揚(yáng)杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專利

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)

近日,揚(yáng)杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專利

天眼查資料顯示,5月10日,揚(yáng)杰科技取得一項(xiàng)“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)”專利,授權(quán)公告號(hào)CN110749389B,申請(qǐng)日期為2019年12月1日,授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示,一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)、涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)。提供了一種方便檢測(cè),提供檢測(cè)可靠性的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)。包括芯片、引線框架以及覆蓋在芯片、引線框架上的塑封層,所述芯片包括襯底、制作在襯底上的氮化鎵MOSFET結(jié)構(gòu)層、制作在襯底底部的壓阻、制作在襯底底面上的絕緣層、制作在絕緣層上的電極層,所述襯底的材料為單晶硅。本發(fā)明的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制備工藝與常規(guī)氮化鎵MOSFET芯片制備和封裝工藝兼容,制備過(guò)程簡(jiǎn)單易行。

source:天眼查

此前,在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,揚(yáng)杰科技全面聚焦SiC產(chǎn)業(yè),其2023年年報(bào)顯示,公司已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOSFET產(chǎn)品,型號(hào)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨,其中1200V SiC MOSFET平臺(tái)的比導(dǎo)通電阻(RSP)已做到3.5mΩ.cm2以下,F(xiàn)OM值達(dá)到3300mΩ.nC以下,可對(duì)標(biāo)國(guó)際水平。2023年,揚(yáng)杰科技還開發(fā)了FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。目前,其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

其中,在當(dāng)前十分火熱的車用場(chǎng)景,揚(yáng)杰科技自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣,目前已經(jīng)獲得多家 Tier1 和終端車企的測(cè)試及合作意向,計(jì)劃于 2025 年完成全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊的批量上車。

在此前已組建GaN研發(fā)團(tuán)隊(duì)的基礎(chǔ)上,伴隨著此次揚(yáng)杰科技取得新專利,其業(yè)務(wù)布局有望進(jìn)一步向GaN產(chǎn)業(yè)加大滲透。

新潔能取得SiC SBD專利

天眼查資料顯示,5月10日,新潔能取得一項(xiàng)“一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管及其制造方法”專利,授權(quán)公告號(hào)CN109037356B,申請(qǐng)日期為2018年10月15日,授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示,本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管,半導(dǎo)體基板包括N型碳化硅襯底及N型碳化硅外延層,在N型碳化硅外延層內(nèi)的上部設(shè)有若干個(gè)間隔分立的條形第一P型阱區(qū)及條形第一N型阱區(qū),在條形第一P型阱區(qū)和條形第一N型阱區(qū)下方或下表面設(shè)有若干個(gè)間隔分立的條形第二P型阱區(qū)及條形第二N型阱區(qū),條形第一P型阱區(qū)分別與條形第二P型阱區(qū)、條形第二N型阱區(qū)間呈30度~90度的夾角;本發(fā)明通過(guò)在條形第一P型阱區(qū)下方設(shè)置與條形第一P型阱區(qū)呈一定夾角的條形第二P型阱區(qū),同時(shí)提高條形P型阱區(qū)間條形N型阱區(qū)的摻雜濃度,大幅增加器件的擊穿電壓,改善器件的浪涌電流能力。

source:天眼查

作為一家功率半導(dǎo)體廠商,新潔能目前正在全面布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大代表材料SiC和GaN。在SiC領(lǐng)域,2023年,新潔能已開發(fā)完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品,新增產(chǎn)品12款,相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段。

在GaN領(lǐng)域,2023年,新潔能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成,新增產(chǎn)品2款,并通過(guò)可靠性考核,其100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

此次取得新專利,有助于新潔能進(jìn)一步提升SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)水平。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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