5月10日，連城數(shù)控官微消息顯示，第二屆第三代半導體晶體生長技術與市場研討會5月9日在江蘇無錫舉行。會上，連科半導體發(fā)布新一代8英寸SiC長晶爐，正式實現(xiàn)了大尺寸SiC襯底設備的全面供應。該設備具有結構設計緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保的特點。
source：連城數(shù)控
會上，連科半導體還與西安交通大學舉行產(chǎn)學研合作簽約儀式。本次簽約旨在加強與高校、科研院所的合作以及雙方在半導體領域的技術研發(fā)和人才培養(yǎng)，持續(xù)推動產(chǎn)品迭代更新。
作為連城數(shù)控全資子公司，連科半導體成立于2023年6月，專注于發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，截至2023年12月末，連科半導體組織架構與業(yè)務流程已構建完畢。值得一提的是，連科半導體此前曾獲得天岳先進首屆優(yōu)秀供應商稱號。
業(yè)務進展方面，連城數(shù)控今年1月10日發(fā)布公告稱，公司及下屬全資子公司連科半導體擬與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項目投資協(xié)議書》，投建第三代半導體設備研發(fā)制造項目。
根據(jù)協(xié)議，連城數(shù)控指定連科半導體作為投資主體，計劃投資總額不超過10.5億元，在無錫市投資建設半導體大硅片長晶和加工設備、SiC長晶和加工設備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。
而在今年3月，上述協(xié)議各方正式完成《第三代半導體設備研發(fā)制造項目投資協(xié)議書》的全部簽署工作。本次協(xié)議簽署后，協(xié)議各方將按照約定積極推進本次項目投資事宜。
連城數(shù)控認為，本次項目投資符合公司整體發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，有利于進一步完善公司的產(chǎn)業(yè)布局，擴大公司生產(chǎn)能力，提升公司綜合競爭力。
目前，連城數(shù)控業(yè)務領域涉及半導體與光伏兩大賽道，產(chǎn)品主要包括硅、鍺、SiC和藍寶石等晶體生長、晶體加工設備，光伏電池清洗、制絨、刻蝕設備等。
2023年，連城數(shù)控在半導體領域設備持續(xù)批量出貨，SiC長晶爐、合成爐、切片機及機加工設備業(yè)務與行業(yè)客戶的戰(zhàn)略合作關系進一步深化；8英寸SiC感應爐、SiC退火爐在設備及工藝上取得突破；SiC立式感應合成爐科研成果通過行業(yè)專家團鑒定；與清華大學合作大尺寸SiC電阻爐及外延爐項目。
隨著連科半導體新一代8英寸SiC長晶爐正式發(fā)布及完成客戶導入，連城數(shù)控將進一步深化半導體產(chǎn)業(yè)布局。（集邦化合物半導體Zac整理）
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