo)體擬在金壇華羅庚高新區(qū)新建公司總部，規(guī)劃工業(yè)用地159畝，新建總建筑面積約12.5萬平方米高標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工廠及附屬配套設(shè)施。
該項(xiàng)目一期用地59畝，總投資15億元，建設(shè)HI-SiP模組研發(fā)中心、工程技術(shù)中心及半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)基地，以滿足汽車電子、通訊電子、AI、醫(yī)療、航空航天領(lǐng)域先進(jìn)封測(cè)和器件模組需求，計(jì)劃于2024年開工建設(shè)，2026年上半年建成投產(chǎn)。項(xiàng)目二期用地100畝，總投資35億元，建設(shè)高頻微波、功率、寬禁帶化合物半導(dǎo)體器件及模組制造基地，計(jì)劃于2028年開工建設(shè)，2029年建成投產(chǎn)。
據(jù)悉，近期還有另外一個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目落地金壇區(qū)。今年4月29日，立研半導(dǎo)體常州產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目啟動(dòng)暨半導(dǎo)體基金簽約儀式也在華羅庚高新區(qū)舉行。
該項(xiàng)目計(jì)劃總投資1億美元，總用地面積75畝，新建生產(chǎn)廠房、綜合樓、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院及附屬用房等，計(jì)劃2026年建成投產(chǎn)。該項(xiàng)目目標(biāo)產(chǎn)品為半導(dǎo)體先進(jìn)制程和檢測(cè)精密設(shè)備，達(dá)產(chǎn)后將形年產(chǎn)360臺(tái)生產(chǎn)規(guī)模，其中晶圓清洗及拋光設(shè)備120臺(tái)、晶圓減薄研磨設(shè)備120臺(tái)、晶圓檢測(cè)設(shè)備120臺(tái)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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